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氮化鎵
氮化鎵 文章 進(jìn)入氮化鎵技術(shù)社區(qū)
友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統(tǒng)的65瓦PD電源方案_大幅精簡(jiǎn)線路與提高功率密度
- NCP1345是次世代高度集成的準(zhǔn)共振Flyback, 適用于設(shè)計(jì)高性能電源轉(zhuǎn)換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉(zhuǎn)換器, 包括雙 VCC 架構(gòu), 允許直接連接到輔助繞組, 以進(jìn)行簡(jiǎn)化 VCC 管理零件計(jì)數(shù)減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側(cè)的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無(wú)論設(shè)計(jì)輸出電壓或輸出功率如何。準(zhǔn)共振 (QR）專有波谷鎖定電路，以確保穩(wěn)定的波谷切換,當(dāng)下降到第6
- 關(guān)鍵字： onsemi 電源轉(zhuǎn)換 NCP1345 氮化鎵
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？
- 硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導(dǎo)體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導(dǎo)體，第二代半導(dǎo)體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應(yīng)用。氮化鎵（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場(chǎng)強(qiáng)約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更低的導(dǎo)通壓降，轉(zhuǎn)換效率高，也更適應(yīng)高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比，GaN材料電子飽和漂移速率更高，適合高頻率應(yīng)用場(chǎng)景，因而在電力電子應(yīng)用中，GaN器件可以在MHz以上頻率工作，大大減小了對(duì)外圍電路中電
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第三代半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)，硅的時(shí)代要結(jié)束了嗎
- 半導(dǎo)體寒氣襲人知誰(shuí)暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導(dǎo)體部門負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun就預(yù)計(jì)芯片銷售大幅下滑態(tài)勢(shì)將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長(zhǎng)率由原先預(yù)估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴(kuò)大至衰退6%；費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) (SOX)近6個(gè)月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時(shí)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料卻在迎來(lái)市場(chǎng)倍增與產(chǎn)能擴(kuò)張。 安森美二季度財(cái)報(bào)發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營(yíng)收預(yù)期上調(diào)為“同比增長(zhǎng)3倍”，而
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hofer powertrain和VisIC Technologies宣布新一代氮化鎵電力電子元件
- hofer powertrain為新一代電動(dòng)汽車傳動(dòng)系統(tǒng)奠定基礎(chǔ)。德國(guó)動(dòng)力系統(tǒng)專家hofer powertrain選擇前瞻性芯片技術(shù)，通過(guò)汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者VisIC Technologies公司提供最新氮化鎵芯片技術(shù)D3GaN（直驅(qū)D型）實(shí)現(xiàn)新的多級(jí)電力電子元件。新解決方案在效率和功率密度方面超過(guò)硅基技術(shù)的性能，最近的測(cè)試證明了它的成功。氮化鎵半導(dǎo)體是提高效率、增加電動(dòng)汽車行駛里程和壽命的關(guān)鍵。hofer powertrain和VisIC Technologies的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)基于氮化鎵的
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飛宏新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)宣布，全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)汽車充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(FET)平臺(tái)，具有以下優(yōu)點(diǎn)：系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，元件數(shù)量少，性能更高，可靠性一流。飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個(gè)US
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭(zhēng)霸戰(zhàn)
- 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān)，特點(diǎn)是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來(lái)，功率半導(dǎo)體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)林若蓁博士（現(xiàn)職為臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)研究院研究一所副所長(zhǎng)）指出，功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心，具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管）與IGBT（絕緣
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比銀行卡還要小的多，智融推出65W 3C口超薄氮化鎵快充方案
