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        AOS發布150V MOSFET旗艦產品

        —— DFN5*6封裝 極低導通內阻,超強開關性能實現更高功率密度
        作者: 時間:2013-05-10 來源:電子產品世界 收藏

          萬國半導體()發布了旗下最新150V 器件: 。該器件作為 AlphaMOS™ (?MOS™)中壓系列旗艦產品,為眾多設備追求極致效率提供了解決方案。適用于通信及工業電源DC/DC轉換器原邊開關、AC/DC及DC/DC轉換器副邊同步整流,太陽能微逆變器,以及通信系統中的負載點模塊(POL)。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/145196.htm

          采用先進的AlphaMOS™技術,實現了業界領先的低導通內阻和高速開關性能。該產品與上一代產品相比,內阻降低了57%;與市場上現有最先進的同類型150V器件相比,內阻降低了8% ,除此之外, AON6250的優值(RDS(ON) * COSS)也是市場上最好的,從而可以有效降低開關損耗。因此無論是輕載條件還是重載條件,效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封裝,符合綠色環保產品相關規定,且電氣性能方面100%經過柵極電阻測試以及UIS雪崩能力測試。繼AON6250之后,萬國半導體()將發布一系列150V 產品。.

          “終端客戶總是要求電源系統輸出更高功率并且占用更小的空間,這讓電源設計工程們面臨嚴峻考驗” , AOS高級產品經理Stephen表示, “實現其功率密度,需要器件具有極低的導通內阻以及良好的開關性能,AON6250正好可以滿足工程師的需求。.”  

         

          AON6250 技術優勢:

          150V N-channel in a DFN5x6 package
          RDS(ON) < 16.5 mOhms max at VGS = 10V (業內最低內阻)
          COSS = 213 pF typ
          Qg (10V) = 30.5 nC typ
          業內最低 RDS(ON) * COSS (優值, 可以有效降低開關損耗)
          100%經過柵極電阻測試以及UIS雪崩能力測試



        關鍵詞: AOS AON6250 MOSFET

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