碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊
基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇
- 10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創新中心聯合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行。 本屆高峰論壇和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟達成戰略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業領袖同臺論劍，給現場觀眾帶來了一場第三代半導體產業的盛宴。 立足國際產業發展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發展的現狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰，以及面向未來的戰略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關鍵字： 基本半導體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導體 中歐論壇
高功率單片式 Silent Switcher 2 穩壓器 滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間
- 隨著汽車中電子系統數量的成倍增加，車內產生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發射做了嚴格的限制。由于其本身的性質，開關電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
- 關鍵字： MOSFET，LT8650S
Power Integrations發布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。 900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
- 關鍵字： Power Integrations MOSFET
Power Integrations發布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。 900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
- 關鍵字： Power Integrations MOSFET
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
- Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品的重要補充，也是Littelfuse公司已發布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000 碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
- 關鍵字： Littelfuse MOSFET
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