- 隨著設備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個優先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經為新型電力電子產品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅動器可以減少 30% 的能量損耗，同時限度地延長系統正常運行時間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅
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SiC
- 在半導體行業的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。隨著電動汽車功率半導體價值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠商競相投資擴大產能，并且在未來的五年里，它的熱度只會增不會減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業的投資并購動作中也可窺見一二。國內上半年融資創三年之最2021 年有多家碳化硅企業獲得了投資機構的青睞，相繼宣布完成融資，行業內也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達到 21.32 億元，數量達到 15 起。2022 年也是碳化
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碳化硅
- 合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。圖 1：必須與 SiC MOSF
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MOSFET
- “能夠優先掌握SiC這種領先技術的國家，將能夠改變游戲規則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響。” Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領導的工程研究人員從美國國家科學基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學開始建設一個國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學生提供SiC相關技術的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領域發展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產線，能夠讓美國大學，企業以及政府研究人員進行長期
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SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
- 歐洲是世界半導體的重要一極，ST（意法半導體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱為歐洲半導體的三駕馬車，也是全球知名的半導體巨頭。ST的特點是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門1、自帶一定的應用市場，ST要靠自己找市場、摸爬滾打，以解決生存和發展問題。據市場研究機構Garnter數據，ST 2022年營收158.4億美元，年增長率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導體公司。大浪淘沙、洗牌無數的半導體行業，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導體巨頭的？又是如何布局未來的？表1 202
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意法半導體 MCU SiC
- 【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態開關應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優化熱性能、實現緊湊輕便的系統設計，同時以低成本實現高質量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產品陣容。該系列器件主要適用于開關電源（SMPS）、太陽能系統、電池保護、固態繼電器（SSR）、電機啟動器和固態斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器
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英飛凌 高壓超結 MOSFET
- 在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
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安森美 MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現可持續發展的社會，對消費電子和工業設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
- 2023年7月19日--智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創新可持續的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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安森美 博格華納 碳化硅
- 汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導體的價值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來了發展良機。先看功率半導體，車規功率半導體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業還是功率半導體企業都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統
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功率半導體 SiC GaN 模擬芯片
- 英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動汽車的主驅動。根據協議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經拉長到50%以上，市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態，整體積壓訂單金額超過
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英飛凌 賽米控 電動汽車芯片 SiC IGBT
- 全球車用SiC功率組件市場，目前主要由IDM大廠獨霸，根據統計，全球SiC產能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產能，并宣布買下日本一家太陽能系統廠的舊工廠，未來將引進SiC功率半導體8吋晶圓產線到工廠內，預計在2024年底啟動，將使羅姆的SiC功率半導體產能，到2030年增加為2021年的35倍。根據日本朝日新聞、日經新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
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羅姆 SiC
- 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產業鏈已經有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發現這個用在主驅的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
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SiC Traction模塊 安森美 202311
- 全球范圍內正在經歷一場能源革命。根據國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。如今，在遠大的清潔能源目標和政府政策的驅動下，太陽能、電動汽車 (EV) 基礎設施和儲能領域不斷加快采用可再生能源。可再生能源的逐漸普及也為在工業、商業和住宅應用中部署功率轉換系統提供了更多機會。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件，可幫助設計人員平衡四大性能指標：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比傳統基于 IGBT 的電源應用在可再生能源系統中的優
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TI 碳化硅
- 功率MOSFET最常用于開關型應用中，發揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為常“開”開關運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關型應用中，發揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
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MOSFET MOS
碳化硅(sic)mosfet介紹
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