絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
變頻器中IGBT爆炸原因分析,深入透徹!

- IGBT是電力電子裝置的CPU,在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中,IGBT模塊更為重要。但是,IGBT模塊會經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。下面,小編就結(jié)合案例具體分析一下。 定義 一、IGBT爆炸:因為某些原因,模塊的損耗十分巨大,熱量散不出去,導(dǎo)致內(nèi)部溫度極高,產(chǎn)生氣體,沖破殼體,這就是所謂的IGBT爆炸。 二. IGBT爆炸原因分析 1.爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過散熱功率,內(nèi)部原因應(yīng)該就是過熱。 2.人為因素 (1)進(jìn)線接在出線的端子上(2)變頻器接錯電源(3)沒按要求接負(fù)載3.常
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集邦咨詢:需求持續(xù)擴(kuò)張,2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元

- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%。 集邦咨詢分析師謝瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè),2019年
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關(guān)于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的IGBT,你想知道的都在這里

- 摘要 :工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中成功可靠地實現(xiàn)短路保護(hù)的問題。 工業(yè)環(huán)境中的短路:工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器的工作環(huán)境相對惡劣,可能出現(xiàn)高溫、交流線路瞬變、機(jī)械過載、接線錯誤以及其它突發(fā)情況
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富士電機(jī)電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行蒞臨青銅劍科技考察交流

- 11月7日,富士電機(jī)株式會社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪青銅劍科技。這是繼今年5月應(yīng)用技術(shù)部部長五十嵐征輝博士來訪之后,富士電機(jī)高層再次蒞臨青銅劍科技商談合作事宜,標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入新階段。 青銅劍科技總工程師高躍博士和市場總監(jiān)蔡雄飛對藤平龍彥博士一行的來訪表示熱烈歡迎,詳細(xì)介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機(jī)的合作進(jìn)展。藤平龍彥博士對青銅劍科技最新的IGBT驅(qū)動產(chǎn)品非常關(guān)注,仔細(xì)詢問了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域,對青銅劍科技的研發(fā)實力表示充分肯定。會談期間,雙方對下一步的合作重點和計劃
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推進(jìn)航天領(lǐng)域合作 l 航天科工微電院董事長武春風(fēng)一行到訪青銅劍科技

- 11月8日,成都航天科工微電子系統(tǒng)研究院有限公司董事長武春風(fēng)一行到訪青銅劍科技,董事長汪之涵博士、總工程師高躍博士和副總裁傅俊寅陪同接待,雙方就合作事宜進(jìn)行了深入交流。 汪之涵博士陪同武春風(fēng)一行參觀了公司展廳和研發(fā)實驗室,詳細(xì)介紹了青銅劍科技的核心產(chǎn)品、領(lǐng)先技術(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域及公司發(fā)展規(guī)劃等情況。武春風(fēng)對青銅劍科技的科技創(chuàng)新成果表示積極肯定。座談中,雙方就航天領(lǐng)域的前沿技術(shù)和熱點話題進(jìn)行了深入探討和討論,進(jìn)一步商談了合作細(xì)節(jié),一致表示未來將擴(kuò)展多渠道的合作。 航天科工微電子系統(tǒng)研究院秉持“信息互通、資
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IXYS IGBT驅(qū)動模塊可幫助高功率系統(tǒng)設(shè)計,縮短設(shè)計時間,降低設(shè)計成本

- IXYS公司新推出的IXIDM1403驅(qū)動模塊旨在為市場提供IGBT驅(qū)動器件,使設(shè)計周期縮短,設(shè)計成本做到盡可能最低,并具有極高的緊湊性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持雙通道大功率IGBT模塊,隔離電壓高達(dá)4000 V,開關(guān)速度高達(dá)50 kHz,具有短路保護(hù)和電源電壓監(jiān)控功能。 IXIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片組的高壓隔離柵極驅(qū)動模塊,它允許創(chuàng)建隔離的IGBT驅(qū)動器,在初級側(cè)和次級側(cè)之間以及次級側(cè)驅(qū)動器之間設(shè)置高壓隔離柵。它創(chuàng)建了一個非常靈活
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安森美半導(dǎo)體推動電動汽車充電樁市場創(chuàng)新發(fā)展

- 電動汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動力,用電機(jī)驅(qū)動車輪行駛,符合道路交通、安全法規(guī)各項要求的車輛由于對環(huán)境影響相對傳統(tǒng)汽車較小,它的前景被廣泛看好近年來在國家環(huán)保政策的激勵下,在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下,電動汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場,中國新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報道,2016年中國電動汽車占全世界電動汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國的“一車一樁”計劃,電動汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬個,與現(xiàn)
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基于EXB841的IGBT 驅(qū)動電路優(yōu)化設(shè)計
- 設(shè)計高性能的驅(qū)動與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的專用驅(qū)動電路,具有單電源、正負(fù)偏壓
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汽車電子化帶來的電源、電池、充電系統(tǒng)的挑戰(zhàn)

- 車用電氣/電源/電子系統(tǒng)的發(fā)展動向 自上世紀(jì)70年代以來,為應(yīng)對石油禁運,減少對石油的依賴性,節(jié)能減排就成為汽車業(yè)重點關(guān)注的。汽車中電子成分不斷增加。環(huán)境及能源法規(guī)促進(jìn)電動汽車/混合動力汽車蓬勃發(fā)展。 以內(nèi)燃機(jī)作為唯一動力來源的傳統(tǒng)汽車,正在實現(xiàn)汽車功能電子化的好處,以提高整體汽車燃油效率。輕度混合動力和微混合動力汽車越來越流行,尤其是內(nèi)置 48V 動力配件的汽車。除了支持 12V 系統(tǒng)無法支持的高功率負(fù)載(>10kW)外,添加 48V系統(tǒng)的另一個好處是,由于使用較小的儀表接線,車輛配電系統(tǒng)
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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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