- IGBT式感應加熱電源常見缺陷簡要分析-目前國內大部分生產廠商已經采用IGBT結構的感應加熱電源，這種結構的加熱電源能夠維持長時間高效工作，且安全性比較高，因此比較受到生產商和消費群體的歡迎。
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IGBT 電源管理 變壓器
- 幾種IGBT驅動電路的保護電路原理圖-本文為您介紹幾種常見的IGBT驅動電路原理及其保護電路，EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅動電路、2SD315A集成驅動模塊，并附上電路原理圖。
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igbt 驅動電路 電路圖
- IGBT在逆變電路中的測試與仿真，IGBT逆變器緩沖定律-在設計緩沖電路時，應考慮到緩沖二極管內部和緩沖電容引線的寄生電感。利用小二級管和小電容并聯比用單只二極管和單只電容的等效寄生電感小，并盡量采用低感或無感電容。另外，緩沖電路的設計應盡可能近地聯接在lGBT模塊上。以上措施有助于減小緩沖電路的寄生電感。
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igbt 電容 電阻
- 雙電壓整流電路設計，IGBT模塊適用于整流電路嗎？-不用兩個整流橋。用一個即可，把2個18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個串聯之后正極接整流橋正極+，電容器負極接整流橋負極-，2個串聯的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭。這樣就可以在直流輸出端得到正負20伏的雙電源了。
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整流電路 晶閘管 igbt
- 什么是IGBT？如何使用此模塊實現“雙面水冷”，IGNT未來的發展趨勢又是如何？-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
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igbt 散熱器 新能源汽車
- 電動汽車逆變器用IGBT驅動電源設計及可用性測試-電動汽車逆變器用于控制汽車主電機為汽車運行提供動力，IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件，其驅動電路是發揮IGBT性能的關鍵電路。
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igbt 電動汽車 逆變器
- IGBT的結構與各種保護設計方法詳解-GTR和MOSFET復合，結合二者的優點，具有好的特性。80年代中期問世以來，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場，中小功率電力電子設備的主導器件。
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igbt
- IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法- IGBT就是一個開關，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時IGBT導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，IGBT關斷，加負壓就是為了可靠關斷。
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igbt
- “新型功率半導體器件及應用創新中心的成立，將推動形成‘技術創新—轉化—規模化應用—投資再創新’的閉環，推動創新成果在先進軌道交通、智能電網、消費電子、電動汽車等重要領域的產業化應用。”日前，在湖南株洲召開的“湖南省IGBT產業對接會”上，中國工程院院士、中國IGBT技術創新與產業聯盟理事長丁榮軍說。
新型功率半導體是關系國民經濟命脈的共性關鍵技術，涉及先進軌道交通裝備、節能與新能源汽車、電
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IGBT 功率半導體
- 一個國家老工業城市如何在新時期取得成功?
美國硅谷的經驗值得我們借鑒。第三次科技革命以來，硅谷不斷創造和孕育出世界上最偉大的公司，并不斷匯聚世界各地的人才、技術和資本，歷經歲月變遷而始終屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的創新覆蓋了很多領域(互聯網、通信、生物制藥、電動汽車等)，以至于很難講它的支柱產業是什么。
硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心競爭力——創新。
如今，中國內陸的老工業基地株洲，也開始了基于創新的城市全方位轉型升級。這座素有“動力之都
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中國芯 IGBT
- 三菱電機起初根據客戶的要求設計定制化的汽車級模塊，并且從1997年起就將汽車級IGBT模塊成功地應用于電動汽車中。隨后推出了非定制型的J-系列汽車級功率模塊T-PM和IPM;目前針對全球推出了新一代汽車級功率模塊J1-系列EV PM。
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三菱 電機 IGBT
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅動光電耦合器“TLP5832”。該產品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅動中級IGBT。出貨即日啟動。 新IC采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項)封裝的現有產品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時有助于實現芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應用。 此外，該新型柵極驅動光電耦合器可在–40至+110
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東芝 IGBT
- 當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這是一個潛在的風險(如圖1)。
圖1：下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導通 寄生米勒電容引起的導通 在半橋拓撲中，當上管IGBT(S1)正在導通， 產生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經S
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米勒電容 IGBT
- 英飛凌科技股份公司進一步壯大1200 V單管IGBT產品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反并聯二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應用包括電池充電和儲能系統。 相比常規TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實現雙倍額定電流。由于去除了標準TO-24
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英飛凌 IGBT
- 英飛凌科技股份公司推出全新封裝技術TRENCHSTOP??Advanced?Isolation。TRENCHSTOP??Advanced?Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP?Highspeed?3?IGBT，確保一流的散熱性能并簡化制造流程。兩個版本均經過性能優化，可取代全塑封封裝(FullPAK)及標準和高性能絕緣箔。該新封裝適用于諸多應用，如空調功率因數校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和變頻器
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英飛凌 IGBT
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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