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        3d晶體管 文章 最新資訊

        下一代3D晶體管,邁出重要一步

        • 通過將原子厚度的 2D 半導(dǎo)體集成到 3D 架構(gòu)中,為節(jié)能電子產(chǎn)品帶來更多可能性。
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        英特爾 VS 三星 VS 臺積電,愈演愈烈

        • 隨著平面縮放優(yōu)勢的減弱,三維領(lǐng)域和新技術(shù)的代工競爭愈演愈烈。
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        一文看懂3D晶體管

        •   隨著半導(dǎo)體制程工藝的發(fā)展,硅晶體管的局限逐漸被顯現(xiàn)出來,為了摩爾定律繼續(xù)生效,業(yè)界推出了3D晶體管的的定義,而談到3D晶體管,就不能不談Intel的Tri-Gate晶體管和臺積電的FinFET制程。我們來深入了解一下吧。   讓硅半導(dǎo)體導(dǎo)電   硅半導(dǎo)體的特性就是它不導(dǎo)電,讀者們一定要問如果它不導(dǎo)電那我們的芯片難不成是米糕做的?答對了,就是米糕!   水電工前輩們知道硅結(jié)晶呈現(xiàn)了很穩(wěn)定的四價鍵結(jié)構(gòu),所以晶體之中沒有什么自由電子活動空間,如果沒有外力填充電子進(jìn)去或者填充電洞進(jìn)去是沒什么機(jī)會導(dǎo)電的。
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        移動芯片大比拼之工藝制程分析

        • 高通、三星、聯(lián)發(fā)科等廠商大家是耳熟能詳。而您知道嗎,移動通信領(lǐng)域的競爭是建立在核心通信芯片技術(shù)的發(fā)展上,更是建立在底層半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展上,而技術(shù)的更新?lián)Q代才能催生芯片的不斷優(yōu)化升級,讓我們了解下支撐芯片廠商的巨人——專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司及其工藝制程吧......
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        元器件入門分享之3D晶體管基礎(chǔ)知識大放送

        • 一、3D三維晶體管的概念3D三維晶體管,從技術(shù)上講,應(yīng)該是三個門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭(fin)所...
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        英特爾開始為一線芯片廠代工:下單或瞄準(zhǔn)蘋果

        •   2月26日,英特爾宣布將利用即將推出的14納米3D晶體管技術(shù)為芯片廠商Altera代工可編程芯片,這也是英特爾迄今為止簽訂的最引人關(guān)注的代工協(xié)議。   “這向我們期望中的業(yè)務(wù)水平邁出了一步。毫無疑問,代工今后將成為一項重要業(yè)務(wù)。”英特爾代工業(yè)務(wù)副總裁兼總經(jīng)理桑尼特·里克希(Sunit Rikhi)說。   為一線客戶代工   芯片廠商Altera是可編程芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商,年銷售達(dá)到40億至50億美元,過去曾是臺灣芯片代工廠商臺積電的前五大客戶。雙方合作關(guān)系
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        英特爾深入探討3D晶體管、Ultrabook關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)

        • 英特爾初步揭示了22nm工藝技術(shù),它采用了眾所期盼的3D晶體管設(shè)計──稱之為三柵極──自2002年起英特爾便一直就該技術(shù)進(jìn)行開發(fā)。而在本周的IDF中,英特爾預(yù)計將公布更多有關(guān)首款22nm芯片的細(xì)節(jié),該芯片預(yù)計今年底可進(jìn)
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        未來處理器基石! 3D晶體管讓摩爾定律延續(xù)

        • 眾所周知,從1965年至今,摩爾定律主導(dǎo)了半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。半導(dǎo)體芯片工藝水平以驚人的速度提高,帶給我們愈發(fā)精彩的IT生活。但是,行至現(xiàn)今,摩爾定律面臨著嚴(yán)重挑戰(zhàn)。未來處理器的發(fā)展,究竟如何讓摩爾定律延續(xù)?
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        3D晶體管未必是英特爾在移動市場的“救命稻草”

