英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性

在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電池化成等。

新產(chǎn)品可在更大電流下提供更出色的開關(guān)性能，相比于最佳硅器件，其反向恢復(fù)電荷（Qrr）和漏源電荷（Qoss）降低了80%。通過降低開關(guān)損耗，該產(chǎn)品可在縮小系統(tǒng)尺寸的同時，實現(xiàn)開關(guān)頻率，從而提高能效和功率密度。溝槽技術(shù)為實現(xiàn)卓越的柵極氧化層可靠性奠定了基礎(chǔ)，加之經(jīng)過優(yōu)化的耐雪崩擊穿能力和短路耐受能力，即使在惡劣環(huán)境中亦可確保極高的系統(tǒng)可靠性。SiC MOSFET不僅適用于連續(xù)硬換向情況，而且可以在高溫等惡劣條件下工作。由于它們的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）受溫度的影響小，這些器件實現(xiàn)了出色的熱性能。

由于具備較寬的柵源電壓（V_GS）范圍，為-5 V至23 V， 支持0 V關(guān)斷以及大于4 V的柵源閾值電壓（V_GS(th)），新產(chǎn)品可以搭配標準的MOSFET柵極驅(qū)動器IC使用。此外，新產(chǎn)品支持雙向拓撲，具有完全的dv/dt可控性，有助于降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜度，并且易于在設(shè)計中使用和集成。.XT互連技術(shù)大幅提高了封裝的散熱性能。與標準互連技術(shù)相比，.XT互連技術(shù)可額外耗散30%的損耗。英飛凌新推出的采用D2PAK 7引腳封裝的SiC MOSFET產(chǎn)品組合包括10款新產(chǎn)品，是市面上型號最齊全的產(chǎn)品系列之一。

供貨情況

采用D2PAK 7引腳封裝（TO-263-7）的650 V CoolSiC MOSFET系列新產(chǎn)品現(xiàn)已開放訂購。