碳化硅(sic)mosfet 文章最新資訊

ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅(qū)動(dòng)器板加快產(chǎn)品上市時(shí)間

　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場(chǎng)首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評(píng)估板，在200kHz開(kāi)關(guān)頻率時(shí)該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設(shè)計(jì)旨在提高設(shè)計(jì)可靠性，同時(shí)減少創(chuàng)建額外原型的需求，為電源轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)能客戶(hù)節(jié)省時(shí)間、降低成本并縮短上市時(shí)間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國(guó)得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會(huì)上展示該評(píng)估
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安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開(kāi)關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)?！　“采腊雽?dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
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高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中提高功率吞吐量的障礙

　　當(dāng)前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度，這為非隔離負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來(lái)了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率，設(shè)計(jì)人員選擇避免多級(jí)轉(zhuǎn)換，以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負(fù)載點(diǎn)電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉(zhuǎn)換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時(shí)，繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產(chǎn)品性能的提升，niPOL的功率需求會(huì)進(jìn)一步提高?！　‰娫葱袠I(yè)通過(guò)對(duì)niPOL進(jìn)行多項(xiàng)技術(shù)升級(jí)來(lái)應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。過(guò)去幾年，行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導(dǎo)體集成和M
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MOSFET芯片需求加劇缺貨之勢(shì)持續(xù)蔓延

MOSFET缺貨潮來(lái)勢(shì)洶洶，看著突然實(shí)則必然，畢竟消費(fèi)電子的更新迭代速度加快以及新能源汽車(chē)飛速發(fā)展已成必然之勢(shì)。
關(guān)鍵字： MOSFET 芯片

一種具有后臺(tái)校正功能的電流舵DAC

　　隨著工藝水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，即金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)閾值電壓的失配常數(shù)Avt越來(lái)越小，電流源之間的匹配程度越來(lái)越高，然而隨著DAC(Digital?to?Analog?Converter，即數(shù)模轉(zhuǎn)換器)分辨率的提高，?DAC對(duì)電流源誤差的要求越來(lái)越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關(guān)，由于閾值電壓的溫度系數(shù)存在，DAC工作
關(guān)鍵字： DAC MOSFET

納微半導(dǎo)體將在中國(guó)臺(tái)灣的電源設(shè)計(jì)技術(shù)論壇活動(dòng)上

　　納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用及技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)黃萬(wàn)年將在2018年1月30日于中國(guó)臺(tái)北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計(jì)與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計(jì)”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個(gè)及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見(jiàn)解。納微是這項(xiàng)活動(dòng)的銀級(jí)贊助商，該活動(dòng)為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶(hù)提供了一個(gè)交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專(zhuān)業(yè)知識(shí)?！　↑S萬(wàn)年
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ROHM贊助上海同濟(jì)大學(xué)“DIAN Racing”電動(dòng)方程式車(chē)隊(duì)

　　近年來(lái)，出于地球溫室化對(duì)策和減少空氣污染的考慮，對(duì)汽車(chē)的環(huán)保性能要求越來(lái)越高。世界各國(guó)均已制定了新能源汽車(chē)的開(kāi)發(fā)和引進(jìn)計(jì)劃，未來(lái)新能源汽車(chē)的普及將會(huì)進(jìn)一步加速。其中，中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭最為迅猛。隨著中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的迅速壯大和新能源汽車(chē)技術(shù)的快速發(fā)展，越來(lái)越多的中國(guó)新能源汽車(chē)品牌開(kāi)始走出國(guó)門(mén)，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車(chē)市場(chǎng)。　　作為全球知名半導(dǎo)體制造商， ROHM一直以來(lái)都將汽車(chē)市場(chǎng)為主要目標(biāo)領(lǐng)域，通過(guò)開(kāi)發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿(mǎn)足最新汽車(chē)電子化需求的創(chuàng)新型高
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通過(guò)電源模塊提高電動(dòng)工具設(shè)計(jì)的性能

