首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

        碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

        功率MOSFET在集成驅(qū)動電路中的設(shè)計應(yīng)用簡析

        • 功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動電路中得到了廣泛的應(yīng)用,此前我們曾經(jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動電路中的常見應(yīng)用方式,在今天的文章中
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動電路  電源  

        干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動電路設(shè)計分享

        • 功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升,在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中,利用MOSFET完成驅(qū)動電路的設(shè)計不僅省時省力,還具有
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動電路  設(shè)計  

        同步整流降壓式DC-DC變換器應(yīng)怎樣選擇MOSFET?

        • 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計中都得到了廣泛的應(yīng)用,而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說,怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán),需要研
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  同步整流  DC-DC  

        6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門

        • 由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動進(jìn)行輔助
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  隔離驅(qū)動  

        MOSFET開關(guān)損耗分析

        • 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題,通過對MOSFET柵極電荷、極間
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  帶電插拔  緩啟動  開關(guān)損耗  

        基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

        • 1.MOSFET柵極驅(qū)動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點,因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies,S
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  筆記本電源  降壓變換器  

        大國器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會

        • 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變,實現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級,優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
        • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  MOSFET  

        SiC元件2023年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)14億美元

        •   市場研究單位Yole Développement(Yole)指出,碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力,包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預(yù)測到2023年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將達(dá)14億美元,2016年至2023年間的復(fù)合成長率(CAGR)為28%,2020~2022年CAGR將進(jìn)一步提升至40%。  包括xEV、xEV充電基
        • 關(guān)鍵字: SiC  PFC  

        功率MOSFET關(guān)斷損耗計算攻略

        • 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計算方式,供大家參考。
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  關(guān)斷損耗  

        看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第1部分―UIS/雪崩額定值

        • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  雪崩  

        碳化硅/氮化鎵組件進(jìn)入商品化 電力電子產(chǎn)業(yè)迎來大革命

        • LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
        • 關(guān)鍵字: 碳化硅  氮化鎵  

        傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨:MOSFET全年漲價30%

        •   MOSFET漲價已經(jīng)很長一段時間,從今年年初至今,其漲價幅度已經(jīng)達(dá)到了5%-10%,相對另外一種被動元器件MLCC,MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡而言之,今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài),包括英飛凌、威世、意法半導(dǎo)體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能。  由于去年下半年以來,汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計算等新應(yīng)用加大對MOSFET的需求,導(dǎo)致電腦以及智能手機(jī)等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴(yán)重不足,價格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據(jù)市場表示,今年上半年MOSFET
        • 關(guān)鍵字: 中興  ODM  OEM  MOSFET  

        安森美半導(dǎo)體獲UAES頒發(fā)“年度杰出合作供應(yīng)商獎”

        •   推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor),宣布獲聯(lián)合汽車電子系統(tǒng)有限公司(United Automotive Electronic Systems,簡稱UAES)頒發(fā)“2017年度杰出合作供應(yīng)商獎”。安森美半導(dǎo)體是UAES最近的供應(yīng)商大會上3家獲獎的半導(dǎo)體供應(yīng)商之一。  該獎?wù)J同安森美半導(dǎo)體寬廣的產(chǎn)品陣容的價值,這些產(chǎn)品用于UAES領(lǐng)先行業(yè)的先進(jìn)汽車系統(tǒng)方案。安森美半導(dǎo)體能提供大量關(guān)鍵器件用于從動力總成到汽車功能電子化、從傳統(tǒng)模塊如發(fā)動機(jī)控制單元(ECU)和點火系統(tǒng)到最新的牽引
        • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC  

        快速充電用AC/DC電源設(shè)計

        • 提出了一種新型快速充電策略,并設(shè)計和制作了可滿足12 V/40 Ah鋰電池組快速充電需求的高功率密度AC/DC電源,介紹了AC/DC電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、關(guān)鍵元件選型及參數(shù)計算。快速充電器輸入PF大于0.98,額定工作點效率大于90%。可實現(xiàn)12.8 V/40 Ah鋰電池組3小時內(nèi)100%SoC快速充電。
        • 關(guān)鍵字: 快速充電  鋰電池組  PFC  LLC  SiC  201808  

        汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E

        • 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分,其能夠幫助實現(xiàn)各種各樣的功能,包括負(fù)載切換、電機(jī)控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  DC/DC轉(zhuǎn)換  SQJQ480E  
        共1892條 59/127 |‹ « 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 » ›|

        碳化硅(sic)mosfet介紹

        您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
        歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

        熱門主題

        樹莓派    linux   
        關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
        主站蜘蛛池模板: 特克斯县| 邢台县| 公主岭市| 平塘县| 邵阳市| 平果县| 景德镇市| 阳城县| 华容县| 海门市| 保康县| 贵德县| 陆良县| 神木县| 微博| 山东| 辽宁省| 广灵县| 上杭县| 凤城市| 武安市| 丰台区| 尚义县| 周至县| 乌鲁木齐县| 锡林郭勒盟| 丹东市| 潞西市| 巴林右旗| 义马市| 榆树市| 溆浦县| 久治县| 盱眙县| 康定县| 临汾市| 北宁市| 会昌县| 博白县| 盈江县| 九龙坡区|