- IT之家 12 月 11 日消息，據中國科學院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項研究成果入選第 14 屆氮化物半導體國際會議 ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半導體材料在光電子、能源、通信等領域具有廣泛的應用前景。隨著下游新應用的快速發展以及襯底制備技術的不斷突破，氮化物半導體功率器件實現了成本和效率的大幅改善，
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氮化鎵
- ●? ?助力工程師開發系統尺寸減半且效率超過 95% 的交流/直流解決方案，從而簡化散熱設計●? ?全新氮化鎵器件可兼容交流/直流電源轉換中常見的拓撲結構德州儀器 (TI)近日發布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業系統的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應晶體管 (FET) 全系列產品均集成了柵極驅動器，能解決常見的散熱設計問題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。德州儀
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- 多年前，僅僅65W左右的筆記充電器如同磚頭一般大小，外出攜帶十分不便，但隨著隨著氮化鎵器件的全面使用，充電器的功率密度已經翻了一倍有余，同樣65W的充電器只有之前的一半大小，很輕松就可以放入包內攜帶。但隨著充電器集成度越來越高，對ACDC芯片的要求也愈加苛刻。為應對市場需求，鈺泰半導體潛心研發，相繼推出ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片。鈺泰半導體ACDC芯片鈺泰半導體ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片部分規格如圖
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- 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發新型半導體激增，電力半導體行業的幾十年舊規范正面臨挑戰。人工智能熱潮是否會產生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術的行業正受到新材料制造的設備的挑戰和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發始于上個世紀，但它們的技術成熟度與可持續發展運動相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
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- 在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產品，詳細解釋了三類產品的優劣，以及PI對于三種產品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產品的特點及優勢。在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可
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- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN?開關技術。InnoSwitch?3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列的最新成員。它具有同步整流和FluxLink?安全隔離反饋功能，并且提供豐富的開關選項，包括725V硅開關、1700V碳化硅開關以及其它衍生出
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- 緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅動、智能儀表和工業系統等。對于這些離線反激式電源的設計者來說，面臨的挑戰是如何確保穩健性和可靠性，同時繼續降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關。這樣做直接轉化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實現更高的功率密度。然
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- 今年3月，一場收購案迅速登上氮化鎵（GaN）領域頭條，因為主角是多年蟬聯全球功率半導體市場占有率第一的英飛凌。幾個月過去，這場收購案迎來了結局。10月25日，英飛凌官微指出，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN
Systems，以下同）。該交易已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束后，GaN
Systems已正式成為英飛凌的組成部分，并為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。市場競爭力再上一層樓2023年3月2日，英飛凌和G
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- 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術為打造更加低碳節能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
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- 氮化鎵功率半導體產品的全球領先企業Transphorm, Inc.近日發布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優勢』的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實現常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優勢。要點白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關鍵優勢，包括：1.性能更高：優越的 TCR (~25%)，更低的動態與靜態導通電阻比
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- 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業模式運營的上市公司，這意味著在器件開發的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
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- 數位經濟正經歷一場由兩大趨勢驅動的巨大變革，即時數據分析的龐大需求為其一，另一則是生成式人工智能（Generative
AI）的快速發展。一場激烈的生成式AI競賽正如火如荼的進行中，科技巨頭如亞馬遜（Amazon)、谷歌（Google)、微軟（Microsoft）皆大舉投資生成式AI的研發創新。根據彭博智庫（Bloomberg
Intelligence）預測，生成式AI市場將以42%的年增率成長，從2022年400億美元市值，于10年內擴大至1.3兆美元。在AI的蓬勃發展下，數據中心對電力與運算的
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- 幾乎所有現代工業系統都涉及交流/直流電源，這些系統從交流電網獲得能量，并將經過妥善調節的直流電壓輸送到電氣設備。隨著全球功耗增加，交流/直流電源轉換過程中的相關能量損耗，成為電源設計人員整體能源成本考慮的重要部份，特別是高耗電電信和服務器應用的設計人員。 氮化鎵有助于提高能效并減少交流/直流電源的損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，透過最低 0.8% 的效率增益，采用氮化鎵的圖騰柱功率因子校正（PFC）有助于100 MW數據中心在10年內節省多達700萬美元的能源成本。 選擇正確的 PFC 級拓
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