        •   英特爾(Intel)日前大動作地發(fā)表了其年度科技大突破,號稱其3D三閘(Tri-Gate)晶體管技術(shù),將可望為其進(jìn)軍行動處理器市場,鋪下一條平坦大道,但根據(jù)ZDNet網(wǎng)站引述市調(diào)研究機(jī)構(gòu)Gartner分析師的意見指出,英特爾在通訊技術(shù)方面的發(fā)展,屢戰(zhàn)屢敗,這對于英特爾企圖稱霸智能型手機(jī)市場處理器的雄心,可說是一大挑戰(zhàn)。   
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        ARM:不懼怕Intel 3-D晶體管

        •   Intel上周宣布了革命性的3-D Tri-Gate三柵極晶體管技術(shù),“重新發(fā)明晶體管”的說法雖有夸張但也令人贊嘆。對此,作為老對頭的AMD還沒有做出任何回應(yīng),不過近來勢頭兇猛的ARM倒是發(fā)言了。ARM市場部執(zhí)行副總裁Ian Drew表示:“對我們來說,這一宣布并沒什么意外,因為我們都知道,整個產(chǎn)業(yè)也都明白,Intel已經(jīng)在這種技術(shù)上工作了很多年。你必須時刻緊盯競爭對手,但我們相信ARM生態(tài)系統(tǒng)的力量足夠與之競爭。”   
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        業(yè)界不懼英特爾3D晶體管來勢洶涌

        •   英特爾(Intel)于日前宣布芯片設(shè)計創(chuàng)新,外界認(rèn)為,主要是為擺脫英國芯片大廠ARM的威脅。ARM對英特爾在微處理器行業(yè)的統(tǒng)治地位構(gòu)成挑戰(zhàn)。   銷售收入居全球第1的芯片生產(chǎn)商英特爾,于5日公布最新3D三閘晶體管技術(shù)。該公司估計,此設(shè)計有望讓自己領(lǐng)先競爭對手3年。  
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        臺積電:成本下降構(gòu)架成熟后會導(dǎo)入3D晶體管

        •   英特爾日前宣布完成芯片技術(shù)重大突破,將導(dǎo)入三維晶體管的芯片技術(shù)在22 納米制程生產(chǎn)新款微處理器。臺積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義對此表示,在成本下降、上下游技術(shù)架構(gòu)建立后,臺積電即會導(dǎo)入三維晶體管。   
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        臺積電稱3D晶體管技術(shù)基礎(chǔ)條件尚不成熟

        •   臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,簡稱:臺積電)周四表示,在2D芯片容量達(dá)到極限之前,公司不會啟用3D晶體管技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體,而且3D技術(shù)的基礎(chǔ)條件尚不成熟。   
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        英特爾發(fā)布3D晶體管技術(shù)延伸摩爾定律

        •   當(dāng)蘋果的iPad與iPhone拿在手里時,感覺如今的生活在移動中變得非常方便。然而蘋果公司是全球半導(dǎo)體業(yè)中的最大客戶,估計它在2011年中會消耗掉200億美元的半導(dǎo)體,約占整個半導(dǎo)體市場需求的6%。此外,大約70%的蘋果公司芯片需求或折算約140億美元的市場需求都是采用NAND閃存、DRAM以及先進(jìn)邏輯芯片,所以僅蘋果公司一家的芯片需求大約需要兩到三個大型的晶圓廠來完成。 
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        英特爾3D晶體管芯片將先在美國和以色列量產(chǎn)

        •   英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必杰昨天透露,英特爾內(nèi)部目前具備22納米、3維晶體管芯片生產(chǎn)能力的工廠有5個,它們分別是在美國俄勒岡州的試驗線D1D和D1C,在美國亞利桑那州的Fab-12和Fab-32,以及在以色列的Fab-28。  
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        3d晶體管介紹

        英特爾下一代處理器技術(shù)將基于3D晶體管,英特爾稱之為3D晶體管,但從技術(shù)上講,這是三門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭所取代,硅鰭由硅基垂直伸出。 [ 查看詳細(xì) ]

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