- 第三代半導體材料技術正在成為搶占下一代信息技術、節能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰略性新興產業的重要組成內容。
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半導體 氮化鎵 碳化硅
- 英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強型HEMT和氮化鎵開關管專用驅動IC(GaN EiceDRIVER? IC)，精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產品的優越性：它們具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕便的設計，從而降低系統總成本和運行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列
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- 將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。
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- 我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場
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氮化鎵 可靠運行
- LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
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- Ahmad Bahai，德州儀器(TI)公司首席技術官 我們可以想象一下：當你駕駛著電動汽車行駛在馬路上，電動車充電設備的充電效率可以達到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機驅動比目前應用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進口袋。 電子設備的未來取決于電源管理創新。 或者設想一下：每個簡單的互聯網搜索查詢使用的電力足以灼燒一個60瓦燈泡約17秒。現在乘上每天發生的數十億次的查詢，便可以獲得數十億千瓦時的能耗。 更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(G
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- 近年來，由于節能環保的概念日益深化，在資源有限的現實環境下，各國政府以及相關機構也相應制定出法律法規，積極發展綠色能源。像太陽能、電動車，以及充電站等配套設備，需要依靠高效率的電源轉換器，才能使設備發揮出最佳性能。
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英飛凌，電源轉換器技術，氮化鎵
- 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時，綜合測試數據已證實，硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術。 硅基氮化鎵成為射頻半導體
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- 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產品。
“不會游泳的時候就跳下了水”
蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商， 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發，逐步研發成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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- 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業MOSFET在五年后發布生產，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。
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- 隨著氮化鎵(GaN)不斷應用在二極管、場效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業內專家直言，電力電子產業即將迎來技術的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統硅元件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指標，也是硅元件難以望其項背的。特別是近年來隨著氮化鎵廣泛被應用于手機快充、電源以及5G市場，氮化鎵即將引領半導體技術革命的呼聲越來越高。
有望于手機快充、5G市場起飛
當下，氮化鎵的主要應用市場是手機快充、電源產業。近年來手機快充技術不斷發展，已成為智能手機標配，而促進其普及的重要推手便是氮化
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- 6月26日電(記者余曉潔)到2030年，第三代半導體產業力爭全產業鏈進入世界先進行列，部分核心關鍵技術國際引領，核心環節有1至3家世界龍頭企業，國產化率超過70%……第三代半導體發展戰略發布會25日在京舉行。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲如是描述我國第三代半導體的“中國夢”。
第二屆國際第三代半導體創新創業大賽同日啟動。大賽圍繞第三代半導體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應用及設計與仿真方面的技術應用創新，以及商業模式創新等內容征集參
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- 具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來氮化鎵將逐步在手機的5G功率放大器中出現，基地臺的功率放大器應用也是其另一項發展主力。
絡達科技技術長林珩之表示，5G基地臺的功率放大器將會以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(PowerHandle)，并以表現度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(Calibration)程序，成本會比較高。不過，基地臺的整體數量相較于手機應用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶
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- 本文介紹了氮化鎵的發展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進行對比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無線基站及射頻能量等方面的特性和未來發展的廣闊市場。
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氮化鎵 砷化鎵 LDMOS 201701
- 據報道，共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。
據了解，“氮化鎵”是天野研發的獲諾貝爾獎的藍色發光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研制氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合，加快研發進程。
天野是小出在名古屋大學念書時低一屆的學弟。兩人在名城大學終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學獎)門下一同進行
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