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        3d dram 文章 最新資訊

        中國半導(dǎo)體裝備企業(yè)自強(qiáng)之路仍充滿艱辛

        • 現(xiàn)階段,由于我國發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)的時機(jī)與全球不同步,并釆用國家資金為主來推動,遭到了西方部分從業(yè)者的質(zhì)疑。再加上近期投資越來越大更是進(jìn)一步引起了美國、韓國、日本等先進(jìn)國家的關(guān)注。
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

        存儲“芯”動態(tài):美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能

        •   多數(shù)手機(jī)以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版,而不同版本之間的差價可達(dá)到幾百元,這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。   半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產(chǎn)品 DRAM,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據(jù),且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例,2016年第一季度,DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù),而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、
        • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

        存儲器產(chǎn)品供應(yīng)持續(xù)吃緊 下半年價格依然看漲

        •   隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大,及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增,今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò),在供應(yīng)持續(xù)吃緊下,各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價格依然看漲。   南亞科總經(jīng)理李培瑛說,第2季DRAM市場狀況穩(wěn)定,下半年需求將比上半年好,對第3季并不悲觀。 聯(lián)合報(bào)系數(shù)據(jù)照   需求增加,供應(yīng)端產(chǎn)能卻未同步增加,導(dǎo)致半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶、動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)、儲存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來出現(xiàn)罕見同時供應(yīng)吃緊的情況。   隨著時序逐漸步入傳統(tǒng)旺季,加上短時間新產(chǎn)能
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

        手機(jī)終于躍居半導(dǎo)體最大應(yīng)用出海口

        •   多年來,個人計(jì)算機(jī)(PC)一直是半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用市場,但由于近年來PC市場出貨量成長乏力,相關(guān)半導(dǎo)體市場的成長速度也跟著牛步化。 據(jù)IC Insights最新報(bào)告指出,PC應(yīng)用將在2017年失去半導(dǎo)體最大應(yīng)用出海口的寶座。 手機(jī)則可望正式超越PC,成為芯片產(chǎn)品最大的應(yīng)用市場。   整體來說,受惠于DRAM與閃存價格居高不下,不管是PC或智能型手機(jī)的半導(dǎo)體市場規(guī)模,未來幾年都將呈現(xiàn)成長格局。 但由于PC出貨量連年緩步下滑,短期間內(nèi)不見轉(zhuǎn)機(jī),因此手機(jī)市場雖然也遇到成長高原期,手機(jī)芯片銷售額仍可望拉開與
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

        第三季度服務(wù)器DRAM合約價續(xù)揚(yáng),預(yù)估季增3%~8%

        •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,由于內(nèi)存供應(yīng)吃緊態(tài)勢尚未改變,今年第一季合約價上揚(yáng)近四成,第二季合約價更進(jìn)一步上揚(yáng)約一成水位;放眼第三季,出貨至一線廠的32GB服務(wù)器模組價格將來到260美元大關(guān),二線廠更會高于此價格水位,使得整體第三季價格將會持續(xù)季增3%~8%的幅度。   DRAMeXchange分析師劉家豪指出,受到服務(wù)器內(nèi)存的傳輸帶寬支持從2133MHz與2400MHz更進(jìn)一步提升到2666MHz,且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注,下半年單機(jī)容量上的提升與
        • 關(guān)鍵字: 服務(wù)器  DRAM  

        3D電影比比皆是,你真的懂3D是什么原理嗎?

        • 3D電影現(xiàn)在比比皆是,相必大家都不陌生了吧,但是你知道3D的原理嗎?不知道的話,就隨小編一起來學(xué)習(xí)一下吧~~~
        • 關(guān)鍵字: 3d原理  3D  

        基于3D帽舌助宇航員進(jìn)行太空手術(shù)

        • 近日科學(xué)家為身在國際空間站或者執(zhí)行火星任務(wù)的宇航員研發(fā)了一種虛擬現(xiàn)實(shí)3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現(xiàn)實(shí)世界之上的虛擬圖像,后者能夠輔助宇航員獨(dú)自進(jìn)行外科手術(shù)治療疾病。
        • 關(guān)鍵字: 3D  太空手術(shù)  創(chuàng)新技術(shù)  

        基于3D全息投影技術(shù)助力遠(yuǎn)程醫(yī)療

        • 加拿大皇后大學(xué)人類媒體實(shí)驗(yàn)室研究員研發(fā)成功的“TeleHuman”3D全息投影設(shè)備,能將科幻片中經(jīng)常出現(xiàn)的3D虛擬投影變成現(xiàn)實(shí)。這款設(shè)備開發(fā)本意就是用3D全息影像來代替現(xiàn)有的平面視頻會議.
        • 關(guān)鍵字: 3D  全息投影技術(shù)  遠(yuǎn)程醫(yī)療  

        移動通信發(fā)展與天線技術(shù)的創(chuàng)新

        • 隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長,移動寬帶技術(shù)不斷向前演進(jìn)。移動寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年,全球移動用戶連 接數(shù)預(yù)計(jì)將達(dá)到70億,覆蓋全球96%以上的人口,其中3G和4G移動用戶連接數(shù)之和也將達(dá)到24億,占據(jù)全球總量的三分之一以上。這些數(shù)據(jù)表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長。
        • 關(guān)鍵字: 移動通信  天線技術(shù)  創(chuàng)新  3D-MIMO  波束智能賦型  

        如何玩轉(zhuǎn)DDR?要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

        • 差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設(shè)計(jì),但大家對CK#(CKN)的作用認(rèn)識很少,很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘,其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時鐘校準(zhǔn)的作用。
        • 關(guān)鍵字: DDR  差分時鐘  DRAM  DDR2  

        存儲“芯”動態(tài):美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能

        •   多數(shù)手機(jī)以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版,而不同版本之間的差價可達(dá)到幾百元,這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。        半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產(chǎn)品 DRAM,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據(jù),且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例,2016年第一季度,DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù),而NAND Flash市場幾乎全
        • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

        微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

        •   量子計(jì)算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地,IBM、谷歌都涉獵其中。   現(xiàn)在,微軟也要在量子計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。   半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作,雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng),為未來的量子計(jì)算機(jī)服務(wù)。   Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱,與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率,并且降低功耗。   同時,高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行,從而確保整個存儲系統(tǒng)在
        • 關(guān)鍵字: 微軟  DRAM  

        第一季PC DRAM合約價格上漲約三成

        •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看,由于去年第四季嚴(yán)重供不應(yīng)求,多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價以確保供貨穩(wěn)定,使得第一季合約價再度上漲超過三成,亦帶動其他內(nèi)存類別同步上揚(yáng),如服務(wù)器內(nèi)存在第一季的價格上揚(yáng)也相當(dāng)可觀,移動式內(nèi)存價格也有近一成的漲幅。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察,原廠產(chǎn)能增加的效應(yīng)最快在
        • 關(guān)鍵字: DRAM  

        3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

        •   DIGITIMES Research觀察,2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇,透過3DNAND Flash制程,無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。   3D NAND Flash依存儲元件儲存機(jī)制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
        • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  3D NAND  

        麥格理分析師:DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

        •   據(jù)外媒報(bào)道,存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音,麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。   他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲,有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。   據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo),Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說:「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預(yù)期更強(qiáng)。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。   整體來說,Daniel Kim認(rèn)為芯片價格上漲,即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。   他指出,建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
        • 關(guān)鍵字: DRAM  Flash  
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        3d dram介紹

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