- 近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術和全息技術在消費電子領域的應用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車電子的發展、通信設備的微型化，設備內部印制電路板所需搭載的半導體器件數大幅提升，而在性能不斷提升的同時，質量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個領域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發展方向，也是將來的趨勢。
談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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ROHM 半導體 SiC
- 矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。
全球功率半導體市場規模的推移變化和預測(出處：矢野經濟研究所)
2013年全球功率半導體市場規模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
預計2014年仍將繼續增長，2015年以后白色家電、汽車及工業設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規
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SiC 功率半導體
- 三菱電機開發出了支持50kHz左右高頻開關動作的工業設備用混合SiC功率半導體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)，從2014年5月開始樣品供貨。
據介紹，新產品可用于光伏發電用逆變器等多種工業設備，尤其適合經常采用高開關頻率的醫療設備用電源。新產品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過采
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SiC 醫療設備
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發電系統用的服務器電源和功率調節器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
- 美國阿肯色大學研究人員已經設計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設備、汽車和航空航天設備領域的處理器、驅動器、控制器和其他模擬與數字電路的功能，因為所有這些應用場合的電子設備都必須在高溫甚至經常在極限溫度下運行。
阿肯色大學電子工程學院特聘教授Alan Mantooth說，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無法工作的地方。我們設計了性能優越的信號處理電路模
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SiC 集成電路
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發電系統用的服務器電源和功率調節器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
- 美國設計出可在溫度高于350°C 時工作的集成電路，該產品可以用于高溫甚至極溫下運行的航空航天設備......
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SiC 集成電路
- 日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。 展示產品簡介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎上成功研發出“注入增強”(IE：Inject
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東芝 IEGT SiC
- 5月29日，國內首批產業化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產，并交付第一筆商業訂單產品， 成為國內首家提供商業化6英寸碳化硅外延晶片的生產商。
據悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導率等優良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。
瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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碳化硅 外延晶片
- 三菱電機今年以“創新功率器件構建可持續未來”為題，攜帶六款全新產品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相。 今年展出的產品范圍跨越六大領域，包括：工業應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用。 在新產品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業驅動和太陽能發電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
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三菱電機 PCIM 碳化硅
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫療設備的解決方案。 美高森美擁有利用SiC半導體市場增長的良好條件，據市場研究機構Yole Développement預計，從201
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美高森美 MOSFET SiC
- 日前，CISSOID 公司與上海諾衛卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產品的經銷協議，后者將會幫助CISSOID公司的高溫半導體產品在中國市場大范圍推廣。 諾衛卡公司將其在碳化硅方面的專業技術與 CISSOID 的技術及其產品組合完美結合在一起，形成獨一無二的競爭力。例如：SiC 電源開關專用的隔離式柵極驅動器HADES 技術;高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調節器。 CISSOID公司營銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
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CISSOID 諾衛卡 SiC
- 2014年慕尼黑上海電子展產品亮點 TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術是以PLZT陶瓷材料為基礎(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法。 CeraLink?新技術在功率變換器的直流鏈路的穩定性和濾波方面具有很多優勢-特別與傳統電容器技術相比：由于該款新電容
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TDK 電容器 CeraLink SiC
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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SiC GaN
- 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產出一款可實現更高功率密度、更低系統成本且設計更簡易的...
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光伏逆變器 SiC BJT
碳化硅（sic）介紹
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