財聯社4月14日電，財聯社記者于4月14日走訪深圳華強北市場了解到，目前多家檔口針對CPU、顯卡等熱門芯片的報價已經暫停，且多家檔口關門歇業。圖為華強電子世界 財聯社記者攝“現在都在觀望，封庫存了，大家擔心價格會暴漲暴跌。”談及美國關稅調整后的影響，一名檔口老板告訴財聯社記者。此外，記者從多家國產芯片廠商處獲悉，關稅變化后客戶咨詢變多。“涉及到美國原產地的產品，已經有下游客戶開始跟我們溝通（國產）替代的可行性了。”一名上市分銷企業高管告訴記者。（財聯社記者 王碧微 付靜）
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4月15日消息，當地時間周日，特朗普政府宣布計劃對半導體相關進口產品加征關稅。次日，英偉達立即公布了最新戰略計劃：將在美國得克薩斯州與代工廠商合作，生產用于支持人工智能技術的超級計算機。不過，英偉達的這則消息究竟有多少真正"新意"？也引發了部分分析人士的質疑。這是該公司首度公開披露將在得州制造人工智能超級計算機的計劃，旨在響應美國政府推動半導體產業鏈“回流”的政策號召。作為當下全球AI浪潮中的最大受益者，英偉達承諾未來幾年將在美投入令人瞠目的5000億美元。該計劃在規模與定位上，與蘋果
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4月15日消息，美國時間周一，特朗普政府發布公告，宣布正式啟動對藥品和半導體進口的調查，旨在以國家安全為由對這兩個行業加征關稅。相關文件將在周三發布，特朗普政府還宣布，自文件發布之日起21天為公眾意見征詢期，表明特朗普政府計劃根據《1962年貿易擴展法》第232條的授權來推進這些關稅。這類調查需要在啟動后270天內完成。特朗普政府已針對銅材和木材進口啟動了類似調查，其首個任期內完成的調查，為今年1月再次就職后對鋼鐵、鋁材及汽車行業加征關稅提供了依據。美國自4月5日起開始對進口商品征收10%的關稅。藥品和半
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4月12日消息，三星原計劃為Galaxy S25系列搭載自主研發的3nm芯片Exynos 2500，但由于三星代工部門的3nm良率未達標，Galaxy S25系列不得不全系采用高通驍龍8 Elite SoC。如今，三星押注下一代旗艦平臺Exynos 2600，這顆芯片首發采用三星2nm工藝制程。據媒體報道，三星2nm工藝制程良率已達40%，預計在今年11月正式啟動Exynos 2600的量產工作，Galaxy S26系列將會全球首發Exynos 2600。值得注意的是，芯片制造商通常需達到70%-80%的
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4月9日，美國總統特朗普在共和黨全國委員會活動上自爆曾威脅臺積電，若不繼續在美國投資建廠，其產品進入美國將面臨高達100%的關稅。特朗普還批評拜登政府此前為臺積電亞利桑那州工廠提供66億美元補貼，主張通過稅收威脅而非財政激勵推動制造業回流。10億美元罰款？據路透社援引知情人士透露，臺積電可能面臨10億美元或更高的罰款，作為美國對其生產的芯片的出口管制調查結果。臺積電被指控通過第三方為中國大陸科技企業代工生產近300萬顆AI芯片，而根據美國出口管制條例，違規交易最高可被處以交易金額兩倍的罰款。臺積電在一份聲
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4月10日消息，據報道，在本周的Cloud Next大會上，Google發布了第七代TPU AI加速器芯片——Ironwood。Google Cloud副總裁Amin Vahdat表示：Ironwood是我們迄今為止功能最強大、性能最強、最節能的 TPU。它專為大規模支持思考和推理AI模型而設計。首先在計算性能上，Ironwood實現4614 TFLOP的峰值算力，配備192GB專用RAM和7.4Tbps超高帶寬，確保數據高速傳輸。其次，芯片間互連(ICI)帶寬提升至1.2Tbps，較前代提升50%，大幅
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2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發的技術限制。一份新報告指出，該公司已經成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。1nm 晶圓的開發需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出
2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA
技術的試產過程中
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上周三，美國總統特朗普宣布對進口商品征收全面關稅；隨后周五，中國政府宣布對美國采取反制措施，對所有美國進口的商品加征34%的關稅。
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去年末有報道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關的管制措施暫時沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
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3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產基地，預計今年下半年正式進入全面量產階段。在前期試產中，臺積電已經做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠同步投產之后，月產能將攀升至5萬片晶圓，最大設計產能更可達8萬片。與此同時，市場對2nm芯片的需求持續高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創造301億美元的營收，這一數字凸顯先進制程在AI、高性能計算等領域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶，蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
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據外媒報道，英特爾確認將于今年晚些時候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產3nm芯片。據了解，Intel 3是該公司的第二個EUV光刻節點，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產，2025年產能將全面轉至愛爾蘭萊克斯利普工廠。據介紹，英特爾同步向代工客戶開放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯電合作開發12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
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如果你需要將電子從這里移動到那里，你可以求助于銅。這種常見元素是一種極好的導體，很容易制成電線和電路板走線。但是，當你變小時，情況就會發生變化：在納米尺度上真的非常小。相同的銅顯示出越來越大的電阻，這意味著更多的電信號會因熱量而損失。為更小、更密集的設備供電可能需要更多的能量，這與您想要的微型電子設備正好相反。斯坦福大學的研究人員在 Eric Pop 實驗室由 Asir Intisar Khan 領導，一直在試驗一種按比例縮小到約 1.5 納米厚度的新型薄膜。他們發現，隨著這
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快科技3月25日消息，據悉，中國科學院成功研發除了突破性的固態DUV(深紫外)激光，可發射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長一致，能將半導體工藝推進至3nm。據悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻機都采用了氟化氙(ArF)準分子激光技術，通過氬、氟氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193nm波長的光子，然后以高能量的短脈沖形式發射，輸出功率100-120W，頻率8k-9kHz，再通過光學系統調整，用于光刻設備。中科院的固態DUV激光技術完全基于固態設計，由自制的Yb:YAG晶體放大器
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3月24日消息，近日，英偉達首席執行官黃仁勛表示，英偉達計劃在未來四年內斥資數千億美元采購美國制造的芯片和電子產品。英偉達設計的最新芯片以及用于數據中心的英偉達驅動服務器，現在可于臺積電和鴻海在美國運營的工廠生產。黃仁勛稱，“總體而言，在未來四年里，我們將采購總額可能達到5000億美元的電子產品。我認為我們可以很容易地看到，我們在美國制造了數千億個這樣的產品。”黃仁勛還表示，英偉達正與臺積電、富士康等公司合作，將制造業務轉移到美國本土。黃仁勛稱，此舉將增強供應鏈韌性。對于市場傳聞的“英偉達可能投資英特爾”
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3月21日消息，投資公司GF Securities在報告中稱，iPhone 18系列搭載的A20芯片將會采用臺積電第三代3nm工藝N3P制造，對此，分析師Jeff Pu予以反駁，稱A20芯片基于臺積電2nm制程打造，蘋果使用3nm的消息可以被忽略了。據悉，臺積電已經開始了2nm工藝的試產工作，該項目在新竹寶山工廠進行，初期良率是60%，預計在2025年下半年開始進行批量生產階段。之前摩根士丹利發布報告稱，2025年臺積電2nm月產能將從今年的1萬片試產規模，增加至5萬片左右的量產規模。由于產能爬坡以及良率
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