- AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對手NVIDIA的產品相匹敵，因此不少人覺得雙方的競爭會拉低顯卡價格。但是，分析師卻并不這么認為。
日本瑞穗金融集團分析師Vijay Rakesh認為，NVIDIA顯卡在下季度不僅會需求高漲，銷量可能也會超過預期30-50%之多。但這些需求增長并非來自于游戲玩家，而是加密貨幣礦工。
由于需求增長幅度如此之高，供應鏈也遭遇了非常大的壓力，因為制造顯卡所需的DRAM已經開始出現短缺。根據行業研究公司ICInsight的預計，DRAM的每比特價格將提高40%，
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顯卡 DRAM
- 聯電和兩名員工遭到內存大廠美光指控妨礙營業秘密，并遭到臺中地檢署起訴，共同總經理簡山杰認為是遭到「商業間諜」構陷入罪，但強調DRAM計劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術開發。
聯電DRAM項目主要與福建晉華合作。
簡山杰表示，對于司法中的案件原本不應多言，但聯電極有可能碰到所謂的「商業間諜」，高度懷疑「帶槍投靠」是假的，可能「構陷入罪」才是真。 簡山杰質疑，主要涉案員工夫婦本來都在美光上班，其中先生去年4月主動跳槽聯電;據說，遭檢方搜索以后，妻子就被美光停職;涉案人全數認罪后，妻子就復
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晉華 DRAM
- 員工有無竊取機密資料可以查證，企業有無教唆員工偷竊，也可以透過證據來佐證，但如何定義一家企業“積極”與“未積極”防范∕規范員工的行為，這十分兩難。
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DRAM 存儲器
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業以2兆日圓出售給由美國私募股權業者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯盟，，由于此出售案較預期延宕，對于NAND Flash市場的產能影響，預期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產能與技術上力拼三星。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯盟成員中包括日本政府支持的產業革新機構(INCJ)財團、
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3D NAND 東芝
- 你如果問當前內存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內存市場,當前都處于供不應求的狀態。不過,在內存天下三分的大背景下,新一代存儲技術3D X-point、MRAM、RRAM等開始發出聲音, RRAM非易失性閃存技術是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發展進程已經超越了英特爾的3D X-point技術, Crossbar公司市場和業務拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術研討會上接受與非網的采訪時說:&ldquo
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RRAM DRAM
- 聯電日前與大陸福建晉華合作開發DRAM技術的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術帶到聯電任職，不只是員工個人被起訴，聯電也被臺中地檢署根據違反營業秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營業秘密”，因此視為共犯。
我們可以從三大層面來探討聯電和大陸合作開發DRAM技術的案子。第一，臺灣半導體產業在這個合作案當中，損失了什么?;第二，聯電在建立DRAM自主技術的過程中，有無竊取美光技術?;第三，如果企業沒有教唆員工竊密，只因為“未積極防范&rdqu
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DRAM 聯電
- 隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續在下半年召開針對明年產能規劃的年度戰略會議，根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續且穩定的獲利也將是明年首要目標，預估2018年DRAM產業的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%，供給吃緊的態勢將延續。
DRAMeXchange研究協理吳
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DRAM
- 隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續在下半年召開針對明年產能規劃的年度戰略會議，根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續且穩定的獲利也將是明年首要目標，預估2018年DRAM產業的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%，供給吃緊的態勢將延續。
DRAMeXchange研究協理吳
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DRAM 美光
- 世界集成電路三強：英特爾，三星，高通。光是高通和英特爾兩家，每年就能帶給美國八九百億美元的營收，養活數萬美國工程師，還能帶來一百多億美元的凈利潤。中國的經濟升級最大的兩個領域是汽車制造工業和集成電路工業。未來怎樣能在這兩個超級產業完成逆襲？
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芯片 DRAM
- DRAM存儲器是有史以來價格波動最劇烈的IC產品。下圖是DRAM波動性強的又一例證， 自2016年7月16日至2017年7月17日，短短一年時間，DRAM價格已經翻了一番還要多。市場調研機構IC Insights表示，2017年DRAM單位存儲價格(price per bit)漲幅將超過40%，為史上最高。
僅僅一年前，DRAM采購商還在盡可能利用產能過剩狀況來向DRAM制造商壓價，根本不管DRAM制造商在這樣低價合同上會賠多少錢。現在，DRAM制造商正在“復仇”，不斷漲
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DRAM 海力士
- 大陸半導體業發展進程在歷經萌芽期、自力更生的初創時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發引進時期、全面布局的重點建設時期、高速發展期等階段之后，2014年迄今持續處于黃金發展期，當中2014年6月國務院發布的《國家集成電路產業發展推進綱要》、國家集成電路大基金，更成為中國半導體業發展最大的轉捩點。
爾后不論是中國制造2025、十三五規劃等新世紀發展戰略的帶動，或是2017年1月工業和資訊化部、國家發改委正式宣布《資訊產業發展指南》，確定集成電路等九大資訊產業將是
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半導體 DRAM
- 美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示，未來兩季DRAM仍是供不應求，產業仍處于健康穩定狀態。
他強調，美光在上季公布財報時也預估本季營收和獲利展望，同時看好DRAM和儲存型閃存(NANDFlash)未來營運表現。目前DRAM和NANDFlash需求非常強勁，但供應端產能提升的速度仍無法滿足市場需求，預估未來兩季，DRAM仍供不應求，產業處于健康狀態。
艾倫指出，美光目前在DRAM的投資策略，著眼于制程技術推進，短期內不會增建新廠。目前其他二家主要DRAM制造大廠，包括三星、SK海力士，也是
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美光 DRAM
- 中國臺灣地區DRAM大廠華邦電5日宣布，在南科投資新廠的計劃已經獲得臺灣科技部科學工業園區審議委員會的核準，總投資金額達新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說，建廠時間預計3年的情況下，則新廠2020年將可進入投產。
華邦電為臺灣地區的DRAM大廠，目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產能約4.3萬片，2017年年底將擴增至4.8萬片，2018年底則擴增到5.3萬片。未來，最大的擴充能量到5.5萬片時就已經將當前臺中廠的剩余空間給全部用光。
因此，面
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華邦電 DRAM
- 與美國在半導體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現在人材，技術等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產業大環境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。
01引言
近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。
此次中國半導體業的“奮力突圍”，有兩層意義：
一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。
另一個是西方千方百計的阻礙中國半導體業的進步
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NAND DRAM
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