3dic chiplet 文章 進(jìn)入3dic chiplet技術(shù)社區(qū)
封裝與晶粒接口技術(shù)雙管齊下 小芯片發(fā)展加速
- 當(dāng)延續(xù)摩爾定律的開發(fā)重點(diǎn)，也就是單一芯片晶體管數(shù)量的世代更迭仍因技術(shù)受阻而放緩，未來芯片市場(chǎng)逐漸開始擁抱小芯片的設(shè)計(jì)思維，透過廣納目前供應(yīng)鏈成熟且靈活的先進(jìn)制程技術(shù)，刺激多方廠商展開更多合作，進(jìn)一步加速從設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試到上市的流程，讓更多高效節(jié)能的芯片與物聯(lián)網(wǎng)成真。要說目前市場(chǎng)上最主流的芯片設(shè)計(jì)，必非「系統(tǒng)單芯片（SoC）」莫屬。就這點(diǎn)，近年最廣為熱論的焦點(diǎn)就鎖定蘋果2020年推出基于Arm架構(gòu)的自制芯片M1，而日前盛大舉行的蘋果2021年首場(chǎng)全球新品發(fā)布會(huì)中，最新一代iMac更揭曉為繼MacBook之
- 關(guān)鍵字： 小芯片 Chiplet 摩爾定律
小芯片Chiplet夯什么？挑戰(zhàn)摩爾定律天花板
- 大人物(大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng))時(shí)代來臨，高效能、低功耗、多功能高階制程芯片扮演重要角色，隨著功能增加，芯片面積也越來越大，想降低芯片成本，先進(jìn)封裝技術(shù)不可或缺。棘手的是，先進(jìn)封裝技術(shù)導(dǎo)入過程中，很可能因?yàn)榱悸什环€(wěn)定導(dǎo)致成本墊高。另一方面，新功能芯片模塊在面積變大之余也要克服摩爾定律(Moore’s Law)物理極限，在晶體管密度與效能間找到新的平衡。前述兩個(gè)問題，小芯片(Chiplet)有解！實(shí)驗(yàn)研究院臺(tái)灣半導(dǎo)體研究中心(簡(jiǎn)稱國(guó)研院半導(dǎo)體中心)副主任謝嘉民指出，過去的芯片效能提升多仰賴半導(dǎo)體制程改進(jìn)，
- 關(guān)鍵字： 小芯片 Chiplet 摩爾定律
Imagination CEO：在逆境中創(chuàng)新，向更好未來邁進(jìn)
- 由于疫情不斷蔓延，加上大國(guó)之間的關(guān)系變得冷淡，過去一年對(duì)個(gè)人和企業(yè)來說都是動(dòng)蕩不安的。在2019年底時(shí)，沒人能預(yù)知我們現(xiàn)在的處境，因此未來的12個(gè)月及之后的時(shí)間同樣難以預(yù)測(cè)和規(guī)劃。然而，在目睹整個(gè)世界特別是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)如何因應(yīng)疫情的發(fā)展之后，也讓我們意識(shí)到更多積極的事情將不斷到來。受益者和受損者半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模龐大，許多領(lǐng)域受到了影響，其中一些領(lǐng)域出現(xiàn)了發(fā)展放緩的現(xiàn)象。例如，由于政府將時(shí)間和資金都集中用于抗擊疫情，因此大型基礎(chǔ)設(shè)施和智慧城市的部署速度有所減慢。但另一方面，?自疫情爆發(fā)以來，消費(fèi)類市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： chiplet IP
新思科技推出業(yè)界首個(gè)統(tǒng)一平臺(tái)3DIC Compiler，以加速多裸晶芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)和集成
- 重點(diǎn)：3DIC Compiler基于新思科技的Fusion Design Platform、世界級(jí)引擎和數(shù)據(jù)模型，在單一用戶環(huán)境下提供一個(gè)綜合性的端到端解決方案，具有針對(duì)先進(jìn)多裸晶芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)的全套功能提供強(qiáng)大的三維視圖功能，為2.5D/3D封裝可視化提供直觀的環(huán)境，顯著減少設(shè)計(jì)到分析的迭代次數(shù)，并最大限度地縮短整體集成時(shí)間提供與Ansys硅-封裝-印刷電路板技術(shù)的緊密集成，以進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)信號(hào)、功率和熱量分析新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日推出其3DIC Co
- 關(guān)鍵字： 新思科技 3DIC Compiler
金升陽新的DC-DC定壓R4電源：涅槃重生，創(chuàng)“芯”未來
