矢野經濟研究所：SiC功率半導體將在2016年形成市場

　　矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。

　　全球功率半導體市場規模的推移變化和預測(出處：矢野經濟研究所) (點擊放大)

　　2013年全球功率半導體市場規模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。

　　預計2014年仍將繼續增長，2015年以后白色家電、汽車及工業設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規模(按供貨金額計算)將達到294.5億美元。各類器件方面，預計功率模塊的增長率最高，在新一代汽車(HV及EV)、新能源設備及工廠設備等領域的普及有望擴大。

　　在新一代功率半導體SiC方面，以前主要是被用于二極管，而2013年起，一些晶體管也開始采用SiC。2014年下半年起，各元器件廠商開始利用直徑為6英寸(150mm)的SiC晶圓實施量產，預計2015～2016年成本將會降低，用途也會進一步擴大。矢野經濟研究所預測，2020年新一代功率半導體的全球市場規模(按供貨金額計算)將在SiC功率半導體推動下達到28.2億美元。

　　此次調查的對象為功率半導體廠商、晶圓廠商及系統廠商，于2013年10月～2014年6月實施。涉及的器件包括功率MOSFET、IPD(Intelligent Power Device)、二極管、IGBT、功率模塊及雙極晶體管等。根據調查數據，將硅功率半導體以及采用SiC及GaN等新一代材料的功率半導體的數據加在一起，計算出了市場規模。