飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

　　飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。　　

 

　　通過將 MOSFET 和二極管集成到一個獨立封裝內(nèi)，F(xiàn)DD1600N10ALZD和FDD850N10LD設(shè)備節(jié)省了電路板空間，簡化了裝配，降低了材料清單成本并改進(jìn)了應(yīng)用的可靠性。兩款產(chǎn)品的詳細(xì)資料，請訪問：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120896和http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120897。

　　該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體 PowerTrench^®工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝專用于最小化導(dǎo)通電阻，同時保持卓越的開關(guān)性能。 NP二極管為超快速整流器，帶低正向?qū)▔航担哂谐錾拈_關(guān)性能。 與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進(jìn)了高溫應(yīng)用中的系統(tǒng)可靠性。

　　主要功能：

　　FDD1600N10ALZD:
　　RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A
　　RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A
　　低柵極電荷 = 2.78 nC(典型值)
　　低反向電容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)

　　FDD850N10LD:
　　RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 12 A
　　RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A
　　低柵極電荷 = 22.2 nC(典型值)
　　低反向電容 (Crss) = 42 pF(典型值)

　　都有：
　　快速開關(guān)
　　100%經(jīng)過雪崩測試
　　可提高dv/dt處理能力
　　符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)