2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學與智能電源和智能感知技術的領先企業安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開展一項總額達 800 萬美元的戰略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學材料研究所 (MRI) 開設安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學領導團隊慶祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開展總額達 800 萬美元的戰略合作，其中包
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安森美 碳化硅
SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現在是Littelfuse公司的一部分）在2012年開發。SMPD只有硬幣大小，具有幾項關鍵優勢：·
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Littelfuse SMPD MOSFET
2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布與Kempower達成戰略協議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴展的電動汽車（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產品在內的各種功率半導體技術，開發電動汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。 安森美為Kempower 的Satellit
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安森美 Kempower 充電樁 EliteSiC MOSFET 電動汽車快充
2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發 L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調、內部環路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
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意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動
奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數據手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態響應這些變化。 這些交互式數據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數據手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
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Nexperia 交互式數據手冊 MOSFET
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經在推動向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優勢，因為使用更高的電壓意味著系統可以在更低的電流下運行，同時實現相同的功率輸出。較低電流的優點是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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安森美 IGBT SiC
MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數字電路都成功地實現了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進行分析。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化的基礎上推導出來。截止區、三極管區和飽和區是MOSFET的三個工作區。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時，器件處于截止區。當MOSFET用作
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雷卯 MOSFET
碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻，將其作為特定技術的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關損耗），與實際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個標準，或許還
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英飛凌 SiC MOSFET
4月24日，基本半導體車規級碳化硅芯片產線通線儀式在深圳市光明區舉行。此次車規級碳化硅芯片產線的成功通線，是基本半導體打造國產碳化硅功率器件IDM領先企業的一大重要戰略布局。據官微介紹，基本半導體車規級碳化硅芯片產線項目獲得國家工信部的產業專項支持，并連續兩年入選深圳市年度重大項目，廠區面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業設備，主要產品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產線達產后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。項目通過打造垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代
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基本半導體 車規級 碳化硅
據國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業務。目前，博世和TSI公司已經達成協議，但并未透露此次收購的具體細節，且這項收購還需要得到監管部門的批準。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開發和生產200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學等行業的應用。而博世在半導體領域的生產時間已超過60年，在全球范圍內投資了數十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認為，此次收購
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博世 TSI 半導體 SiC
近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產業化工作取得重大進展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產能力實現大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導體器件的關鍵材料。電科材料持續布局第三代半導體外延材料研發生產，實現一系列技術突破，在碳化硅外延領域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發。同時，積極與國產設備廠商合作開發生產裝備，推動碳化硅核心裝備國產化。未來，電科材料將持續創新突破，推出更多高端碳化硅材料產品。
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電科材料 6英寸 碳化硅
4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環節，布局完成后將形成：外延設備+外
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在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
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SiC MOSFET 柵極驅動 安森美
大家應該還記得，當遭受國補退坡重創的電動汽車于2019-2020年間慢慢恢復元氣，開始走出國補退坡的陰影時，市面上開始出現了一些在性能上追平甚至超越傳統燃油車的電動汽車，當時的電動車市場呈現出來的是典型的啞鈴型結構：便宜的A00級車型和30萬以上的高端車型（包括部分B級車和C級車）賣得很好，但在10-30萬的主流區間，電動車企的表現一直比較慘淡。這種市場格局在2016-2021國內乘用車分級別電動化率走勢圖上一展無遺，歷時五年的時間，A00車已經達到了90%以上的滲透率。這兩年來，市場格局風云變幻，正如歐
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