目前，電動汽車和工業馬達的可變速馬達驅動系統，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統的普及正在不斷加速。構成這些系統的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統。
各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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SiC GaN 電流傳感器
SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業設備帶來高效率、大功率、高頻率優勢。。。。。。。據調查公司Yole developmet統計，SiC Mosfet現有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業的新寵!
SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優勢：
i. 低導通電阻RDS
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SiC Mosfet DC-DC
全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產體制。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用逆變器等所有相關設備的功率損耗。
另外，此次開發的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產品，目前已建立起了完備的功率模塊產品的量產體制。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產基地為
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ROHM SiC-MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM于今年夏季將分別在成都(06/12)、長沙(06/26)、蘇州(07/10)、青島(07/ 24)、哈爾濱(08/07)等5個城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活動。在展示ROHM最新產品和技術的同時，還包括了由半導體業界專家和ROHM工程師帶來的主題演講，獲得了眾多工程師的盛情參與。
“2015 ROHM科技展”以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，從應用層面出發，介紹功率電子、傳感器網絡
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ROHM SiC
摘要：探討了SiC的技術特點及其市場與應用。
近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內舉辦了以“SiC功率元器件技術動向和ROHM的SiC功率元器件產品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場采用情況和發展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產品陣容、開發以及市場情況做了詳盡的介紹。
各種功率器件的比較
功率元器件主要用于轉換電源，包括四大類：逆變器、轉換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉換器、矩陣
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SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內率先實現了碳化硅單晶襯底自主研發和產業化。
不久前，中國科學院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍光半導體有限公司(以下簡稱天科合達)合作，解決了6英寸擴徑技術和晶片加工技術，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。
從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內率先實現了碳化硅單晶襯底自主研發和產業化。
第三代半導體材料
研究人員告訴記者，上世紀
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碳化硅 晶片
第一代半導體材料Si點燃了信息產業發展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產業群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。
目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。曾經的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發展的材料極限，難以滿足當今社會發展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環境以及輕便小型
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LED SiC MOSFET
近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術和全息技術在消費電子領域的應用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車電子的發展、通信設備的微型化，設備內部印制電路板所需搭載的半導體器件數大幅提升，而在性能不斷提升的同時，質量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個領域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發展方向，也是將來的趨勢。
談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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ROHM 半導體 SiC
矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。
全球功率半導體市場規模的推移變化和預測(出處：矢野經濟研究所)
2013年全球功率半導體市場規模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
預計2014年仍將繼續增長，2015年以后白色家電、汽車及工業設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規
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SiC 功率半導體
三菱電機開發出了支持50kHz左右高頻開關動作的工業設備用混合SiC功率半導體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)，從2014年5月開始樣品供貨。
據介紹，新產品可用于光伏發電用逆變器等多種工業設備，尤其適合經常采用高開關頻率的醫療設備用電源。新產品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過采
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SiC 醫療設備
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發電系統用的服務器電源和功率調節器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
美國阿肯色大學研究人員已經設計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設備、汽車和航空航天設備領域的處理器、驅動器、控制器和其他模擬與數字電路的功能，因為所有這些應用場合的電子設備都必須在高溫甚至經常在極限溫度下運行。
阿肯色大學電子工程學院特聘教授Alan Mantooth說，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無法工作的地方。我們設計了性能優越的信號處理電路模
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SiC 集成電路
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發電系統用的服務器電源和功率調節器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
美國設計出可在溫度高于350°C 時工作的集成電路，該產品可以用于高溫甚至極溫下運行的航空航天設備......
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SiC 集成電路
日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。 展示產品簡介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎上成功研發出“注入增強”(IE：Inject
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東芝 IEGT SiC
碳化硅（sic）介紹
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