英特爾發布3D晶體管技術延伸摩爾定律

　　當蘋果的iPad與iPhone拿在手里時，感覺如今的生活在移動中變得非常方便。然而蘋果公司是全球半導體業中的最大客戶，估計它在2011年中會消耗掉200億美元的半導體，約占整個半導體市場需求的6%。此外，大約70%的蘋果公司芯片需求或折算約140億美元的市場需求都是采用NAND閃存、DRAM以及先進邏輯芯片，所以僅蘋果公司一家的芯片需求大約需要兩到三個大型的晶圓廠來完成。

　　這一切說明半導體的應用市場需求仍在不斷的擴大，反映半導體業的前景是毋須擔憂的。

　　英特爾的特殊貢獻

　　推動產業進步的摩爾定律象一盞明燈，讓產業界義無反顧地追隨定律前行。每兩年前進一個技術臺階，幾乎無一失手，如2007年是45納米，2009年是32納米，今年應該是22納米。

　　那么誰是定律的真正推手?無疑是英特爾。

　　因為按ITRS半導體工藝路線圖，在2007年45納米時，英特爾就發布了高k/金屬柵技術,可以看作是晶體管組成材料的一次革新，用高k材料來替代傳統的SiO2，讓定律又延伸了10-15年。今天英特爾又發布3D晶體管結構，使傳統的晶體管二維結構變成三維，應該是半導體工藝技術中又一次重大的革命。

　　每當關鍵的時刻，英特爾總是走在前列。

　　什么是3D晶體管?

　　英特爾稱之為3D晶體管，從技術上講，應該是三個門晶體管。傳統的二維門由較薄的三維硅鰭(fin)所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。

　　門包圍著硅鰭。硅鰭的三個面都由門包圍控制，上面的頂部包圍一個門，側面各包圍一個門，共包圍三個門。在傳統的二維晶體管中只有頂部一個門包圍控制。英特爾對此作了十分簡單的解釋：“由于控制門的數量增加，晶體管處于‘開’狀態時，通過的電流會盡可能多;處于‘關’狀態時，電流會盡快轉為零，由此導致能耗降至最低。而且晶體管在開與關兩種狀態之間迅速切換能夠顯著的提高電路性能。

　　業界對于英特爾將采用的技術節點也有諸多猜測。英特爾的22nm制程將基于英特爾的第三代high-k/金屬柵方法，它使用銅互連、low-k、與32nm相同，英特爾采用193nm浸液式光刻技術。然而英特爾表明將延伸bulk CMOS的工藝制程，但是不會采用完全耗盡型(fully-depleted)──或稱為超薄硅絕緣體(SOI)技術。