3d chiplet 文章 最新資訊
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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Achronix幫助用戶基于Speedcore eFPGA IP來構(gòu)建Chiplet
- 高性能FPGA芯片和嵌入式FPGA IP（eFPGA?IP）領(lǐng)域內(nèi)的先鋒企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司日前宣布：為幫助用戶利用先進的Speedcore eFPGA IP來構(gòu)建先進的chiplet解決方案，公司開通專用網(wǎng)頁介紹相關(guān)技術(shù)，以幫助用戶快速構(gòu)建新一代高靈活性、高性價比的chiplet產(chǎn)品， chiplet設(shè)計和開發(fā)人員可以透過該公司網(wǎng)站獲得有關(guān)Speedcore eFPGA IP的全面支持。中國客戶亦可以通過Achronix在中國的服務(wù)團隊得到同樣的支持。Speedcore??
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3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)
- 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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AI熱潮下，芯片制造商將芯片堆疊起來，就像搭積木
- 7月11日消息，人工智能熱潮推動芯片制造商加速堆疊芯片設(shè)計，就像高科技的樂高積木一樣。業(yè)內(nèi)高管稱，這種所謂的Chiplet（芯粒）技術(shù)可以更輕松地設(shè)計出更強大的芯片，它被認為是集成電路問世60多年以來最重要的突破之一。IBM研究主管達里奧·吉爾（Darío Gil）在接受采訪時表示：“封裝和Chiplet技術(shù)是半導(dǎo)體的未來重要組成部分。”“相比于從零開始設(shè)計一款大型芯片，這種技術(shù)更加強大。”去年，AMD、英特爾、微軟、高通、三星電子和臺積電等科技巨頭組成了一個聯(lián)盟，旨在制定Chiplet設(shè)計標準。英偉達，
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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泰瑞達亮相SEMICON China：解讀異構(gòu)集成和Chiplet時代下，測試行業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)
- 2023年7月3日，中國 北京訊 —— 全球先進的自動測試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達（NASDAQ:TER）宣布，受邀出席了SEMICON China 2023同期舉辦的“先進封裝論壇 - 異構(gòu)集成”活動。在活動中，泰瑞達Complex SOC事業(yè)部亞太區(qū)總經(jīng)理張震宇發(fā)表題為《異構(gòu)集成和Chiplet時代下，芯片測試行業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)》的精彩演講，生動介紹泰瑞達對于先進封裝，在質(zhì)量和成本之間找到平衡和最優(yōu)方案的經(jīng)驗和見解。 SEMICON China是中國最重要的半導(dǎo)體行業(yè)盛事之一，見證中國半導(dǎo)體制造業(yè)的茁
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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