2022年11月16日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人臉識別門禁系統方案。 圖示1-大聯大世平基于耐能Kneron產品的3D AI人臉識別門禁系統方案的展示板圖 在現代化經濟建設和智能管理的驅動下，人工智能門禁系統作為安防基礎核心迎來了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個特殊情境下，各種酒店、賓館、寫字樓、智能大廈、政府機關等單位，對于多功能智能門禁系統的需求更是日益攀高。在此趨勢下，大
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大聯大世平 耐能 Kneron 3D AI 人臉識別門禁
新聞重點· 隨著業界首次采用 Arm 2022 全面計算解決方案，Arm 持續提高安卓生態系統的性能標桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤，將為高級移動游戲提供超真實的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計算基礎可為新一代智能手機提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布，MediaTek 近期發布的天璣 9200 移動芯片采用了 Arm 旗艦級 GPU Arm Immortalis?-G
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Arm Immortalis 3D 游戲
作為全球化的半導體企業，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產品與技術執行副總裁SungHoi
Hu表示："市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3
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三星 V-NAND 存儲密度
IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發布任何實際產品，但三星電子現宣布已經開始大規模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業界最高的比特密度。三星聲稱，與現有相同容量的閃存芯片相比，
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V-NAND 閃存 三星
NAND 閃存用于各種消費和工業產品，從筆記本電腦和手機到工業機器人、醫療設備和嵌入式物聯網設備，如傳感器和控制器。 在我們日益互聯的世界中，這些應用程序中的所有脆弱點都需要足夠和強大的安全措施，包括數據存儲系統。 因此，在選擇或設計 NAND 閃存存儲系統時，必須確保存儲器的安全性滿足應用程序的要求。執行現代安全技術需要足夠的處理能力。 作為存儲系統的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個存儲系統所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見的硬件和軟件技術，有助于告知讀
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存儲系統 數字安全 海派世通 NAND
近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發業界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業績發表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發言是針對可能性極低的極端情況作出的現場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
臺積電10月27日宣布，成立開放創新平臺（OIP）3D
Fabric聯盟以推動3D半導體發展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創意電子、IBIDEN、西門子、Silicon
Creations、矽品精密工業、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據悉，3DFabric聯盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術，使得他們能夠與臺積電同步開發及優化解決方案，也
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臺積電 三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric
- 長期批量供應協議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應用開發 VCSEL 技術- 進一步加強 IQE 作為 3D 傳感市場領導者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團”），全球領先的化合物半導體晶圓產品和先進材
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IQE VCSEL 3D 傳感
西門子數字化工業軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路（IC）關鍵可測試性設計（DFT）。隨著市場對于更小巧、更節能和更高效能的IC需求日益提升，IC設計界也面臨著嚴苛挑戰。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰，因為大部分傳統的測試方法都是基于常規的2D流程。為了解決這些挑戰，西門子推出Tess
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西門子 2.5D 3D 可測試性設計
10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優勝獎，實現多個項目上金牌和獎牌零的突破?！ ”敬翁貏e賽韓國賽區比賽于10月12日開幕，共舉行8個項目的比賽，吸引了來自34個國家和地區的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐?！ ∑渲?，來自廣州市工貿技師學院的選手楊書明獲得移動應用開發項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者?！ 碜陨钲诩紟煂W院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數字游戲藝術項目、云計算項目金牌，實現我國在這兩個項目上
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世界技能大賽 3D 云計算
SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協商，確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應，進而維持在中國的生產經營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續生產半導體產品的協商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力。”美國商務部先前于10月7日發布稱，將限制用于在中國生產18納米以下
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SK海力士 DRAM NAND
如何開發出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存產品，這是美光研發工程師每天都要應對的挑戰。隨著各國對數字化轉型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創新變局。這些變化體現在異構計算、邊緣計算、數據中心、金融系統實時大數據更新，以及移動設備、消費電子、汽車信息娛樂系統帶來智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術為這些高性能存儲應用環境提供了可能。優秀的架構，高效優化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構，通過增加NAN
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美光 232層 NAND 存儲技術
疫情突顯產業供應鏈中斷和制造業缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業快速轉型，走向更自動化、數字化的智能化方向。因此，各產業對自動光學檢測(AOI)技術的需求更為殷切。疫情突顯產業供應鏈中斷和制造業缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業快速轉型，走向更自動化、數字化的智能化方向。導入自動化及AI的過程中，傳統人力逐漸被取代，也改變產線人員配置的傳統生態，其中，可以確保產線及產品質量的自動檢測儀器不僅發揮精準有效的優勢，還能針對缺陷或瑕疵及時修復、舍棄，降低不必要的時間成本與人力成本，快速穩定且
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自動光學檢測 AOI AI 3D 檢測鐵三角
西門子數字化工業軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯華電子 (UMC) 合作，面向聯華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現多個組件功能。相比于在 PCB
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西門子 聯華電子 3D IC 混合鍵合流程
根據集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價格跌幅達30～35％，但各類NAND Flash終端產品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價格大跌，多數原廠的NAND Flash產品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營陷入虧損的壓力下，對于采取減產以降低虧
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集邦 NAND Flash
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