- 1 “芯片級(jí)”模塊電源的誕生DC-DC定電壓電源模塊是金升陽公司的拳頭產(chǎn)品，在全球有數(shù)十萬用戶，可謂世界級(jí)的產(chǎn)品。2020年，金升陽歷經(jīng)多年技術(shù)沉淀，推出第四代定壓產(chǎn)品（簡(jiǎn)稱“定壓R4”），可謂具有突破性的“芯片級(jí)”的模塊電源（如圖1）。實(shí)際上，金升陽的定壓系列產(chǎn)品從R1升級(jí)到R2，再到R3代，每次更迭換代，產(chǎn)品都進(jìn)行了非常多的電路和工藝技術(shù)突破；但是封裝工藝上還是一樣，仍沿用傳統(tǒng)的灌封/塑封工藝，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和外觀沒有顯著變化。不過，此次推出的新的定壓R4代電源模塊，最大的技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)就是在封裝工藝上取得了重
- 關(guān)鍵字： 202005 DC-DC 金升陽 Chiplet SiP
硅通孔3DIC工藝顯著減小傳感器的外形尺寸
- 引言 更小的外形尺寸、卓越的功能、更出色的性能和更低的BOM(物料成本)是系統(tǒng)工程師在開發(fā)傳感器和傳感器接口應(yīng)用等復(fù)雜電子產(chǎn)品時(shí)面臨的主要挑戰(zhàn)。縮小芯片尺寸可以通過使用集成密度更高的小型制程節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)，而系統(tǒng)的小型化則可以通過使用先進(jìn)的封裝技術(shù)來達(dá)成。如今，對(duì)更高系統(tǒng)集成度的需求與日俱增，這也促使那些傳統(tǒng)的封裝服務(wù)供應(yīng)商和半導(dǎo)體公司著手開發(fā)更具創(chuàng)新性、更為先進(jìn)的封裝技術(shù)。其中前景廣闊，同時(shí)也具有挑戰(zhàn)性的當(dāng)屬采用硅通孔(TSV)的3D集成電路(3DIC)。3DIC技術(shù)現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于數(shù)字集成電路(例如存
- 關(guān)鍵字： 3DIC 傳感器
半導(dǎo)體展買氣勝往年 臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)看好
- 國(guó)內(nèi)年度半導(dǎo)體業(yè)展會(huì)盛事「SEMICONTaiwan2014」九月三日至五日舉行。主辦單位「國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)」(SEMI)臺(tái)灣區(qū)副總裁何玫玲表示，此次展覽規(guī)模，創(chuàng)下歷年最高紀(jì)錄，總計(jì)超過六百五十家廠商、一千四百一十個(gè)攤位，參展廠商和參觀人數(shù)則突破四萬。比起去年，何玫玲直言，今年展覽買氣強(qiáng)旺，買主洽談會(huì)共約六十場(chǎng)，這是往年沒有發(fā)生的現(xiàn)象。 2014年半導(dǎo)體展概念股臺(tái)廠營(yíng)運(yùn)情形 何玫玲分析并解釋說，買氣旺盛，應(yīng)是國(guó)內(nèi)龍頭廠商臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)等，近年大力扶持國(guó)內(nèi)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 晶圓代工 SEMICONTaiwan2014 3DIC 2.5DIC
手機(jī)芯片加速整合 3D IC是重要武器
- 3D IC將是半導(dǎo)體業(yè)者站穩(wěn)手機(jī)晶片市場(chǎng)的必備武器。平價(jià)高規(guī)智慧型手機(jī)興起，已加速驅(qū)動(dòng)內(nèi)部晶片整合與制程演進(jìn);然而，20奈米以下先進(jìn)制程研發(fā)成本極高，但所帶來的尺寸與功耗縮減效益卻相對(duì)有限，因此半導(dǎo)體廠已同步展開3D IC技術(shù)研發(fā)，以實(shí)現(xiàn)更高的晶片整合度，其中，三星已率先宣布將于2014年導(dǎo)入量產(chǎn)。 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體中心研究員蔡宗廷認(rèn)為，MEMS技術(shù)將是手機(jī)設(shè)計(jì)差異化的關(guān)鍵，包括MEMS自動(dòng)對(duì)焦和振蕩器的出貨成長(zhǎng)均極具潛力。 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體中心研究員蔡宗廷表示，2013～2015
- 關(guān)鍵字： 手機(jī)芯片 3DIC
SEMI中國(guó)封測(cè)委員會(huì)第五次會(huì)議聚焦3DIC標(biāo)準(zhǔn)
