飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統成本

　　飛兆半導體公司是高性能功率半導體和移動半導體解決方案的全球領先供應商，通過引入 100 V BoostPak 設備系列優化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉換器應用中目前使用的分立式解決方案。　　

 

　　通過將 MOSFET 和二極管集成到一個獨立封裝內，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD設備節省了電路板空間，簡化了裝配，降低了材料清單成本并改進了應用的可靠性。兩款產品的詳細資料，請訪問：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120896和http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120897。

　　該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導體 PowerTrench^®工藝生產，這一先進工藝專用于最小化導通電阻，同時保持卓越的開關性能。 NP二極管為超快速整流器，帶低正向導通壓降，具有出色的開關性能。 與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進了高溫應用中的系統可靠性。

　　主要功能：

　　FDD1600N10ALZD:
　　RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A
　　RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A
　　低柵極電荷 = 2.78 nC(典型值)
　　低反向電容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)

　　FDD850N10LD:
　　RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 12 A
　　RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A
　　低柵極電荷 = 22.2 nC(典型值)
　　低反向電容 (Crss) = 42 pF(典型值)

　　都有：
　　快速開關
　　100%經過雪崩測試
　　可提高dv/dt處理能力
　　符合 RoHS 標準