- 據英特爾的首席財政官 Stacy Smith 在一次新聞發布會上討論公司的第一季度財務情況時稱，英特爾的22nm制造工藝技術的FinFET晶體管將占英特爾半導體第二季度出貨量的25%。
自從英特爾研發了用于臺式機和筆記本的 Ivy Bridge 處理器，英特爾就顯現了沖擊大容量的勢頭，盡管英特爾還未正式推出Ivy Bridge 處理器。Ivy Bridge 處理器相比較之前的 Sandy Bridge 處理器，尺寸從32nm減小到22nm。
這也表明了英特爾的一貫做法----等到它的一線客
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英特爾 22nm
- 日前英特爾宣布Netronome為其第三家代工客戶，此前Achronix及Tabula先后宣布會采用Intel的22nmFINFET制程。
同以上兩家FPGA客戶不同，Netronome是一家網絡處理器公司，而且與Intel有著千絲萬縷的關聯。2007年11月，Intel將IXP2800網絡處理器產品線的開發授權給了Netronome，根據相關協議，由Netronome繼續開發基于IXP2800架構的網絡處理器NFP3200。
根據協議，Netronome也可以使用英特爾的EDA設計工具。
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英特爾 22nm
- 日前英特爾宣布Netronome為其第三家代工客戶，此前Achronix及Tabula先后宣布會采用Intel的22nm FINFET制程。
同以上兩家FPGA客戶不同，Netronome是一家網絡處理器公司，而且與Intel有著千絲萬縷的關聯。2007年11月，Intel將IXP2800網絡處理器產品線的開發授權給了Netronome，根據相關協議，由Netronome繼續開發基于IXP2800架構的網絡處理器NFP3200。
根據協議，Netronome也可以使用英特爾的EDA設計工具
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英特爾 22nm
- 據臺積電公司負責開發的高級副總裁蔣尚義透露，他們計劃于2012年第三季度開始試產22nm HP(高性能)制程的芯片產品，并將于2013年第一季度開始試產22nm LP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導體產業論壇會議上透露這些信息的。
會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節，據他表示，臺積電將于今年6月底前開始試產28nm低功耗制程(LP)產品，基于這種制程產品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG
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臺積電 22nm
- 面對日益低迷的需求，Intel正考慮暫停位于愛爾蘭的Fab 24工廠向22nm工藝升級的計劃。之前Intel已經將下一代Ivy Bridge平臺的發布時間推遲了一個季度，以節省成本。消息來源確信Intel暫停Fab 24升級的計劃將在短時間內對PC廠商以及半導體制造業中Intel的合作伙伴造成一定程度的沖擊。
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Intel 22nm
- 英特爾于5月4日宣布將在22nm節點采用“Tri-Gate”(三柵)晶體管技術，實現了歷史性的技術突破。
據英特爾介紹說，3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術發展速度，它能讓摩爾定律延續數年。該技術能促進處理器性能大幅提升，并且可以更節能，新技術將用在未來22納米設備中，包括小的手機到大的云計算服務器都可以使用。
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Intel 22nm
- 擁有阿拉伯財閥背景的Globalfoundries公司最近與歐洲半導體研究機構，比利時的IMEC簽署了一項關于在亞22nm節點制程CMOS技術和 硅上氮化鎵（GaN-on-Si：可用于制造固態照明器件，功率器件和射頻電路器件等）技術結成長期戰略合作伙伴的合作協議。
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Globalfoundries 22nm
- 全球領先的半導體代工廠商之一GlobalFoundries與納電子研發中心imec簽署了一項長期的戰略合作協議，共同研發22nm節點以下CMOS技術以及GaN-on-Si技術。
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GlobalFoundries 22nm
- 據消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術細節，據稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結構，而邏輯電路部分則仍采用傳統的平面型晶體管結構。消息來源還稱Intel“很快就會”對外公開展示一款基于這種22nm制程的處理器實 物。不過記者詢問Intel發言人后得到的答復則是:"我們不會對流言或猜測進行評論。"
盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開過其22nm制程SRA
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Intel 22nm SRAM
- SandyBridge帶來了第二代32nm，對Intel來說下一站自然就是22nm了，而且無論投資規模、工廠數量都將超越以往。
Intel首席財務官StacySmith近日表示：“為了支撐核心業務的強勢增長，以及圖形晶體管轉向新工藝，我們預計建設、裝備22nm工藝工廠的資本支出將增加到90億美元。”
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英特爾 22nm
- 從某些方面上看，22nm節點制程也許并不算是什么技術上的突破，相反，在人們的眼中這可能是一種吃力而不討好的活兒。從高端角度上看，向22nm節點制 程轉換并不需要對制程技術進行什么翻天復地的大變革，而且實現這種制程技術的技術壁壘也不算很高(當然工程師還是需要解決一些技術問題)，同時對 Intel，臺積電，三星等業界巨頭而言，也完全有資源有能力解決這些問題，但對其它實力稍差的競爭者而言，也會有自己的技術和市場措施來抵擋這些巨頭的 22nm制程攻勢。
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Alchimer 22nm
- 讓整個產業猜測了一次又一次之后，Intel今天終于官方確認，他們的新工廠已經在為下一代450mm晶圓做著準備。
450mm(18英寸)指的都是硅晶圓的直徑，就像現在最普遍使用的300mm(12英寸)，以及早被淘汰的200mm(8英寸)、150mm(6英寸)。晶圓尺寸越大，生產芯片的效率也就更高，直接結果就是單位成本更低、利潤空間更大，但是晶圓尺寸所需要的研發和制造成本也是天文數字級別的，往往需要整個半導體產業的攜手合作，而晶圓尺寸每一次擴大也都需要長達11年左右的周期。
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英特爾 晶圓 22nm
- 英特爾做了一件前所未有的事——與Achronix半導體公司達成協議，將以22nm制造工藝為其代工FPGA(可編程門陣列)芯片。
說前所未有，并不是英特爾初次為他人代工，也不是因為代工對象是一家規模尚小的新公司。以往英特爾曾開放過部分產能，但一定會落后于自己當時主流的制造工藝。而這一回，英特爾要拿出來的可是業界最先進的制造工藝。
半導體行業分工明確：很多廠商專攻芯片設計，之后把制造委托給規模效應顯著的代工大廠(如臺積電)，只有英特爾等少數半導體企業實行自行設計和制造的
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英特爾 22nm
- 在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對于實現22nm的各類光刻技術的進展、挑戰與未來市場前景進行了熱烈的討論。
作為193nm光刻技術的接替者，ASML仍是全球EUV(遠紫外光光刻機) 技術的領先供應商。該公司的首臺NXE3100機器將如期發貨，目前正在作最后的組裝及測試。盡管如此，由于EUV技術中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術的主要挑戰。另外，為了達到工業使用指標急需投入大筆資金。
Nikon指出它仍繼續采用兩次圖形曝光方法來延伸193nm高NA(數值孔徑)
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ASML 22nm 光刻
- Gloabl Foundries(GF)聲稱將投資30億美元用來擴充德國與美國的產能，以回應全球代工近期呈現的產能饑餓癥。
歐洲：在Dresden新建Fab 12，目標是45nm、28nm及22nm，月產能8萬片，潔凈廠房面積11萬平方英尺。項目已經國家與歐盟批準，并于2011年開始量產。
GF發言人稱Dresden投資在14-15億美元。
美國：GF正在紐約的Luther Forecast興建Fab 8，目標為28nm及22nm，總建筑面積為30萬平方英尺，其中潔凈廠房為9萬平方英
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GloablFoundries 22nm 45nm 28nm
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