- 在西安市高新開發(fā)區(qū)管委會(huì)大力支持下，SEMI中國(guó)封測(cè)委員會(huì)第五次會(huì)議近日在西安成功召開。SEMI全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁陸郝安與西安高新開發(fā)區(qū)安主任共同為會(huì)議致辭，吳凱代表SEMI中國(guó)同與會(huì)者分享了中國(guó)半導(dǎo)體及封測(cè)市場(chǎng)現(xiàn)況、SEMI標(biāo)準(zhǔn)制定流程和重要意義、SEMI標(biāo)準(zhǔn)在北美的成功案例等主題報(bào)告。經(jīng)過熱烈討論，代表們就3DIC標(biāo)準(zhǔn)的制訂在以下幾個(gè)方面達(dá)成共識(shí)： 一是臺(tái)灣和北美對(duì)3DIC發(fā)展方向也不明確，中國(guó)半導(dǎo)體投資巨大且貼近應(yīng)用市場(chǎng)，有機(jī)會(huì)趕上歐美先進(jìn)水平，甚至在特定領(lǐng)域可實(shí)現(xiàn)"彎道
- 關(guān)鍵字： 封測(cè) 3DIC
中芯國(guó)際成立視覺、傳感器以及3DIC中心
- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際)宣布成立視覺、傳感器和3DIC中心(簡(jiǎn)稱CVS3D)。中芯國(guó)際CVS3D整合、強(qiáng)化了中芯國(guó)際在硅傳感器、通過硅通孔(TSV)技術(shù)和其他中端晶圓制程技術(shù)(MEWP)的上的研發(fā)和生產(chǎn)制造能力。而MEWP技術(shù)帶動(dòng)了在CMOS圖像傳感器、MEMS傳感器、三維堆疊設(shè)備，和基于TSV2.5D和3D的高性能系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)方面的顯著進(jìn)步。 半導(dǎo)體行業(yè)正快速采用基于TSV2.5D和3DIC的技術(shù)，使系統(tǒng)芯片進(jìn)一步小型化，同時(shí)降低功耗、提高設(shè)備和系統(tǒng)性能。根據(jù)201
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 3DIC
美商Altera公司與TSMC采用CoWoS生產(chǎn)技術(shù)
- 美商Altera公司與TSMC22日宣布，采用TSMC CoWoS生產(chǎn)技術(shù)共同開發(fā)全球首顆能夠整合多元芯片技術(shù)的三維集成電路(Heterogeneous 3DIC)測(cè)試芯片，此項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)系將模擬、邏輯及內(nèi)存等各種不同芯片技術(shù)堆棧于單一芯片上組合而成，可協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超越摩爾定律的發(fā)展規(guī)范，而TSMC的CoWoS整合生產(chǎn)技術(shù)能夠提供開發(fā)3DIC技術(shù)的半導(dǎo)體公司一套完整的解決方案，包括從前端晶圓制造到后端封裝測(cè)試的整合服務(wù)。
- 關(guān)鍵字： Altera 測(cè)試芯片 3DIC
半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
- 時(shí)序即將進(jìn)入2012年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革，其中3D IC便為未來芯片發(fā)展趨勢(shì)，將促使供應(yīng)鏈加速投入3D IC研發(fā)，其中英特爾(Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下，勢(shì)必激勵(lì)其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期3D IC有機(jī)會(huì)于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況下，預(yù)估2013年也可視為是3D IC量產(chǎn)元年。 3D IC為未來芯片發(fā)展趨勢(shì)，其全新架構(gòu)帶來極大改變，英特爾即認(rèn)為，制程技術(shù)將邁入3D，未來勢(shì)必激勵(lì)技術(shù)創(chuàng)新。英特爾實(shí)驗(yàn)室日前便宣布與工研院合作，共同合作開發(fā)3D IC架構(gòu)且具低功耗
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體制程 3DIC
3dic chiplet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3dic chiplet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3dic chiplet的理解，并與今后在此搜索3dic chiplet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3dic chiplet的理解，并與今后在此搜索3dic chiplet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3dic chiplet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473