- 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動器，專為高功率應用的高系統效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統設計及開發。 NCD57000 可在輸入側提供 5
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NCD57000 驅動器 IGBT MOSFET onsemi 馬達控制
- 在工業、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展，從而實現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業系統（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽
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安森美 SiC
- 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動系統的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。EiceDRIVER?增強型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅動芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護、
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MOSFET EiceDRIVER MOSFET
- 在工業、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展，從而實現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業系統（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽
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碳化硅 SiC
- 近日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺。為了充分發揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優勢，意法半導體和博格華納技術團隊密切合作，力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開關匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅架構尺寸并提升經濟效益。意法半導體汽車和分立器件產品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
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意法半導體 博格華納 SiC 沃爾沃
- 近期，三安半導體發布消息稱，公司攜碳化硅全產業鏈產品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC
MOSFET外，三安半導體還首發了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產品參數后，表示已經確認采購意向。圖：三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發、設計、制造及服務，目前建立具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業生產基地。湖南三安半導體是三安
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8英寸 碳化硅
- STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。電路設計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時，測量峰值效率為96.3%
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ST 第三代半導體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無橋PFC 全橋LLC 數字電源
- ●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現電動化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現有和未來的多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創新和可持續移動解決方案的全球領導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
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意法半導體 SiC 博格華納 功率模塊 沃爾沃 電動汽車
- 隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起，在可預見的未來里，電能都將會是人類社會發展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數字。比如在中國，根據國家能源局發布的數據，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。圖1：全社會用電量統計（圖源：貿澤電子）各行業電氣化進程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個嚴峻的問題，那就是節能。當前，任何一種用電設備在設計之初，都會將高能效和低能
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Mouser 碳化硅 功率器件
- 我們設計了一個使用 MOSFET 的功率放大電路，可產生 100W 的輸出功率，驅動約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優點。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅動器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅動級是帶有電流鏡負載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅動電路簡單、熱穩定性較低、輸入阻抗高等優點。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產生無噪聲放大信號
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功率放大器 MOSFET
- _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數據中心和電動汽車領域。根據彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
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寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
- 在科技領域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯網、人工智能和物聯網等領域的迅速發展，芯片技術也不斷突破創新。而在這股技術浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優勢正愈發引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統芯片巨頭的重磅投資，人們開始紛紛關注，碳化硅芯片是否即將主宰市場？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優異的耐受性而備受關注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
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碳化硅芯片 SiC 阿斯麥
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。然而，預計未來幾年內DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發布了業界首款
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東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊
- TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創建高性能、高效率的牽引逆變器系統并更快地將其推向市場提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統技術（包括用于驅動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅動強度的高性能隔離式柵極驅動器）如何通過降低電壓過沖來提高系統效率。隔離式柵極驅動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
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SiC 牽引逆變器
- 隨著碳化硅（SiC）在電動汽車、新能源等領域的應用日益廣泛，市場需求不斷增長。近期，一批碳化硅項目集中開工，部分公司接到批量訂單，推動了碳化硅加速量產。傳播星球App聯合創始人由曦向《證券日報》記者介紹，碳化硅的應用場景主要包括電動汽車、光伏發電、充電樁、電力電子等領域。近年來，我國在碳化硅領域的研究和應用取得快速發展，一些項目已經落地實施。例如，在新能源汽車的高壓充電技術方面，碳化硅作為其中的關鍵材料，其需求正日益增長。“碳化硅作為一種優良的半導體材料，具有耐高壓、導熱好、耐高溫等優點，是實現高壓快充技
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碳化硅 新能源
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條碳化硅(sic)mosfet!
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