Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節省各種電源轉換與控制產品應用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節省空間的特點，有利于使用負載點 (PoL) 與電源管理模塊的一系列產品應用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉換器與半橋電源拓撲，以縮小功率轉換器解決方案的尺寸。P
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MOSFET PoL
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出柵驅動器開關IPD[1]“TPD7107F”。該產品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級低導通電阻N溝道MOSFET[2]，適用于負載電流的高側開關。作為一種電子開關，這種新型IPD能夠避免機械繼電器的觸頭磨損，有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗，同時還提供免維護功能。通過提供增強功能（自我保護功能和輸出到微控制器的各種內置診斷功能）以支持車載ECU所需的高可
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柵極驅動器 MOSFET IPD ECU
英飛凌科技股份公司進一步壯大?StrongIRFET? 40-60 V MOSFET產品陣容?，近日推出三款采用D2PAK 7pin+封裝的新器件。這些新器件具備極低的RDS(on)和高載流能力，可針對要求高效率的高功率密度應用提供增強的穩健性和可靠性。這三款全新MOSFET瞄準電池供電應用，包括電動工具、電池管理系統和低壓驅動裝置等。全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項，有助于選擇應對設計挑戰的理想功率器件。此外，
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電池 MOSFET
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產品在30 V至60 V工作電壓范圍內可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車等要求
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Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
2020年2月，碳化硅的領導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場景的？下一步產品計劃如何？碳化硅業的難點在哪里？為此，電子產品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統事業部大中華區 開關電源應用高級市場經理 陳清源據悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
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MOSEFT 碳化硅 SMD
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia發布了一系列MOSFET產品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產品應用，包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節省了超過36%的空間。由于采
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?Nexperia MOSFET
作為碳化硅技術全球領先企業的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產品組合，適用于更廣闊的工業應用，助力新一代電動汽車車載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用，提供業界領先的功率效率。
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科銳 650V MOSFET 電動汽車
王? 瑩? （《電子產品世界》編輯）近期，多家公司發布了碳化硅 （SiC）方面的新產品。作為新興 的第三代半導體材料之一，碳化硅 具備哪些優勢，現在的發展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統事 業部大中華區開關電源應用高級市 場經理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構，例如電流連續模 式
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202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
近期，多家公司發布了碳化硅（SiC）方面的新產品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優勢，現在的發展程度如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會，電子產品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業部,大中華區,開關電源應用,高級市場經理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構，例如電流連續
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SiC UPS
GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導體（ON Semiconductor），宣布執行一項為期五年的協議，總價值可達5,000萬美元。根據該協議，GTAT將向高能效創新的全球領袖之一的安森美半導體生產和供應CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長市場和應用。
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GT Advanced Technologies 安森美 碳化硅
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車行業一級綜合性供應商——聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
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OBC SiC MOSFET
近日，推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二
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SiC WBG
各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續致力于應對汽車和工業市場的挑戰，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。該可擴展
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SiC IPM
顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?現場應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產品動向。 關鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業領域，各類電機在技術方面都出現了新的 需求。?在家電領域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規劃路線，然后執 行移動以及相應
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202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
Steven?Shackell? （安森美半導體?工業業務拓展經理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機；工業電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。 關鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非常看好無刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
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202003 電機 電動工具 MOSFET 工業 IGBT IPM
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