被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業近日又隨著華為發布SiC電驅平臺再被關注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風暴下，業界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產業鏈布局近日華為舉辦了智能電動新品發布會，并發布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構”的充電網絡解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動，以及A級純電車型動力總成解決方案，目標是不斷提升整車度電里程和升油里程
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特斯拉 碳化硅
新推出40V～150V耐壓的共13款產品，非常適用于工業設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業和消費電子設備用的電機等。近年來，全球電力需求量持續增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業設備的工作
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ROHM 超低導通電阻 Nch MOSFET
在國內新能源車市場，特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”，一舉一動總能攪動起不小的“水花”。近日，“鯰魚”特斯拉在其投資者活動日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關板塊，引發A股碳化硅中的個股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車中占據著重要位置，相關概念在資本市場上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動碳化硅上車的“先驅”。如今，特斯拉對碳化硅的態度出現180度大反轉，背后的真實意圖是什么？將會對國內新能
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特斯拉 碳化硅 新能源車企
簡介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅動器的理想靜態和動態特性。 為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導體開關器件的半導體物理學原理，以便掌握非理想器件的電氣現象及其對目標應用的影響。理想開關在關斷時的電阻無窮大，導通時的電阻為零，并且可在這兩種狀態之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結構中的導通狀態電流
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SiC Microchip
據外媒報道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據報道涉及供應數量達數百萬的SiC模塊。報道稱，到2030年，采埃孚在電動汽車領域的訂單總額預計將超過300億歐元，公司高管Stephan
von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商。“在
意法半導體，我們現在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統方面的經驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質量和所需數量生產模塊。”意法半導體汽車和分立
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據外媒報道，近日，德國汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導體廠商意法半導體（ST）共同發布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規級SiC器件在量和質上的需求。采埃孚將于2025年量產新型模塊化逆變器架構，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計劃2025年
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近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據悉，進化半導體是以國際首創無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業，創立于2021年5月，專注于以創新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發、生產和銷售的科技型企業。為滿足日益增長的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
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碳化硅 氧化鎵
4月7日，中國汽車芯片產業創新戰略聯盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產化。在成立大會暨汽車功率芯片發展研討會期間，第一財經記者獲悉，汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會，降本提質是國產功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵；三安光電用于電動車主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”。 汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會 有行業專家向第一財經記者表示，一輛電動車如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發總院芯片規劃總監郭宇輝告訴第一財經記者
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【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
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2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經過優化，可為能源基礎設施和工業驅動應用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工業應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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因應日趨嚴苛的能源效率規范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態切換的應用場合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統效率，與傳統bridge diode相比，在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
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Infineon S7 MOSFET 電源整流
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。近年來，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節能。據了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時所產生的噪聲，主要通過添加部件和改變
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超快反向恢復時間 Super Junction MOSFET MOSFET
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家帶來更多有價值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
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英飛凌 MOSFET
今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發揮發展，其中整體產值又以碳化硅占80%為重。據悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動汽車和可再生能源等領域。碳化硅技術的主要優勢包括更少的開關能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業對功率半導體需求的增加
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３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯網和汽車等領域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯生態壁壘物聯網讓我們曾經暢想的萬物互聯生活逐漸成為現實，但要將數以百億計的設備進行有效的互聯還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
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