　　電動(dòng)工具、園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)。BLDC電機(jī)效率更高、維護(hù)少、噪音小、使用壽命更長(zhǎng)?！　◎?qū)動(dòng)電機(jī)功率級(jí)的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護(hù)可靠、峰值電流承載能力強(qiáng)。小尺寸可實(shí)現(xiàn)工具內(nèi)的功率級(jí)的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設(shè)計(jì)。高效率可提供最長(zhǎng)的電池壽命并減少冷卻工作。可靠的操作和保護(hù)可延長(zhǎng)使用壽命，有助于提高產(chǎn)品聲譽(yù)?！　樵趦蓚€(gè)方向上驅(qū)動(dòng)BDC電機(jī)，您
關(guān)鍵字： BLDC MOSFET

汽車(chē)電源的監(jiān)視和開(kāi)關(guān)

　　引言　　在如今的汽車(chē)中，為了提高舒適度和行車(chē)體驗(yàn)而設(shè)計(jì)了座椅加熱、空調(diào)、導(dǎo)航、信息娛樂(lè)、行車(chē)安全等系統(tǒng)，從這些系統(tǒng)很容易理解在車(chē)中為各種功能供電的電子系統(tǒng)的好處?，F(xiàn)在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時(shí)，在汽油動(dòng)力汽車(chē)中，一個(gè)電子組件都沒(méi)有。在世紀(jì)交替時(shí)期的汽車(chē)開(kāi)始有了手搖曲柄，前燈開(kāi)始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發(fā)出提示信息了。如今的汽車(chē)正處于徹底變成電子系統(tǒng)的交界點(diǎn)，最大限度減少了機(jī)械系統(tǒng)的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數(shù)字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因
關(guān)鍵字：電源 MOSFET

電動(dòng)汽車(chē)打開(kāi)應(yīng)用窗口：SiC產(chǎn)品要來(lái)了！

隨著技術(shù)的不斷更新?lián)Q代，以及電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的巨大助力，SiC產(chǎn)品有望迎來(lái)快速增長(zhǎng)期。
關(guān)鍵字：電動(dòng)汽車(chē) SiC

缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能國(guó)產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)

　　MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國(guó)內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì)持續(xù)，只是幅度不會(huì)像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說(shuō)。　　MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類(lèi)元器件
關(guān)鍵字： MOSFET DFN

600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準(zhǔn)

　　017年11月24日，德國(guó)慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿(mǎn)足了高功率SMPS市場(chǎng)對(duì)諧振拓?fù)涞男枨?。它的LLC和ZVS PSFB等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渚邆錁I(yè)內(nèi)領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設(shè)備電源和電動(dòng)汽車(chē)充電站等高功率SMPS應(yīng)用?！　?nbsp;&n
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能國(guó)產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)

　　MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國(guó)內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì)持續(xù)，只是幅度不會(huì)像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說(shuō)。　　MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類(lèi)元器件
關(guān)鍵字： MOSFET 晶圓

功率因數(shù)校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？

功率因數(shù)校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？-近年來(lái)，隨著汽車(chē)、通信、能源、綠色工業(yè)等大量使用MOSFET的行業(yè)的快速發(fā)展，功率MOSFET備受關(guān)注。
關(guān)鍵字： MOSFET 功率因數(shù) Vishay

MOSFET芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)至車(chē)用電子供貨緊張

　　面對(duì)國(guó)際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產(chǎn)能大量移轉(zhuǎn)到車(chē)用電子領(lǐng)域，并開(kāi)始采取限量供應(yīng)MOSFET芯片給PC、NB及移動(dòng)裝置產(chǎn)品客戶(hù)的情形，大中、富鼎、尼克森等臺(tái)系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營(yíng)收成長(zhǎng)力道，客戶(hù)追加訂單的盛況更是前所未見(jiàn)。雖然第4季全球PC及NB市場(chǎng)需求照理說(shuō)會(huì)開(kāi)始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺(tái)需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶(hù)對(duì)于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關(guān)注態(tài)度，臺(tái)系MOSFET芯片供應(yīng)商多已表達(dá)淡季不淡的樂(lè)觀預(yù)期看法
關(guān)鍵字： MOSFET 芯片