Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領先業界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內存，具有高達?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當前及未來的數據中心工作負載。該款大容量、高速率內存模塊特別針對數據中心和云環境中廣泛的任務關鍵型應用，例如人工智能?(AI)、內存數據庫?(IMDB)?以及需要對多線程、多核通用計算工作負載進行高效處理的場景，滿足它們對
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美光 DRAM 128GB RDIMM內存
存儲器大廠美光近期公布最新路線圖，包括DDR5、GDDR7和HBM4E存儲器技術，其中GDDR7正好趕上明年底下一代英偉達GPU芯片。美光最新路線圖延長至2028年，比7月發布時延長兩年，內容也調整過，增加幾款新產品。美光目前第二代HBM3運行速度為1.2TB/s，為8層堆疊，預計2026年推出12和16層堆疊的HBM4，帶寬超過1.5TB/s；到2027~2028年，將發布12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達2TB/s以上。至于GDDR7上市時間有些改變，從2024上半年延后到年底，與目前最快的GD
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美光 存儲
存儲市場消費電子應用疲軟的環境下，HBM成為發展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報道三星為了擴大HBM產能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區內部分建筑及設備，用于HBM生產。據悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規模生產HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據三星電子副社長、DRAM產品與技術團隊負責人黃尚俊透露，三星已開發出9.8Gbps的H
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三星 美光 HBM
11月10日消息，美國時間周四，美股收盤主要股指全線下跌，結束了標指和納指兩年來最長的連續上漲。美聯儲主席鮑威爾警告稱，可能需要提高基準利率來抑制通貨膨脹。道瓊斯指數收于33891.94點，下跌220.33點，跌幅0.65%；標準普爾500指數收于4347.35點，跌幅0.81%；納斯達克指數收于13521.45點，跌幅0.94%。大型科技股多數下跌，谷歌和亞馬遜跌幅超過1%；Meta上漲，漲幅不到1%。芯片龍頭股漲跌不一，英偉達、高通、博通和美光上漲，美光漲幅超過1%；臺積電、英特爾和Arm等下跌，Ar
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Arm 法拉第 英偉達 高通 博通 美光
在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術已成為新的驅動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大HBM產能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報道，三星副總裁兼DRAM產品和技術團隊負責人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發HBM4的各種技術，包括針對高溫熱特性和混合鍵
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三星 美光 HBM
不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業參展。其中，美光首次亮相進博會，為業界帶來了一系列創新的內存和存儲產品及解決方案，并展示了其為賦能數據經濟發展，推動人工智能和5G應用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應用領域美光的展位以“深耕存儲領域，賦能數字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內存和存儲產品。展臺劃分為數據中心、汽車與智能邊緣領域、移動設備以及PC客戶端四大應用領域，最新的產品和解決方案令人印象深刻。這些創新的
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美光 進博會 LPDDR5 內存 存儲技術
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，其低功耗?LPDDR5X DRAM?和通用閃存?UFS 3.1?嵌入式解決方案現已通過高通?(Qualcomm Technologies, Inc.)?最新的擴展現實?(XR)?平臺——第二代驍龍? XR2?驗證。美光?LPDDR5X?和?UFS 3.1?外形尺寸緊湊，提供更高速率、更優性能和更低功
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美光 低功耗內存 XR2平臺 混合現實 MR 虛擬現實 VR
美光的新一代內存，目前已出貨給數據中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力，并以更高效能輔佐數據中心及客戶端平臺，支持AI訓練及推論、生成式AI、數據分析、內存數據庫等。美光推出的16Gb DDR5內存，以其領先1β制程節點技術，美光1β DDR5 DRAM的內建系統功能速率可達7,200MT／s，相較于前一代產品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM產品，在現有模塊化密度中，速率可達4,800MT／s至7,200MT／s，適用于數據中心及客戶端應用。
