松下與英飛凌曾共同研發了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。松下與英飛凌曾共同研發了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不
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氮化鎵 松下
Transphorm拓展中國區業務,擴大氮化鎵應用實驗室大中華區新增辦事處提升服務亞太區域電力電子客戶的能力 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc. 宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負責加強當地客戶支持、銷售和市場營銷工作，另外，該辦事處將作為當地支持客戶開發氮化鎵電源系統的應用實驗室，并同時支持全球研發工作。深圳辦事處將由Transphorm
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Transphorm 氮化鎵
加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負責加強當地客戶支持、銷售和市場營銷工作，另外，該辦事處將作為當地支持客戶開發氮化鎵電源系統的應用實驗室，并同時支持全球研發工作。深圳辦事處將由Transphorm現任亞洲銷售副總裁Kenny Yim管理，他同時也擔任中國區總經理一職。Trans
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Transphorm 氮化鎵
未來已來，氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護，完美展現了氮化鎵在先進應用中高效率低損耗的核心價值，讓工程師放心無憂采用氮化鎵。 普通消費者了解并接受氮化鎵，是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關特性，可以高頻工作，實現高轉換效率，氮化鎵PD快充成功實現了小型化和輕量化，消費者易于攜帶，用戶體驗大幅度提升。在過去
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氮化鎵 納芯微 隔離驅動器
德國時間2022年11月15日，Power Integrations亮相德國慕尼黑電子展，并推出了新款可編程、小巧及高效的零電壓開關電源IC——InnoSwitch4-Pro產品系列。了解PI產品的讀者肯定會記得，在上一代系列產品InnoSwitch3-Pro中，輸出功率為65W，適用于包括USB功率傳輸(PD)3.0 + PPS、Quick Charge? 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP，以及其他工業和消費類電池充電器、可調光LED鎮流器驅
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德國慕尼黑電子展 開關電源IC 氮化鎵 InnoSwitch4-Pro
11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產業鏈領先企業的講師親臨現場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經是第七屆。在嚴格遵守防疫規定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經歷風雨，怎么能
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碳化硅 氮化鎵 InP
宜普電源轉換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應用實現更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器，以及電機驅動器。?EPC 是增強型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領域的全球領導者，新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發貨的150 V EPC2308氮化鎵器件，用于電動工具和機器人的電機驅動器、用于工業應用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉換器、用于充電器、適配器和電源供
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EPC 氮化鎵 高功率密度
前言 最近充電頭網拿到了一款基于能華CE65H160TOAI氮化鎵功率器件的65W筆電適配器方案樣品，該方案是為配合工信部國產替代政策而設計。 該方案采用奶白色的外殼，方形，給人簡約時尚感覺；其內部采用卡扣散熱設計方案，裝配緊湊牢固、安裝方式簡單，免除其它散熱方案所需要的生產夾具，降低生產成本，利于規模化的生產制造；再加上能華的低熱阻封裝TO-220的CoreGaN產品，使得系統的熱可靠性大為提高，已經通過了環溫40°下的嚴苛可靠性測試。下面就隨小編來詳細了解該方案。 能華65W快充外觀 能華
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拆解 筆電 充電器 氮化鎵
NCP1345是次世代高度集成的準共振Flyback, 適用于設計高性能電源轉換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉換器, 包括雙 VCC 架構, 允許直接連接到輔助繞組, 以進行簡化 VCC 管理零件計數減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無論設計輸出電壓或輸出功率如何。準共振 (QR）專有波谷鎖定電路，以確保穩定的波谷切換,當下降到第6
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現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優勢和優越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導體，第二代半導體在高頻性能上優于硅器件，通常用于射頻應用。氮化鎵（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成為第三代半導體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更低的導通壓降，轉換效率高，也更適應高溫工作環境。與硅材料和SiC相比，GaN材料電子飽和漂移速率更高，適合高頻率應用場景，因而在電力電子應用中，GaN器件可以在MHz以上頻率工作，大大減小了對外圍電路中電
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半導體寒氣襲人知誰暖？芯片行業的砍單潮已經將寒氣傳遞給了眾多企業，三星半導體部門負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷售大幅下滑態勢將延續至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數 (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來市場倍增與產能擴張。 安森美二季度財報發布后，就將其2022年碳化硅營收預期上調為“同比增長3倍”，而
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碳化硅 氮化鎵
hofer powertrain為新一代電動汽車傳動系統奠定基礎。德國動力系統專家hofer powertrain選擇前瞻性芯片技術，通過汽車領域氮化鎵（GaN）技術領導者VisIC Technologies公司提供最新氮化鎵芯片技術D3GaN（直驅D型）實現新的多級電力電子元件。新解決方案在效率和功率密度方面超過硅基技術的性能，最近的測試證明了它的成功。氮化鎵半導體是提高效率、增加電動汽車行駛里程和壽命的關鍵。hofer powertrain和VisIC Technologies的目標是開發基于氮化鎵的
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高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)宣布，全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管(FET)平臺，具有以下優點：系統設計簡單，元件數量少，性能更高，可靠性一流。飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個US
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功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發聯盟秘書長林若蓁博士（現職為臺灣經濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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