- 前言65W氮化鎵充電器能夠為手機和電腦提供理想的快充體驗，同時不需要PFC，從成本和體積上都很有優勢，是工廠和消費者選擇的主力產品。隨著近年來平面變壓器技術的成熟，通過使用平面變壓器取代傳統繞線變壓器，充電器從常規的方塊形態進化成為餅干形態，更加便于攜帶。智融科技推出了多款可用于氮化鎵充電器的協議降壓二合一芯片，在車充和氮化鎵快充中應用非常廣泛。智融推出了用于氮化鎵開關管的初級主控芯片SW1106，支持直驅增強型氮化鎵開關管，進一步完善氮化鎵快充產品線，致力于推出一站式氮化鎵快充電源解決方案。充電頭網已經
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智融 氮化鎵 充電器 快充
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc.?近日宣布推出七款參考設計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，覆蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W）。SuperGaN?技術的差異化優勢?電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與1
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Transphorm 氮化鎵
- 基于氮化鎵器件的逆變器參考設計EPC9173無論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面，優化了電機系統且簡化設計和加快產品推出市場的時間。我們可以把這種微型逆變器放進電機外殼中，從而把電磁干擾減到最小、實現最高的功率密度和最輕的重量。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9173，它是一款三相無刷直流電機驅動逆變器，采用具備嵌入式柵極驅動器功能的EPC23101 eGaN?集成電路和一個3.3 mΩ導通電阻的浮動功率氮化鎵場效應晶體管。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作，峰值電
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氮化鎵 電機
- 宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2066），為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業領先供應商宜普電源轉換公司 為業界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發貨。EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
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氮化鎵 場效應晶體管
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布InnoSwitch?4-CZ系列高頻率、零電壓開關(ZVS)反激式開關IC再添新品。當與Power Integrations的ClampZero?有源鉗位IC或者最近發布的HiperPFS?-5氮化鎵功率因數校正IC搭配使用時，新IC可輕松符合最新的USB PD 3.1標準，設計出高達220W的適配器和充電器。“商務旅行者需要輕便、緊湊、強大的適配器，能夠為他們所有的重要設備快速充電。新型InnoSwitch4-C
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- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia近日宣布與國際著名的為汽車行業提供先進電子器件的供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系，攜手研發車規氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯系，此次進一步合作的目標是共同開發GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應用。隨著客運車輛日益電氣化，市場對功率半導體的要求也在不斷提高，需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉換。高壓功率氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)與創新型封裝技術相結合，可以滿
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- ?●? ?產品達到成本和性能雙重目標，現進入認證測試階段●? ?實現彈性量產和供貨取得巨大進展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)和世界排名前列的電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導體和MACOM將繼續攜手，深化合作。射頻硅基氮化
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- 在這篇文章里，imec氮化鎵電力電子研究計劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平臺上，整合高性能蕭基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管（HEMT）的成功案例。該平臺以p型氮化鎵（GaN）HEMT制成，并成功整合多個GaN組件，將能協助新一代芯片擴充功能與升級性能，推進GaN功率IC的全新發展。同時提供DC/DC轉換器與負載點（POL）轉換器所需的開發動能，進一步縮小組件尺寸與提高運作效率。電力電子半導體的最佳解答：氮化鎵（GaN）過去
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- 宜普電源轉換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2071）,為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應用的理想器件，包括用于新型服務器和人工智能的
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氮化鎵 場效應
- VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達50?W功率的產品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自適應間歇工作模式(burstmode) 開啟的情況下，待機功耗低于30 mW。此外，該器件的保護功能可提高穩健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業內同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨，配有USB-PD供電端口的開
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- 半導體研究隨著以空間技術、計算機為導向的第三次科技革命（1950年）拉開帷幕。半導體產業作為知識技術高度密集、資金密集、科研密集型產業，由上游（半導體材料）、中游（光電子、分立器件、傳感器、集成電路）、下游（終端電子產品）組成。第一代半導體材料：硅、鍺元素。金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）已在各類電子器件、集成電路中廣泛應用。第二代半導體材料：砷化鎵、磷化銦等化合物。禁帶寬度比第一代半導體材料大，但擊穿電壓不夠高，在高溫、高功率下應用效果不理想，砷化鎵源材料有
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- 當世界繼續努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術的能耗繼續飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規模MIMO（mMIMO）系統的推動下，基站無線電中的半導體器件數量急劇增加，移動網絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網絡的安裝和
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- 近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設計。 與三星、小米、OPPO等廠商積極發力氮化鎵快充產品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果 如今，蘋果有望持續加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規模將達1
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- EETOP編譯整理自techinsights 在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優化器件性能。 由于GaN/AlGaN異質結界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開關的潛力。 氮化鎵的導熱性相對較差。(在300K時約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K) 雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質結周圍的一個小區域。漸進式的改進 雖然不理想，但傳統的硅封裝可以而且已
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- 氮化鎵(GaN)是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現的性能，使得使用GaN元件進行設計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰。 GaN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
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