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        2019年中國功率半導體市場規模逾人民幣2,900億元

        作者: 時間:2019-03-15 來源:TrendForce 收藏
        編者按:TrendForce在最新《中國半導體產業深度分析報告》指出,受益新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價,帶動2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣,其中離散式元件市場規模為1,874億元人民幣,較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣,較2017年增長8%。

          TrendForce在最新《中國半導體產業深度分析報告》指出,受益新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、等多種產品持續缺貨和漲價,帶動2018年中國市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣,其中離散式元件市場規模為1,874億元人民幣,較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣,較2017年增長8%。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201903/398523.htm

          TrendForce分析師謝瑞峰指出,作為需求驅動型的產業,2019年景氣仍然持續向上,雖然仍有貿易戰等不利因素影響,但在需求驅動下受影響程度要小于其他IC產品,TrendForce預估,2019年中國市場規模將達到2,907億元人民幣,較2018年成長12.17%,維持雙位數的成長表現。

          受益于中國國產替代的政策推動和缺貨漲價的狀況,2018年多家中國本土功率半導體廠商取得亮眼的成績,并擴大布局腳步。其中,比亞迪微電子憑藉擁有終端的優勢,在車用市場快速崛起,取得中?車用市場超過兩成的市占率,一躍成為銷售額位于中國前三的IGBT供應商;MOSFET廠商華微電子和揚杰科技營收大增,并且逐漸導入IGBT市場。

          另外,有新建與規劃IGBT產線的廠商包含士蘭微廈門12寸特色工藝產線、華潤微電子在重慶建設的12寸特色工藝產線,以及積塔半導體專業汽車級IGBT產線等。同時,多家廠商也投入研發SiC等新材料技術領域,基本半導體的SiCMOSFET已進入量產上市,而定位為代工的三安光電SiC產線也已開始接單、比亞迪微電子也已研發成功SiCMOSFET,其目標是到2023年實現SiCMOSFET對矽基IGBT的全面替代。

          展望2019年,從終端需求來看,新能源汽車仍然為中國功率半導體市場最大需求來源,根據TrendForce資料顯示,2019年中國新能源車產量預估為150萬輛,較前一年成長45%,其ADAS系統、電控以及充電樁的需求將帶動功率元件市場規模約270億元。

          同時,5G建設所需的基站設備及其普及后帶來物聯網、云端運算的快速發展,將對功率半導體產生長期大量需求,另外,工業自動化規劃持續推進,與之相關的電源、控制、驅動電路將持續推升功率半導體的采購。

          從供應端來看,2019年雖然有3-5條功率產線將進入量產,但根據TrendForce預計,2019年前三季度功率元件產品缺貨情況恐難有明顯好轉,多家廠商的產品價格預期仍將上漲。從廠商的技術發展來看,SiCMOSFET有望進一步提高在車用領域對矽基IGBT的替代率,矽基IGBT則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續發展。



        關鍵詞: 功率半導體 IGBT

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