- 臺積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過22nm全代制程，直接開發20nm半代制程技術。在臺積電公司日前舉辦的技術會展上，臺積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術細節，20nm制程將是繼28nm制程之后臺積電的下一個主要制程平臺，另外，20nm之后，臺積電還會跳過18nm制程。
根據臺積電會上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯技術，并仍然采用平面型晶體管結構，增強技術方面則會使用HKMG/應變硅和較新的“low-r”技術(即由銅+low-
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臺積電 光刻 28nm 22nm
- 臺積電董事長張忠謀在近來的多次演講中，皆提及未來 2011~2014年半導體產業呈現溫和成長態勢。惟晶圓廠之間先進制程技術競賽不停歇，臺積電甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西時間13日的臺積電技術論壇上，突然表態將跳過22奈米，直接切入20奈米，預計2012年第3季導入生產。雖然此舉是臺積電基于替客戶創造價值而作的決定，但外界認為，這也是為了拉大與競爭對手Global Foundries的技術差距。
延續張忠謀對先進制程的看法，臺積電研究發展資深副總經理蔣尚義隨后在會中的演講中表示，該公司將
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臺積電 22nm 晶體管
- 臺積電CEO兼董事長張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術會議上表示，臺積電將會和整個半導體產業一起，向14nm以下的制造工藝進軍。
張忠謀認為，2011-2014年間的全球半導體市場的發展速度不會很快，原因有很多，其中之一就是受摩爾定律制約，技術發展的速度會趨于緩慢。
張忠謀表示，2xnm時代眼下很快就要到來，1xnm時代也會在可預見的未來內成為現實，而臺積電或許無法在他的任期內走向1xnm，但肯定會竭盡全力將半導體制造技術帶向新的水平。
臺積電2010年間的資本支出預算高達48億美元，
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臺積電 22nm 28nm
- 去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發布相關產品。
當然了，新型半導體工藝的實現并不是Intel一家就能做到的，背后默默貢獻半導體設備的功臣卻往往不為人所知。Arete Research LLC公司的分析師Jagadish Iyer在一份報告中指出，Intel即將最終決定22nm光刻工藝設備的供應商，最終入圍的是荷蘭ASML Holding NV和日本尼康兩家。
其實在更早的45nm世代，ASML和尼康也曾雙
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晶圓 22nm
- GlobalFoundries位于德國Dresden的Fab 1正在啟動22nm CMOS工藝的開發，并計劃將該工藝投入量產。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。
此前，Fab 1被認為將作為45/40nm和32/28nm的主要生產工廠，而正在美國紐約州興建的Fab 8才作為22nm及以下工藝的生產地。
“22nm制程已在Fab 1開動，Fab 1將試產22nm，并投入部分量產。”Fab 1總經理Ud
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GlobalFoundries 22nm CMOS
- 半導體特征尺寸正在向22/15nm的等級不斷縮小，傳統的平面型晶體管還能滿足要求嗎?有關這個問題，業界已經討論了很久。現在，決定半導體制造技術發展方向的歷史拐點即將到來，盡管IBM和Intel兩大陣營在發展方式上會有各自不同的風格和路線，但雙方均已表態稱在15nm級別制程啟用全耗盡型晶體管(FD:Fully Depleted)技術幾乎已成定局，同時他們也都已經在認真考慮下一步要不要將垂直型晶體管(即立體結構晶體管)制造技術如三門晶體管，finFET等投入實用。
據In
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Intel 22nm 15nm
- IBM研究人員開發出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術，面向22nm及以下節點。
在IEDM會議上，IBM Albany研發中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應用。除了場效應管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。
該ETSOI技術包含了幾項工藝創新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構。
該技術部分依賴于近期SOI晶圓供應商推出了硅膜厚度為6nm的S
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IBM CMOS 22nm SOC
