聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠 規劃每月4萬片產能

　　中國臺灣地區DRAM大廠華邦電5日宣布，在南科投資新廠的計劃已經獲得臺灣科技部科學工業園區審議委員會的核準，總投資金額達新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說，建廠時間預計3年的情況下，則新廠2020年將可進入投產。

　　華邦電為臺灣地區的DRAM大廠，目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產能約4.3萬片，2017年年底將擴增至4.8萬片，2018年底則擴增到5.3萬片。未來，最大的擴充能量到5.5萬片時就已經將當前臺中廠的剩余空間給全部用光。

　　因此，面對未來的營運成長，興建新廠成為不得不做的準備。在相關人員查看過南科路竹基地的土地之后，希望可以取得25公頃規模來建廠，于是華邦電在2017年6月底向經濟部補件遞交計劃書，現在終于獲得相關單位的同意。

　　華邦電表示，目前公司正致力于轉型為利基型存儲器解決方案供應商，近年持續穩定獲利，轉型效益顯著。華邦電在營運成長之際，隨著物聯網等未來趨勢之新興需求不斷崛起，尋求下一階段成契長機，秉持重視臺灣在地投資的理念，向園區提出投資設立新廠案，希望進一步深耕臺灣產業發展。

　　未來將依董事會通過時程公告建廠及產能規劃相關事宜，亦密切觀察市場動態與供需情況，以穩健腳步審視產能配置，期以充沛產能滿足客戶需求。

　　之前華邦電董事長焦佑鈞曾經表示，關于新建廠的計劃，原本一點也不急。不料，當前臺中12寸廠產能在市況好的情況下，很短的時間內就擴產完畢，而且還不敷使用。再加上因為缺工的因素下，新建廠從動工到試產要花3年的時間，光是土建就要花上20個月。所以，最快必須在當下就決定落腳處，不然時間將會來不及。

　　而根據《科技新報》獨家掌握到的消息指出，未來華邦電南科新廠的產能將規劃為每月達4萬片，以因應目前市場上的需求。而且，近期華邦電就將在董事會上通過該項投資的各項內容，另外預計還進行特定對象的私募增資計劃。據了解，該私募計劃已經獲得國際性半導體大廠的青睞，預計屆時將參與該項華邦電的私募。

　　未來，由于有該國際性半導體大廠的加入，使得華邦電的產品有了穩定的出海口之后，可能會進一步驅動縮短建廠的時程。據了解，如果一切順利，未來期望藉由新廠的土建時期，就逐步先行導入生產設備，并先利用臺中廠的有限空間，再逐漸將部分設備安裝到位。之后，隨著新廠完成興建，再將設備陸續搬遷至新廠中，以期能縮短其中所必須消耗的測試時間，希望能提早產品進入市場的時間。

　　至于新廠制程計劃，主要是為了因應2020年之后需求，生產線將以20納米世代制程DRAM為主體，也可望建置3x納米NAND/NORFlash產能。

　　華邦電總經理詹東義日前指出，臺中廠產能不足且Flash需求強勁，DRAM及Flash的生產設備不同，今年擴產都以Flash為主，目前臺中廠DRAM制程已可支援3x/2x納米，但投資金額很大，反而是擴充Flash產能的投資效益較好，臺中廠的擴產以投資報酬率(ROI)最大化為主軸。但長期來看，華邦電需要興建新晶圓廠，DRAM產能限制才能移除。

　　華邦電的DRAM制程下半年將開始導入38納米，低容量NANDFlash目前采用46納米生產1～2Gb容量芯片，后續進行制程微縮后可望進入32納米世代，至于NORFlash制程以46/58納米為主。設備業者預期，華邦電新廠應可在2020年進入量產，以制程推進來看，新廠將會以20納米世代制程DRAM產線為主軸，NAND/NORFlash則會建置3x納米產能，后續再視情況建置2x納米生產線。