半導體行業在摩爾定律的“魔咒”下已經狂奔了50多年，隨著半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導體行業的加速度已經明顯放緩。除了進一步發展在摩爾定律下的制造工藝外，尋找硅（Si）以外新一代的半導體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。GaN是一種新型的半導體材料，中文名為氮化鎵，英文名稱是 Gallium nitride。它是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（Direct Bandgap）的半導體，也是一種寬禁帶半導體材料。與碳化硅（
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半導體材料 氮化鎵 充電
提起康佳這個品牌,相信很多人第一印象都會想到電視機。不過近些年由于市場競爭的家居,康佳電視的風光程度也大不如從前。不過康佳也早有未雨綢繆,從家電行業轉進半導體芯片市場的不止格力電器一家,康佳公司這兩年也開始布局芯片市場。并且成果漸顯,首款存儲芯片實現量產引發多方關注。康佳入場芯片領域康佳集團于1992年上市,曾是中國彩電和手機行業的龍頭公司,擁有消費多媒體、移動通信、信息網絡和相關配套器件等產業板塊。2018年5月,康佳宣布由家電企業轉型為以科技創新驅動的投資平臺,同時成立了半導體科技事業部,正式進軍芯片
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氮化鎵
加快先進功率氮化鎵解決方案的開發和上市；充分利用意法半導體的汽車市場專業知識和臺積電的世界領先的制造技術；改進寬帶隙產品的能效，使功率轉換應用獲得更高能效。
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ST TSMC 氮化鎵
美國加利福尼亞州圣何塞，2019年7月25日訊– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關電源IC的新成員。新IC可在整個負載范圍內提供95%的高效率，并且在密閉適配器內不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內部開發的高壓氮化鎵開關技術。準諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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Power Integrations 氮化鎵 InnoSwitch3 AC-DC變換器IC
5G時代即將來臨，有觀點認為第二代砷化鎵芯片面臨被取代的命運，甚至有許多砷化鎵廠商宣稱早已跨進第三代...
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據業內人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標志著今后國內各大芯片企業生產5G通信芯片，有望用上國產材料。
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在現實世界中，沒有人可以和“半導體”撇清關系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機以及電視等等，都會用到半導體元件。半導體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導體產業中一個很關鍵的組成部分，那就是半導體材料。
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第三代半導體材料技術正在成為搶占下一代信息技術、節能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰略性新興產業的重要組成內容。
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英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強型HEMT和氮化鎵開關管專用驅動IC(GaN EiceDRIVER? IC)，精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產品的優越性：它們具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕便的設計，從而降低系統總成本和運行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列
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將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。
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我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場
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LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
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Ahmad Bahai，德州儀器(TI)公司首席技術官 我們可以想象一下：當你駕駛著電動汽車行駛在馬路上，電動車充電設備的充電效率可以達到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機驅動比目前應用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進口袋。 電子設備的未來取決于電源管理創新。 或者設想一下：每個簡單的互聯網搜索查詢使用的電力足以灼燒一個60瓦燈泡約17秒。現在乘上每天發生的數十億次的查詢，便可以獲得數十億千瓦時的能耗。 更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(G
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氮化鎵 德州儀器
近年來，由于節能環保的概念日益深化，在資源有限的現實環境下，各國政府以及相關機構也相應制定出法律法規，積極發展綠色能源。像太陽能、電動車，以及充電站等配套設備，需要依靠高效率的電源轉換器，才能使設備發揮出最佳性能。
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英飛凌，電源轉換器技術，氮化鎵
數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時，綜合測試數據已證實，硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術。 硅基氮化鎵成為射頻半導體
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