臺專家：中國半導體發展模式的探討

　　大陸半導體業發展進程在歷經萌芽期、自力更生的初創時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發引進時期、全面布局的重點建設時期、高速發展期等階段之后，2014年迄今持續處于黃金發展期，當中2014年6月國務院發布的《國家集成電路產業發展推進綱要》、國家集成電路大基金，更成為中國半導體業發展最大的轉捩點。

　　  爾后不論是中國制造2025、十三五規劃等新世紀發展戰略的帶動，或是2017年1月工業和資訊化部、國家發改委正式宣布《資訊產業發展指南》，確定集成電路等九大資訊產業將是發展重點，均顯示官方對于半導體業的支持力道并未減弱，且仍持續進行中。

　　  至于在半導體發展模式的選擇上，如果參考全球主要供應國的經驗，過去美國、日本、韓國、臺灣地區皆有所不同，以美國來說，其可稱為創新引領的模式，也就是美國從軍工時代、PC時代、智慧型手機時代，均以創新的研發技術取得先發者的優勢，迄今仍坐穩全球第一大半導體供應國的角色;

　　  日本則是消化吸收、自主創新的模式，可謂是1970～1990年家電產業繁榮時最強的半導體后發崛起者;韓國為集中式發展、品牌化超越的模式，主要由大財團或大企業來主導，特別是打造存儲器王國，2017年第二季韓國在全球行動式記億體、DRAM、NANDFlash的市占率分別高達83.2%、73.5%、45.5%;

　　  臺灣地區則是走獨步全球的專業分工模式，在2017年全球半導體產值排行中，僅次于美國位居第二，超越韓國、日本、歐洲、中國大陸、新加坡，這個國際領先地位與重大成就是臺灣地區的驕傲。

　　  事實上，中國大陸半導體的發展模式正透過「設計+晶圓代工+封測」和「記憶體」兩條線并進的方式進行國產化趨勢，前者是學習臺灣地區模式從晶圓代工切入，「晶圓代工+封測」形成虛擬IDM，并進一步孵化整合集成設計公司，后者是學習韓國模式從記憶體切入，采用IDM模式，希望未來抓住3DNANDFlash技術升級的機遇。

　　  首先，大陸半導體遵循的「設計—制造—封裝」產業鏈孵化方式，近年來已有所成效，且隨著結構調整效果的浮現，大陸集成電路產業結構正不斷優化中，意即產業持續往上游高附加價值的部分來發展，大陸集成電路設計占整體集成電路比重從2006年18%上升至2017年上半年的38%;

　　  反觀半導體封裝及測試在大陸集成電路產業占比從2006年的51%下降至2017年上半年的36%;至于集成電路制造業2017年上半年占整體集成電路產業比重則為26%的水準;顯然大陸集成電路設計業、半導體封裝及測試業比重一長一消的比重變化趨勢仍持續，代表大陸集成電路產業結構正在向技術含量較高的方向發展。

　　  至于中國半導體第二條發展路徑--學習韓國模式從記憶體切入，雖然2015～2016年布局情況似完整，也就是中國發展存儲器制造業有三大主力，包括以紫光與武漢新芯為首的陣營，將主力發展DRAM、NORFlash、3DNANDFlash等產品，亦有以利基型DRAM為發展重心的福建晉華，更有專攻DRAM的合肥市政府;

　　  但受制于國際大廠布下綿密的專利網，且力阻大陸進行海外存儲器廠的購并，在無技術授權來源、人才短缺之下，大陸存儲器事業要從0走到1仍顯困難，紫光國芯宣布暫停整并長江存儲似乎透露端倪，意謂2018年大陸即將進入存儲器量產的時程恐有疑慮，未來對岸如何完成最后半導體的一塊拼圖，各界都相當關注。