據北京亦莊官微消息，近日，由北京顯芯科技有限公司（以下簡稱“顯芯科技”）參與研制的全球首款28nm內嵌RRAM（阻變存儲器）畫質調節芯片在京量產，并成功應用于國內頭部客戶的Mini LED高端系列電視中，標志著我國顯示類芯片達到新的半導體工藝高度。據相關負責人介紹，當前全球半導體頂尖工藝已經來到2nm時代，但對于半導體顯示來說，綜合考慮成本問題，28nm是目前國內工藝的天花板。畫質調節芯片要求集成各種補償算法，開發難度高，制造要求先進邏輯制程，是顯示芯片品類國產化率最低的產品之一。為推動中國芯片國產化進展
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顯芯科技 28nm RRAM 阻變存儲器
近日，悅芯科技和睿科微達成戰略合作，成功開發了國內首個基于睿科微RRAM IP的芯片量產測試方案，并已正式進入量產。據介紹，悅芯科技的T800 SOC測試平臺具備的Memory Test
Option功能，為RRAM芯片的量產提供了堅實的技術支持。在首顆RRAM芯片量產成功的基礎上，悅芯科技將繼續支持多款RRAM
IP芯片的量產，為客戶提供高性能、可靠的完整量產測試解決方案。悅芯科技的T800
SOC自動測試設備以模塊化設計為主要特色，為不同類別的IC器件提供針對性的測試模塊，實現在單一平臺上
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新型存儲 RRAM
【2022年12月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和臺積電近日宣布，兩家公司準備將臺積電的可變電阻式記憶體制程技術引入至英飛凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。??自首個發動機管理系統問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元（ECU）的主要構建模塊。這些微控制器是打造綠色、安全和智能汽車所不可或缺的組成部分，被應用于驅動系統、車輛動態控制、駕駛輔助和車身應用中，助力汽車領域在電氣化、全新電子電氣（E/E）架構和
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英飛凌 臺積電 RRAM 汽車微控制器
11月25日，英飛凌和臺積電宣布，兩家公司正準備將臺積電的電阻式RAM（RRAM）非易失性存儲器（NVM）技術引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器（MCU），并將在臺積電的28納米節點上制造。自第一個發動機管理系統問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元(ECU)的主要構建塊。目前，市場上大多數MCU系列都基于嵌入式閃存技術（eFlash）技術。而RRAM是嵌入式存儲器的下一步，可以進一步擴展到28納米及以上。英飛凌AURIX TC4x MCU系列將性能擴展與虛擬化、安全和網絡功能的最新趨勢相
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臺積電 RRAM 入英飛凌 汽車MCU
存儲器的發展取決于應用場景的變化，當下智能化時代的迅速發展對存儲器提出了更高的要求，新型存儲器迅速成長。目前新型存儲器阻變存儲器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐漸受到市場重視。近日，英飛凌官方消息稱，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機存取存儲器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺積電的28納米節點上制造。當前，英飛凌基于臺積電28納米eFlash技術的Autrix
TC4x系列微控制器樣品已
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臺積電 英飛凌 存儲 RRAM
據英飛凌稱，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機存取存儲器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺積電的28納米節點上制造。雖然基于臺積電28納米eFlash技術的Autrix TC4x系列微控制器樣品已經交付給主要客戶，但基于臺積電28納米RRAM技術的第一批樣品將于2023年底提供給客戶。英飛凌表示，Autrix TC4x系列微控制器專為ADAS而設計，可提供新的E/E架構和經濟實惠的AI應用。嵌入式閃存微控制器自推出第一批發動機管理系統以來，就被用作
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英飛凌 汽車MCU RRAM
在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅使半導體產業轉向發展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁進的新興記憶體。
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存儲技術 MRAM RRAM PCRAM
FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。關于鐵電質下面的圖表解釋了PZT晶體結構，這種結構通常用作典型的鐵電質材料。在點陣中具有鋯和鈦，作為兩個穩定點。它們可以根據外部電場在兩個點之間移動。一旦位置設定，即使在出現電場，它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數據以
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RRAM
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice近日宣布，與領先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術簽署專利授權協議。同時，兆易創新還與其同Rambus 以及幾家戰略投資伙伴的合資企業—合肥睿科微（Reliance Memory）簽署了授權協議 。根據協議內容，兆易創新從Rambus和睿科微獲得180多項RRAM技術相關專利和應用，這將有助于兆易創新在新型存儲器RRAM 領域的前瞻性技術布局，從而為嵌入式產品提供更豐富的存儲解決方案。RRAM作為一種非
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協議 專利 RRAM
日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數據中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數據釋放價值，業界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現狀與發展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現出大容量、計算與存儲深度融合的發展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態隨機存儲器)
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憶阻器 RRAM
日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數據中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數據釋放價值，業界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現狀與發展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現出大容量、計算與存儲深度融合的發展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態隨機存儲器)
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RRAM DRAM
你如果問當前內存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內存市場,當前都處于供不應求的狀態。不過,在內存天下三分的大背景下,新一代存儲技術3D X-point、MRAM、RRAM等開始發出聲音, RRAM非易失性閃存技術是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發展進程已經超越了英特爾的3D X-point技術, Crossbar公司市場和業務拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術研討會上接受與非網的采訪時說:&ldquo
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RRAM DRAM
導語：上世紀中葉單晶硅和半導體晶體管的發明以及硅集成電路的研制成功，為后來的科技進步奠定了堅實的基礎。隨后，科研工作者們不斷探索，先后將多種新型材料引入該產業，才有了如今半導體產業的蓬勃發展。全世界都在尋找更優質半導體材料的道路上不曾止步，而一種新型二維材料的出現，或指明了未來存儲器的發展方向。
三維(3D)材料以其實用性好，加工簡便及成本低廉等特點一直在各大行業的占據著主導地位，而無論在科研界還是工業界，人們對二維材料的研究與應用卻始終屈指可數。我們知道所有物質的結構都是由原子在三維空間堆疊而
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RRAM 存儲器
物聯網的出現和人類生活對智能設備永不滿足的需求正驅動著傳統智慧在微控制器和嵌入式內存市場的徹底變革。
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RRAM 嵌入式存儲
阻變式存儲器(RRAM)技術的領導者Crossbar公司今日宣布正式進軍中國市場，并在上海設立新的辦事處。
Crossbar公司首席執行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業發展最快的市場，亦是絕大多數產品的制造基地。憑借我們在中國深厚的風投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業領先的技術，我們相信將在中國消費電子、企業、移動、工業和物聯網等市場掀起新一輪電子創新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使
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Crossbar RRAM
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