- 我們先來看看MOS關模型：
Cgs：由源極和溝道區域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區域和門電極的重疊，第二是
耗盡區電容
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MOSFET 驅動器 功耗計算 方法
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。
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Vishay MOSFET SiA436DJ
- 前言近年來，產業的發展、有限的資源及日益嚴重的地球暖化現象，促使環保節能的觀念逐漸受到重視，更造...
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高效能 Power MOSFET
- 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知...
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MOSFET 開關損耗 主導參數
- 日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器，開發出了功率MOSFET。
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羅姆 MOSFET DC/DC
- 恩智浦半導體(納斯達克代碼：NXPI)日前推出業內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。
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恩智浦 MOSFET
- 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列，立足于英飛凌在SiC技術開發以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。
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英飛凌 SiC JFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統在內的各類汽車應用。
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IR MOSFET
- 工程師在為汽車電子設計電源系統時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環境條件。環境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發可靠性和其它問題。在
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情況 解析 方案 相關 MOSFET 電阻 下降 功率 能使導
- 開關電源由于體積小、重量輕、效率高等優點，應用已越來越普及。MOSFET由于開關速度快、易并聯、所需驅動功率低等優點已成為開關電源最常用的功率開關器件之一。而驅動電路的好壞直接影響開關電源工作的可靠性及性能
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介紹 分析 電路 驅動 MOSFET 開關電源
- 由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖，電力電子設備的能源效率已經變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
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VCESAT 1200V 開關 碳化硅
- 目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術和封裝上的進步。通過在更小尺寸的封裝內采用
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電源 設計 簡化 封裝 芯片 功率 MOSFET
- 日本京都大學工學研究系電子工學專業教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十數kV的半導體功率元件，但超過20kV的尚為首次，“是半導體元件中的世界最高值”(木本)。
該二極管的設想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網電壓為6.6kV，因此要求耐壓達到20kV。據稱目前是使用3～4個數kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管，一個即可滿足要求。由此，轉換器及冷卻器等便可實現
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SIC 二極管 半導體
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