- 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產品。
“不會游泳的時候就跳下了水”
蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商， 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發，逐步研發成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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GaN 氮化鎵
- 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業MOSFET在五年后發布生產，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。
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mosfet 氮化鎵 pfc
- 隨著氮化鎵(GaN)不斷應用在二極管、場效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業內專家直言，電力電子產業即將迎來技術的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統硅元件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指標，也是硅元件難以望其項背的。特別是近年來隨著氮化鎵廣泛被應用于手機快充、電源以及5G市場，氮化鎵即將引領半導體技術革命的呼聲越來越高。
有望于手機快充、5G市場起飛
當下，氮化鎵的主要應用市場是手機快充、電源產業。近年來手機快充技術不斷發展，已成為智能手機標配，而促進其普及的重要推手便是氮化
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氮化鎵 5G
- 6月26日電(記者余曉潔)到2030年，第三代半導體產業力爭全產業鏈進入世界先進行列，部分核心關鍵技術國際引領，核心環節有1至3家世界龍頭企業，國產化率超過70%……第三代半導體發展戰略發布會25日在京舉行。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲如是描述我國第三代半導體的“中國夢”。
第二屆國際第三代半導體創新創業大賽同日啟動。大賽圍繞第三代半導體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應用及設計與仿真方面的技術應用創新，以及商業模式創新等內容征集參
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半導體 氮化鎵
- 具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來氮化鎵將逐步在手機的5G功率放大器中出現，基地臺的功率放大器應用也是其另一項發展主力。
絡達科技技術長林珩之表示，5G基地臺的功率放大器將會以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(PowerHandle)，并以表現度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(Calibration)程序，成本會比較高。不過，基地臺的整體數量相較于手機應用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶
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氮化鎵
- 本文介紹了氮化鎵的發展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進行對比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無線基站及射頻能量等方面的特性和未來發展的廣闊市場。
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氮化鎵 砷化鎵 LDMOS 201701
- 據報道，共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。
據了解，“氮化鎵”是天野研發的獲諾貝爾獎的藍色發光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研制氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合，加快研發進程。
天野是小出在名古屋大學念書時低一屆的學弟。兩人在名城大學終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學獎)門下一同進行
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氮化鎵 功率器件
- 伊利諾伊大學研究人員開發出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法
GaN晶體管比傳統的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行(500℃以下)，但像所有半導體那樣，GaN晶體管也產生過多的熱量，這會限制他們的性能。
基于散熱器和風扇的冷卻方法增加成本和體積。現在，一個來自伊利諾伊大學微納米技術實驗室的研究團隊創造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。
采用計算機輔助設計，坎·拜拉姆的團隊已經證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設備的熱預期和最終性能。
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氮化鎵 晶體管
- 伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
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氮化鎵 碳化硅
- 中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。
中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。
隨著半導體科技的高速發展，科技工作者發現基于傳統技術路線來進行芯片與系統之間的數據通信越來越難
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氮化鎵 芯片
- 氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優勢和成熟規模化的生產能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論壇上，這個主題受到國內媒體的集體“圍觀”。富士通電子元器件高級市場經理蔡振宇(Eric)的“氮化鎵產品主要的應用場景和未來的趨勢”主題分享，將富士通電子旗下代理產品線Transphorm公司獨特GaN技術和產品方案第一次帶到中國媒體面前，采用創新的Cascode結構的HEMT高壓產品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術領域劍走偏鋒，成為該陣營的領頭
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富士通 氮化鎵
- 宜普電源轉換公司(EPC)增加合共九個教程單元的教學視頻系列，擴大它的視頻資源以拓展氮化鎵技術的知識庫，為功率系統設計工程師提供高級技術教程，包括應用范例，教授如何使用氮化鎵晶體管及集成電路設計出更高效的功率轉換系統。 除了為工程師提供氮化鎵晶體管的設計基礎及可靠性數據外，本視頻系列教授如何把開發板轉化為實用的原型。此外，該系列提供氮化鎵晶體管在廣泛的功率電子應用中的實用范例，包括面向電信及數據通信系統的DC/DC轉換，以及關于采用氮化鎵器件的無線充電應用的兩個視頻。 氮化鎵(GaN)高級學習視頻
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宜普 氮化鎵
- 根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體業者受惠;另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。
目前銷售Ga
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- 上海PCIM Asia展會現場，氮化鎵系統公司(GaN Systems)聯合創始人兼總裁Girvan Patterson手持一塊用于服務器電源的集成電路板展示：“由于使用氮化鎵晶體管器件，這塊電路板的尺寸縮小到了原先的1/4。更為重要的是，它在性能、能源效率、系統成本等方面相比當下主流的硅基功率電子元件有了跨越式提升。”
被稱為“終極半導體材料”的氮化鎵研究和應用是全球半導體研究的前沿和熱點，在光電子器件和微電子器件領域市場前景廣闊。“
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氮化鎵 半導體
- 據日經BP報道，松下研發出用于電源和馬達控制的新一代半導體，將于2016年春季在日本國內企業中率先量產。新一代半導體采用氮化鎵(GaN)，能將耗電量控制在原來一半左右。據悉，松下目前已與日本國內外約10家企業就供貨進入最終交涉，新一代半導體被松下定位為重振持續虧損的半導體業務的戰略產品，松下計劃首先將向服務器電源裝置等供貨。
氮化鎵被稱為“終極半導體材料”，世界上僅有美國風險企業涉足。松下將在生產子公司松下電器半導體有限公司(panasonic Semiconductor
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