如何使用氮化鎵器件：引進氮化鎵晶體管技術,本文是專為功率系統設計工程師及工程經理而設的連載文章的第一章。我們在未來數個月將介紹應用于電源轉換的氮化鎵技術，并討論其基本設計及輔以應用范例。硅器件已稱王多時
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氮化鎵 晶體管
技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司(納斯達克代碼：TQNT)，日前發布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器，為快速增長的有線電視基礎構架提供了優異的性能。
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TriQuint 氮化鎵 倍增器
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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直流 18GHz 氮化鎵 TriQuint
增強型氮化鎵電源管理器件的供應商宜普電源轉換公司(Efficient Power Conversion)日前宣布，WiTricity?公司開發出采用高頻氮化鎵(eGaN?)的無線電源展示系統。
WiTricity?公司的無線電源展示系統內含宜普公司的具高頻開關性能的氮化鎵晶體管，該氮化鎵晶體管所具備的性能可以在高頻、高壓及高功率情況下有效率地工作。
WiTricity?的創始人發明了具非常高的共振頻率的無線電源傳送。WiTricity&trade
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無線充電 氮化鎵
目前，世界范圍內在GaN基高亮度LED及半導體全固態照明光源的研發方面居于領先水平的公司主要有：美國的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他綜合性大公司(如NEC、Matsushita、
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LED 氮化鎵 高亮度 分析
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GaN 恩智浦 氮化鎵 射頻功率晶體管
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。
iP2010和iP2011集成了非常先進的超快速PowIRtune驅動器IC，并匹配一個多開關單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上，可帶來比最先進的硅集成功率級器件
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IR 功率器件 氮化鎵 DC-DC
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