- 前言65W氮化鎵充電器能夠?yàn)槭謾C(jī)和電腦提供理想的快充體驗(yàn)，同時(shí)不需要PFC，從成本和體積上都很有優(yōu)勢(shì)，是工廠和消費(fèi)者選擇的主力產(chǎn)品。隨著近年來(lái)平面變壓器技術(shù)的成熟，通過(guò)使用平面變壓器取代傳統(tǒng)繞線變壓器，充電器從常規(guī)的方塊形態(tài)進(jìn)化成為餅干形態(tài)，更加便于攜帶。智融科技推出了多款可用于氮化鎵充電器的協(xié)議降壓二合一芯片，在車充和氮化鎵快充中應(yīng)用非常廣泛。智融推出了用于氮化鎵開(kāi)關(guān)管的初級(jí)主控芯片SW1106，支持直驅(qū)增強(qiáng)型氮化鎵開(kāi)關(guān)管，進(jìn)一步完善氮化鎵快充產(chǎn)品線，致力于推出一站式氮化鎵快充電源解決方案。充電頭網(wǎng)已經(jīng)
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Transphorm推出參考設(shè)計(jì)組合，加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開(kāi)發(fā)
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?近日宣布推出七款參考設(shè)計(jì)，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的開(kāi)放式框架設(shè)計(jì)選項(xiàng)，覆蓋多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、輸出和功率（45W至140W）。SuperGaN?技術(shù)的差異化優(yōu)勢(shì)?電源適配器參考設(shè)計(jì)采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、可靠性高和性能強(qiáng)勁的優(yōu)勢(shì)，這些特點(diǎn)已經(jīng)成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對(duì)比分析中，與1
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氮化鎵集成電路縮小電動(dòng)自行車和無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
- 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)EPC9173無(wú)論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機(jī)系統(tǒng)且簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和加快產(chǎn)品推出市場(chǎng)的時(shí)間。我們可以把這種微型逆變器放進(jìn)電機(jī)外殼中，從而把電磁干擾減到最小、實(shí)現(xiàn)最高的功率密度和最輕的重量。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9173，它是一款三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，采用具備嵌入式柵極驅(qū)動(dòng)器功能的EPC23101 eGaN?集成電路和一個(gè)3.3 mΩ導(dǎo)通電阻的浮動(dòng)功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作，峰值電
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EPC新推最小型化的40V、1.1m?場(chǎng)效應(yīng)晶體管,可實(shí)現(xiàn)最高功率密度
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（EPC2066），為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司 為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
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Power Integrations的InnoSwitch4-CZ系列高集成度開(kāi)關(guān)IC已擴(kuò)展至220W
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布InnoSwitch?4-CZ系列高頻率、零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)反激式開(kāi)關(guān)IC再添新品。當(dāng)與Power Integrations的ClampZero?有源鉗位IC或者最近發(fā)布的HiperPFS?-5氮化鎵功率因數(shù)校正IC搭配使用時(shí)，新IC可輕松符合最新的USB PD 3.1標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)計(jì)出高達(dá)220W的適配器和充電器。“商務(wù)旅行者需要輕便、緊湊、強(qiáng)大的適配器，能夠?yàn)樗麄兯械闹匾O(shè)備快速充電。新型InnoSwitch4-C
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布與國(guó)際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長(zhǎng)期保持著緊密的聯(lián)系，此次進(jìn)一步合作的目標(biāo)是共同開(kāi)發(fā)GaN功率器件在電動(dòng)汽車(EV)上的應(yīng)用。隨著客運(yùn)車輛日益電氣化，市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體的要求也在不斷提高，需要在越來(lái)越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合，可以滿
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意法半導(dǎo)體和MACOM成功開(kāi)發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片,取得技術(shù)與性能階段突破
- ?●? ?產(chǎn)品達(dá)到成本和性能雙重目標(biāo)，現(xiàn)進(jìn)入認(rèn)證測(cè)試階段●? ?實(shí)現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進(jìn)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(以下簡(jiǎn)稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化
- 關(guān)鍵字： 射頻 氮化鎵
新一代單片式整合氮化鎵芯片 升級(jí)功率電路性能
- 在這篇文章里，imec氮化鎵電力電子研究計(jì)劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平臺(tái)上，整合高性能蕭基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管（HEMT）的成功案例。該平臺(tái)以p型氮化鎵（GaN）HEMT制成，并成功整合多個(gè)GaN組件，將能協(xié)助新一代芯片擴(kuò)充功能與升級(jí)性能，推進(jìn)GaN功率IC的全新發(fā)展。同時(shí)提供DC/DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器所需的開(kāi)發(fā)動(dòng)能，進(jìn)一步縮小組件尺寸與提高運(yùn)作效率。電力電子半導(dǎo)體的最佳解答：氮化鎵（GaN）過(guò)去
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 功率電路
氮化鎵介紹
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