- 2010年， ASML將有5臺最先進的EUV設備整裝發往全球的5家客戶。業界傳言，最新的NXE3100系統將發送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設備出廠前，解決正在發生的問題，并預測著各種可能發生的問題及解決方案。
人們談論EUV的各種技術問題已歷時數年，因為其波長較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術，用其
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ASML EUV 22nm
- 最近芯片制造業各大巨頭連連作出合并動作，繼不久前GF的大股東ATIC買下新加坡特許半導體之后，最近臺積電與比利時IMEC公司也正式簽署了合作開發 協議，雙方將協力進行混合信號IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有關技術產品的研發工作。此前兩家公司實際上已經開始在進行緊密協作，不過這次的協 議簽訂則令雙方的合作關系由“同居”轉為“正式結婚”。
雙方合作過程中，IMEC公司將主要負責研發設計方面，而臺積電則將負責產品的實際生產。為此，IMEC公司已經
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臺積電 22nm 芯片制造
- 在上周舉辦的IDF2009秋季開發者論壇上，Intel曾提到會在2011年下半年開始使用22nm制程技術，而其后的下一步目標則將是15nm制程技術。而對手AMD的代工公司Globalfoundries則會在2012年啟用22nm制程技術，兩年后的2014年他們計劃轉向15nm制程。盡管有 科學家聲稱15nm制程技術尚處在研發階段，有關的制造工具甚至都還沒有開發出來，不過按照Intel“tick-tock”的進程推算，預計Intel 啟用15nm制程技術的年份會在2013年左右。
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Intel 15nm 22nm 制程技術
- NEC與瑞薩合并后會提出未來的工藝發展問題。NEC是屬于IBM體系來發展32/28nm節點。而瑞薩是與松下的技術合作體系來發展32/28nm。未來22nm怎么辦?
新公司稱作瑞薩電子，于2010年4月正式合并成立，所以有關22nm將由新公司來決定。
在問到合并后公司的基本方向時，瑞薩歐洲區總裁Trowbridge認為新公司試圖建成能服務于21世紀電子工業的半導體基礎。然而這個基礎現在可能不太穩固，因為按iSuppli收集的數據，全球半導體工業在2008到2009年期間總共虧損達220億美元
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瑞薩 SoC 22nm
- NEC與瑞薩合并后會提出未來的工藝發展問題。NEC是屬于IBM體系來發展32/28nm節點。而瑞薩是與松下的技術合作體系來發展32/28nm。未來22nm怎么辦?
新公司稱作瑞薩電子，于2010年4月正式合并成立，所以有關22nm將由新公司來決定。
在問到合并后公司的基本方向時，瑞薩歐洲區總裁Trowbridge認為新公司試圖建成能服務于21世紀電子工業的半導體基礎。然而這個基礎現在可能不太穩固，因為按iSuppli收集的數據，全球半導體工業在2008到2009年期間總共虧損達220億美元
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NEC 22nm 微控制器
- 納米技術在芯片界中的發展速度相當可觀，而對于目前企業級處理器發展領域中主要還是靠45nm獨當一面，而隨著45nm工藝的日趨成熟，各個芯片廠商卻早已開始瞄向32nm工藝和22nm工藝。而按照工藝路線，接下來的處理器將指向32nm工藝。早在08年末的國際電子組件會議(IEDM)上，主要的會議切入點集中放在了32nm工藝之上，并且英特爾(Intel)公司在此次會議中，對32nm制程技術的細節進行闡述，并計劃于2009年第四季投產，以推出更大能源效率、更高密度、效能更強的晶體管。
從最早的1965年英特
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Intel 45nm 32nm 22nm
- 最近Globalfoundries公司可謂喜事連連，繼紐約Fab2工廠正式奠基后，又與意法半導體成功簽約。不過按GF公司主席Hector Ruiz的說法，他們現在已經開始籌劃第三間制造廠Fab3的項目。目前在建的Fab2將采用300mm技術生產晶圓，建成初期的2012年，將采用 28nm制程技術進行生產，隨后轉向22nm制程。
目前外界很難猜測Fab3項目的細節，更不用說興建計劃的日期了。不過此舉至少說明GF對自己的Fab1/Fab2工廠充滿信心，并對公司的發展前景非常樂觀。
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Globalfoundries 晶圓 22nm 28nm
- 意法半導體和法國電子信息技術實驗室CEA-LETI宣布，法國經濟、工業和就業部長，以及國家和地區政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術開發協議。
Nano2012是由意法半導體領導的國家/私營戰略研發項目，聚集研究院和工業合作伙伴，得到法國國家、地區和本地政府的財政支持，旨
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ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
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