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美光 高速內存 DDR5
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已將業界領先的1β（1-beta）制程技術應用于16Gb容量版本的 DDR5內存。美光1β DDR5 DRAM在系統內的速率高達7,200 MT/s，現已面向數據中心及PC市場的所有客戶出貨。基于1β節點的美光DDR5內存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術[[1]]，相比上一代產品，性能提升高達50%[[2]]，每瓦性能提升33%[[3]]。隨著CPU內核數量的不斷增加以滿足數據中心工作負載需求，系統
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美光 1β技術DDR5內存
近日，美光宣布推出適用于數據中心工作負載的7500 NVMe SSD，主要面向數據中心存儲應用，包括了云服務器和企業服務器。美光7500系列產品采用232層3D NAND閃存芯片，該芯片采用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，新技術可以大大減小NAND閃存的芯片尺寸，有助于降低成本據美光介紹，該系列SSD具有低于1ms的6x9 QoS延遲，最大順序讀取速度達7GB/s，寫入5.9GB/s（比競爭對手高出97%），最大隨機讀取1100K IOPS（高出13%），寫入410K IOPS（高出242%）
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美光 7500系列 SSD 數據中心
10月13日消息，美國時間周四，美股收盤主要股指全線下跌。在美股連漲四天后，美國國債收益率上升，9月份通脹報告略高于預期，給市場帶來壓力。道瓊斯指數收于33631.14點，下跌173.73點，跌幅0.51%；標準普爾500指數收于4349.61點，跌幅0.62%；納斯達克指數收于13574.22點，跌幅0.63%。大型科技股多數下跌，蘋果和亞馬遜上漲，漲幅均不到1%。芯片龍頭股多數上漲，英特爾、美光和ARM等下跌，ARM跌幅超過5%。新能源汽車熱門普遍下跌，特斯拉下跌1.57%，Rivian下跌0.21%
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英特爾 美光 ARM 芯片
美國半導體巨頭美光透露，將參加于11月5日至10日在上海舉行的第六屆中國國際進口博覽會。據媒體報道，美國半導體巨頭美光10月10日透露，將參加于11月5日至10日在上海舉行的第六屆中國國際進口博覽會。這也是自進博會舉辦以來，美光首次參加該展會。對此，美光方面表示，正在積極準備相關事宜
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美光 進博會
IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發布新聞稿，進一步擴展了 1β（1-beta）工藝節點技術，推出 16Gb DDR5 內存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經開始向數據中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達到 7200 MT/s。這款新型 DDR5 內存采用先進的 high-k CMOS 器件技術，4 相時鐘和時鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 產品線提供 4,800 MT/s 至 7
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美光 內存
據外媒，當地時間9月23日，美光科技公司位于印度古吉拉特邦薩南德的組裝、測試和封裝工廠 (ATMP) 破土動工，總投資27.5億美元。據了解，今年6月，美光與印度政府簽署關于在古吉拉特邦建廠的諒解備忘錄。9月23日，印度塔塔集團旗下塔塔項目公司宣布將與美光科技合作，建設該先進半導體組裝和測試工廠，并表示該工廠一期工程將很快啟動，預計2024年底投運。古吉拉特邦首席部長布彭德拉·帕特爾在講話時表示：“該公司準備在簽署諒解備忘錄后不到三個月的時間內破紀錄地開始建設。”報道稱，該項目是印度半導體使命（ISM）下
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美光 印度 測試封裝 存儲
內存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價能力提升，市場高度期待美光獲利進一步改善，預期產業最壞情況已過。由于內存大廠近期積極減產，部分市場需求轉強，AI服務器需求尤為強勁，致使DRAM報價逐漸改善。美光財務長Mark Murphy先前透露，若供應鏈持續保持自制力、預測價格有望于2023年下半轉強。美光營運有望改善，帶動股價逐漸走強，該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調美光投資評等及目標價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標價從75美元調高到
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美光 DDR5 DRAM
美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導體儲存及影像產品制造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產品廣泛應用于移動、計算機、服務、汽車、網絡、安防、工業、消費類以及醫療等領域，為客戶在這些多樣化的終端應用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之 [
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