碳化硅(sic)mosfet 文章最新資訊

使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法

電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過(guò)大，以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì)導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個(gè)特定值。大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換器都有過(guò)流限制器，以保護(hù)其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉(zhuǎn)換器中，甚至可以調(diào)整閾值。圖1. 每個(gè)端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內(nèi)置甚至可調(diào)節(jié)限流器的DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。在這種情況下，無(wú)需額外的限流器模塊。不過(guò)，也有許多應(yīng)
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Ameya360：平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET區(qū)別

今天,Ameya360給大家介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因?yàn)榻酉聛?lái)的幾篇將談超級(jí)結(jié)MOSFET相關(guān)的話(huà)題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和特性對(duì)使用區(qū)分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
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新能源汽車(chē)時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC（碳化硅）

前言 1824年，一種全新的材料被瑞典科學(xué)家，貝采里烏斯合成出來(lái)，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無(wú)奇的樣子，仿佛是隨處可見(jiàn)的灰燼，也許誰(shuí)也沒(méi)能想到，就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒，將會(huì)在近200年后，在其之上長(zhǎng)出絢爛的花朵，幫助人類(lèi)突破半導(dǎo)體的瓶頸。在人類(lèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越，無(wú)論是成本還是性能都達(dá)到了完美的平衡，自然對(duì)于碳化硅（SiC）沒(méi)有過(guò)多的注意。直到20世紀(jì)90年代，Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸，再次激發(fā)
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GaN 時(shí)代來(lái)了？

隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計(jì)第三代化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會(huì)產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺(tái)積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿(mǎn)足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級(jí)，并具備高載流能力，因此非常適合汽車(chē)和機(jī)車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
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FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現(xiàn)象下半年將持續(xù)

2023 年，半導(dǎo)體和電子元件價(jià)格正在穩(wěn)定，但仍有部分產(chǎn)品短缺。
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碳化硅快充時(shí)代來(lái)臨，800V高壓超充開(kāi)始普及！

一直以來(lái)，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車(chē)脖子的關(guān)鍵問(wèn)題，是車(chē)企和車(chē)主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來(lái)，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開(kāi)始了普及。相比于400V，800V帶來(lái)了更高的功效，大幅提升功率，實(shí)現(xiàn)了15分鐘的快充補(bǔ)能。而構(gòu)建800V超充平臺(tái)的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領(lǐng)著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺(tái)Si（硅）早已
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安森美的碳化硅技術(shù)將整合到寶馬集團(tuán)的下一代電動(dòng)汽車(chē)中

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi）近日宣布與寶馬集團(tuán)（BMW）簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議（LTSA），將安森美的EliteSiC技術(shù)用于這家德國(guó)高端汽車(chē)制造商的400?V直流母線電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個(gè)全橋功率模塊中，可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰(zhàn)略合作針對(duì)電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)和整合，使安森美能為特定應(yīng)用提供差異化的芯片方案，包括優(yōu)化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優(yōu)化的電氣和機(jī)械特性實(shí)現(xiàn)高效率和更低的整體損耗，同時(shí)提供極高的系
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詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小，從而有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時(shí)散熱效果并不理想。由于器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到覆銅區(qū)，這導(dǎo)致熱量主要通過(guò)PCB進(jìn)行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過(guò)空氣對(duì)流來(lái)散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無(wú)論電路板是
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特斯拉要削減碳化硅使用量，相關(guān)芯片制造商股價(jià)應(yīng)聲下跌

3 月 3 日消息，美國(guó)電動(dòng)汽車(chē)制造商特斯拉在首次投資者日活動(dòng)上表示，計(jì)劃減少下一代電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)中碳化硅晶體管的使用量，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四相關(guān)芯片制造商的股價(jià)紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動(dòng)討論的一個(gè)主要內(nèi)容是效率提升和成本控制。特斯拉動(dòng)力系統(tǒng)工程負(fù)責(zé)人科林?坎貝爾（Colin Campbell）登臺(tái)展示了公司計(jì)劃如何在保持高性能和轉(zhuǎn)化效率的同時(shí)降低汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)的成本。坎貝爾透露，“在我們的下一代動(dòng)力系統(tǒng)中，作為關(guān)鍵部件的碳化硅晶體管價(jià)格昂貴，但我們找到了一種方法，可以在不影響汽車(chē)性能或效率的情況下
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銀河微電：功率MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)Clip Bond技術(shù)量產(chǎn)

銀河微電12月20日在互動(dòng)平臺(tái)表示，功率MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)；IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn)，未來(lái)將根據(jù)市場(chǎng)情況逐步系列化；DFN0603無(wú)框架封裝已完成工藝驗(yàn)證，性能指標(biāo)符合開(kāi)發(fā)目標(biāo)要求；CSP0603封裝已完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，未來(lái)芯片線改擴(kuò)建時(shí)將進(jìn)行成果轉(zhuǎn)化。
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！

當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿(mǎn)足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的首選功率半導(dǎo)體是正確的，請(qǐng)考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級(jí)結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)

在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來(lái)了一種替代材料，它能減輕對(duì)硅的依賴(lài)。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢(shì)。由于漏電流更小且?guī)陡螅骷梢栽诟鼘挼臏囟确秶鷥?nèi)工作，而不會(huì)發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性，所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用，例如電源、純
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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍，簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應(yīng)協(xié)議

日前，英飛凌科技繼續(xù)擴(kuò)大了與碳化硅（SiC）供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中，約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC材料，協(xié)議后期則會(huì)助力英飛凌向8英寸晶圓的過(guò)渡。合作過(guò)
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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅（SiC）供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中，約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來(lái)搬運(yùn)和安裝該系統(tǒng)，將會(huì)非常利于運(yùn)維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源，而且使設(shè)備更小、更輕，相關(guān)的資本、安裝和維護(hù)成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)中，1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時(shí)要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
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