人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了.
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SiC 集成技術 生物電信號 采集方案
人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何
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EEG SiC 生物電信號采集 IMEC
功率因數校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準。由于北美沒有管理PFC的規定，能源節省和空間/成本的考慮成為在消費類產品、計算機和通信領域中必須使用PFC的
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碳化硅 肖特基二極管 電源 DCM PFC
實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數字電路開關控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
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三極管 MOSFET
“MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
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功率MOSFET MOSFET
在本設計小貼士中，我們來了解一下自驅動同整流器并探討何時需要分立驅動器來保護同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅動同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。
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分立器件 MOSFET 同步整流器 電源設計小貼士
分立器件可以幫助您節約成本。價值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅動器 IC 成本降低 10 倍。分立驅動器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關電流，從而提高穩壓和噪聲性能。
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德州儀器 分立器件 MOSFET 電源設計小貼士
即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統中插入或移除電路板，從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題。控制器 IC 驅動與插入電路板之電源相串聯的功率 MOSFET 開關 (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
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安全工作區 MOSFET LTC4233 熱插拔 熱插拔控制器
在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網絡的各種電壓代表各個溫度。
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熱插拔 MOSFET 網絡
GaN 功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產品可提高汽車系統電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術的汽車零配件大廠電裝株式會社選用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時將頂部的源極曝露在
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意法半導體 MOSFET
<概要> 全球知名半導體制造商ROHM面向工業設備用的電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。 本產品通過ROHM獨有的模塊內部結構及散熱設計優化，實現了600A額定電流，由此，在工業設備用大容量電源等更大功率產品中的應用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應
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ROHM SiC
汽車功率電子產品正成為半導體行業的關鍵驅動因素之一。這些電子產品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車續航里程達到至少200英里的核心部件。
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩健增長，2015-2020年該行業的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
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SiC GaN
碳化硅(sic)mosfet介紹
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