三星、美光計劃擴大HBM產(chǎn)能

在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術已成為新的驅動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。

三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大HBM產(chǎn)能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。

此前報道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術團隊負責人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發(fā)HBM4的各種技術，包括針對高溫熱特性和混合鍵合（HCB）優(yōu)化的非導電膠膜（NCF）組裝技術等，目標是到2025年推出。

美光也在積極籌備HBM生產(chǎn)，于11月6日在臺中開設了新工廠。美光表示，這個新設施將集成先進的測試和封裝功能，并將致力大規(guī)模生產(chǎn)HBM3E以及其他產(chǎn)品，旨在滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算和云服務等各種應用日益增長的需求。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露，計劃在2024年初開始大量出貨HBM3E，目前正在接受NVIDIA的認證。最初的HBM3E產(chǎn)品將采用8-Hi堆棧設計，容量為24GB，帶寬超過1.2TB/s。

此外，美光還計劃在2024年推出更大容量的36GB的12-Hi堆棧HBM3E。在早些時候的一份聲明中，美光預計到2024年，新的HBM技術將貢獻“數(shù)億美元”的收入。