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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

        絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術社區

        突發!傳IGBT大廠停止接單

        •   IGBT市場缺口高達50%,安森美已不再接單。  隨著新能源汽車發展,IGBT需求量水漲船高,同時疊加持續一年有余的全球缺芯大背景,車規級IGBT依舊在苦苦掙扎。今年2月,業內已發出預警稱,今年下半年IGBT或將成為新能源汽車生產瓶頸所在,其影響可能將超過MCU。  如今邁入5月,IGBT供不應求已有愈演愈烈之勢。目前IGBT交貨周期已全線拉長到50周以上,個別料號周期甚至更長。需求高漲下,IGBT訂單與交貨能力比最大已拉至2:1。若去掉部分非真實需求訂單,預計真實需求是實際供貨能力的1.5倍,這也意
        • 關鍵字: IGBT  

        全球第一IGBT企業,訂單與交貨量2:1,交貨周期長達50周

        •   IGBT作為一種常用的半導體芯片,我們生活中的家用電器、汽車等商品上面都有,受到“缺芯潮”以及物料短缺等因素影響,IGBT目前也處于緊缺狀態,尤其是車規級IGBT更是缺貨嚴重,缺口最大的時候已經超過50%。全球最大的IGBT企業依然缺貨  芯片巨頭英飛凌是全球最大的IGBT供應商,整個IGBT市場英飛凌占據三分之一份額,訂單量、出貨量都是遙遙領先,就是這樣規模的企業同樣面臨著巨大的供需缺口,目前合作伙伴訂單量和交貨量比例大約為2:1,而且交貨周期長達50周,尤其是車規及IGBT供需缺口還有進一步擴大趨
        • 關鍵字: IGBT  

        海外大廠訂單排滿,光伏需求大增加劇IGBT缺貨

        •   5月16日報道,最近,海外大廠安森美、英飛凌等紛紛傳出IGBT訂單接不過來的消息。士蘭微和華潤微相關人士表示,由于汽車和光伏需求增加明顯,IGBT訂單增長很快,做不過來。  CINNO Research半導體事業部總經理Elvis稱,車規級IGBT下探至0.5,即供需缺口在50%以上。因為車規級IGBT認證周期很長,悠關生命安全,認證項目復雜且冗長,付出成本昂貴,技術Know-How不易取得,一般快則兩到三年,慢則甚至五到十年之間。因此產能的擴充在近期內無法緩解終端市場強大需求的短缺,至少在2023年
        • 關鍵字: IGBT  

        海外大廠已停止接單 國內IGBT企業有望填補空缺

        •   獲悉,最近,海外大廠安森美、英飛凌等紛紛傳出IGBT訂單接不過來的消息。安森美深圳廠內部人士透露消息稱,車用絕緣柵雙極晶體管訂單(IGBT)已滿且不再接單,但不排除訂單中存在一定比例的超額下單。士蘭微(600460)和華潤微相關人士也表示,由于汽車和光伏需求增加明顯,IGBT訂單增長很快,做不過來。  供應鏈業者表示,2021年起車用半導體中的功率元件、微控制器最為缺乏,且直至2022年情況都未見明顯改善。在IGBT產品中,車用IGBT的缺口則更大。CINNOResearch半導體事業部總經理Elvi
        • 關鍵字: IGBT  

        歐盟或將加速建筑安裝光伏 IGBT產業鏈有望受益

        •   獲悉,歐盟的REPowerEU計劃草案提出,2022年屋頂光伏發電量增加15TWh。該草案還要求歐盟和各國政府今年采取行動,將屋頂光伏裝置的安裝申請許可時間縮短至三個月,并提出“到2025年,所有新建筑以及能耗等級D或以上的現有建筑,都應安裝屋頂光伏設備”。該計劃有望利好IGBT等逆變器產業鏈公司。  據悉,REPowerEU計劃是歐盟在今年3月8日提出的,價值高達1950億歐元,旨在讓成員國家在2030年之前逐步消除對俄羅斯化石燃料的依賴,其中近三分之二的削減可在今年(2022年)底前實現,結束歐盟
        • 關鍵字: IGBT  

        Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅動器產品系列SCALE EV,為巴士、卡車以及建筑和農用電動汽車提供強大動力

        • 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊,其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車(包括巴士和卡車)以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅動器內部集成了兩個增強型門極驅動通道、相關供電電源和監控遙測電路。新驅動板已通過汽車級認證和ASIL B認證,可實現AS
        • 關鍵字: Power Integrations  IGBT  SiC  模塊驅動器  SCALE EV  PI  

        基于單脈沖試驗的IGBT模型的電壓應力測試分析

        • IGBT作為功率設備的核心器件,在電力電子工業領域應用廣泛。為了進一步了解電壓應力對IGBT模塊的影響,本文搭建了實驗樣機(選用3代IGBT采用T型三電平拓撲,額定輸出線電壓315 V,電流230 A,設計輸入電壓范圍500~1 000 V),通過單脈沖試驗對不同廠家不同型號的IGBT進行電壓應力分析并給出解決方案的可行性。
        • 關鍵字: IGBT  單脈沖  電壓應力  202203  

        子單元長期存放對焊接質量的影響*

        • 長期進行IGBT器件焊接封裝發現,IGBT器件封裝所用關鍵部件子單元的存放時間長短對焊接空洞影響較大,本文分別對兩批存放時間差別較大的子單元進行封裝,通過實驗對比兩批產品的空洞率,結果表明存放時間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小,從而提高了IGBT器件的可靠性。
        • 關鍵字: IGBT  焊接  封裝  空洞率  子單元  202201  

        環旭電子預計在2022量產電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

        • 搭配電動車市場的快速成長,近年環旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求,其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
        • 關鍵字: 環旭電子  電動車用逆變器  IGBT  SiC  電源模塊  

        環旭電子預計2022量產電動車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

        • 搭配電動車市場的快速成長,近年環旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求,其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
        • 關鍵字: 環旭電子  電動車用逆變器  IGBT  SiC  電源模塊  

        Power Integrations推出適用于“新型雙通道”模塊的SCALE-iFlex Single即插即用型門極驅動器

        功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

        • 高端變頻空調在實際應用中出現大量外機不工作,經過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效,本文結合大量失效品分析與電路設計分析,對IGBT失效原因及失效機理分析,分析結果表明:經過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數檢測對比發現IGBT失效由多種原因導致,IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
        • 關鍵字: 主動式PFC升壓電路  IGBT  SOA  閂鎖效應  ESD  熱擊穿失效  202108  MOSFET  

        Microchip推出業界耐固性最強的碳化硅功率解決方案,取代硅IGBT,現已提供1700V版本

        • 如今為商用車輛推進系統提供動力的節能充電系統,以及輔助電源系統、太陽能逆變器、固態變壓器和其他交通和工業應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布擴大其碳化硅產品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率,之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協并使用復雜的拓撲結構。此外,電力電
        • 關鍵字: MOSFET  MCU  IGBT  

        ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

        • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調、路燈等工業設備,開發出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來,隨著節能意識的提高,在交流400V級工業設備領域,可支持更高電壓、更節能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面,在工業設備中,除了主電源電路之外,還內置有為各種控制系統提供電源電壓的輔助電源,但出于設計周期的考量,它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
        • 關鍵字: MOSFET  IGBT  

        在工業高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優勢

        • 摘要隨著汽車電動化推進,智能充電基礎設施正在迅速普及,智能電網內部的V2G車輛給電網充電應用也是方興未艾,越來越多的應用領域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現,證明碳化硅電力解決方案的優勢,例如,將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例,并與硅功率半導體進行了輸出功率和開關頻率比較。前言隨著汽車電動化推進,智能充電基礎設施正在迅速普及,智能電網內部的V2G車輛給電網充電
        • 關鍵字: MOSFET  IGBT  
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        絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

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