東芝今天宣布世界上最小的嵌入式NAND快閃記憶體產品--15nm制程的NAND閃存芯片，這款新品符合最新的eMMC規范，可以廣泛運用在消費類數碼產品，包括智能手機，平板電腦和可穿戴設備的設計上。今天開始就有16GB容量的樣片出貨，而8/32/64/128GB容量的芯片將在隨后發售。
15nm NAND制程帶來了比同類產品小26%的封裝尺寸，還帶來了基礎芯片性能的提升，從而讓讀性能快大約8%，寫速快20%。預計這種芯片將在2015年開始量產，明年一季度開始鋪貨。
關鍵字：
東芝 15nm
半導體行業的閃存制造工藝進步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲性能，同時也意味著SSD固態存儲設備價格的下降。過去幾年中SSD的降價幅度還是頗大的，目前最便宜的固態存儲驅動器每GB的價格不到50美分，未來價格還將降得更低。東芝(Toshiba)當前已經開始量產15nm工藝的MLC NAND，東芝表示這種128Gb(16GB)芯片已經達到“全球最小級別的芯片尺寸”。
新型NAND閃存芯片的制造將由日本三重縣(Mie Prefecture)四日市業務部(Yokkaichi
關鍵字：
東芝 15nm
邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠商均已開始表現出這種技術意向。LSI的制造技術發生巨變之后，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。
元件材料及曝光技術也會出現轉折
“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
關鍵字：
CMOS 15nm 立體晶體管
在最近召開的SemiCon West產業會議上， Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節點開始啟用EUV極紫外光刻技術制造半導體芯片。 Global Foundries 公司負責制程技術研發的高級副總裁Greg Bartlett還表示，公司將在紐約Fab8工廠建成后馬上開始在這家工廠部署EUV光刻設備，按之前 Global Foundries公布的計劃，這個時間點大概是在2012年下半年，與之巧合的是，光刻設備廠商ASML公司也將于這個時間點開始上市EUV光刻設備。
由
關鍵字：
GlobalFoundries 15nm 光刻
半導體特征尺寸正在向22/15nm的等級不斷縮小，傳統的平面型晶體管還能滿足要求嗎?有關這個問題，業界已經討論了很久?，F在，決定半導體制造技術發展方向的歷史拐點即將到來，盡管IBM和Intel兩大陣營在發展方式上會有各自不同的風格和路線，但雙方均已表態稱在15nm級別制程啟用全耗盡型晶體管(FD:Fully Depleted)技術幾乎已成定局，同時他們也都已經在認真考慮下一步要不要將垂直型晶體管(即立體結構晶體管)制造技術如三門晶體管，finFET等投入實用。
據In
關鍵字：
Intel 22nm 15nm
在上周舉辦的IDF2009秋季開發者論壇上，Intel曾提到會在2011年下半年開始使用22nm制程技術，而其后的下一步目標則將是15nm制程技術。而對手AMD的代工公司Globalfoundries則會在2012年啟用22nm制程技術，兩年后的2014年他們計劃轉向15nm制程。盡管有 科學家聲稱15nm制程技術尚處在研發階段，有關的制造工具甚至都還沒有開發出來，不過按照Intel“tick-tock”的進程推算，預計Intel 啟用15nm制程技術的年份會在2013年左右。
關鍵字：
Intel 15nm 22nm 制程技術
15nm介紹
您好，目前還沒有人創建詞條15nm!
歡迎您創建該詞條，闡述對15nm的理解，并與今后在此搜索15nm的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473