氮化鎵 文章 進入氮化鎵技術(shù)社區(qū)
氮化鎵（GaN）晶體管設(shè)備越薄越冷
- 伊利諾伊大學研究人員開發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法 GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行(500℃以下)，但像所有半導體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過多的熱量，這會限制他們的性能。 基于散熱器和風扇的冷卻方法增加成本和體積。現(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學微納米技術(shù)實驗室的研究團隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。 采用計算機輔助設(shè)計，坎·拜拉姆的團隊已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設(shè)備的熱預期和最終性能。
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硅襯底氮化鎵基激光器將大幅降低器件制造成本
- 中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關(guān)研究成果近日刊登在《自然—光子學》。 中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關(guān)研究成果近日刊登在《自然—光子學》。 隨著半導體科技的高速發(fā)展，科技工作者發(fā)現(xiàn)基于傳統(tǒng)技術(shù)路線來進行芯片與系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)通信越來越難
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氮化鎵功率技術(shù)大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
- 氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)模化的生產(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論壇上，這個主題受到國內(nèi)媒體的集體“圍觀”。富士通電子元器件高級市場經(jīng)理蔡振宇(Eric)的“氮化鎵產(chǎn)品主要的應用場景和未來的趨勢”主題分享，將富士通電子旗下代理產(chǎn)品線Transphorm公司獨特GaN技術(shù)和產(chǎn)品方案第一次帶到中國媒體面前，采用創(chuàng)新的Cascode結(jié)構(gòu)的HEMT高壓產(chǎn)品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術(shù)領(lǐng)域劍走偏鋒，成為該陣營的領(lǐng)頭
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高級教程視頻系列教授如何使用氮化鎵（GaN）功率器件以實現(xiàn)先進的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)增加合共九個教程單元的教學視頻系列，擴大它的視頻資源以拓展氮化鎵技術(shù)的知識庫，為功率系統(tǒng)設(shè)計工程師提供高級技術(shù)教程，包括應用范例，教授如何使用氮化鎵晶體管及集成電路設(shè)計出更高效的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。 除了為工程師提供氮化鎵晶體管的設(shè)計基礎(chǔ)及可靠性數(shù)據(jù)外，本視頻系列教授如何把開發(fā)板轉(zhuǎn)化為實用的原型。此外，該系列提供氮化鎵晶體管在廣泛的功率電子應用中的實用范例，包括面向電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的DC/DC轉(zhuǎn)換，以及關(guān)于采用氮化鎵器件的無線充電應用的兩個視頻。 氮化鎵(GaN)高級學習視頻
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氮化鎵元件將擴展功率應用市場
- 根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。 Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。 目前銷售Ga
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日本松下將量產(chǎn)新一代半導體：氮化鎵
- 據(jù)日經(jīng)BP報道，松下研發(fā)出用于電源和馬達控制的新一代半導體，將于2016年春季在日本國內(nèi)企業(yè)中率先量產(chǎn)。新一代半導體采用氮化鎵(GaN)，能將耗電量控制在原來一半左右。據(jù)悉，松下目前已與日本國內(nèi)外約10家企業(yè)就供貨進入最終交涉，新一代半導體被松下定位為重振持續(xù)虧損的半導體業(yè)務的戰(zhàn)略產(chǎn)品，松下計劃首先將向服務器電源裝置等供貨。 氮化鎵被稱為“終極半導體材料”，世界上僅有美國風險企業(yè)涉足。松下將在生產(chǎn)子公司松下電器半導體有限公司(panasonic Semiconductor
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Qorvo：關(guān)于氮化鎵的十個重要事實
- 從下一代的國防和航天應用，到有線電視、VSAT、點對點(PtP)、基站基礎(chǔ)設(shè)施，Qorvo的GaN(氮化鎵)產(chǎn)品和技術(shù)為您身邊的各種系統(tǒng)提供領(lǐng)先的 性能支持，讓您能夠隨時聯(lián)網(wǎng)并受到保護。這些領(lǐng)先性能包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理……閱讀下面的“氮化鎵的十個重要事實”，真正了解這個在我 們的工作和生活中發(fā)揮重要作用的關(guān)鍵技術(shù)。 關(guān)于氮化鎵的十個重要事實： 一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度較高，
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北美稱半導體市場未來翻倍增長 氮化鎵需求增長
- 半導體產(chǎn)業(yè)是整個電子信息產(chǎn)業(yè)鏈中最關(guān)鍵的產(chǎn)業(yè)之一，它為集成芯片產(chǎn)業(yè)、LED產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)等產(chǎn)業(yè)提供關(guān)鍵性基礎(chǔ)材料，對整個電子信息產(chǎn)業(yè)影響巨大。上世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，引發(fā)了第三次技術(shù)革命;上世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類進入了信息時代。 半導體產(chǎn)品廣泛應用在電子工業(yè)和微電子工業(yè)中，用來制作各種晶體管、集成電路、固態(tài)激光器等各種精密原器件。 有
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安森美半導體與 Transphorm合作提供領(lǐng)先業(yè)界能效的基于氮化鎵(GaN)的電源系統(tǒng)方案
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)與功率轉(zhuǎn)換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關(guān)系，共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產(chǎn)品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計算機、電信及網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的各種高壓應用。 這策略合作充分發(fā)揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產(chǎn)通過授證的公司，并在這先進技術(shù)有無與倫比的經(jīng)驗。安森美半導體是一家領(lǐng)先的高能效電源方案供應商，在系統(tǒng)設(shè)計具備深厚的專知和技術(shù)，提供寬廣的陣容產(chǎn)品，從功率分立器件
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Veeco推出EPIK700 MOCVD系統(tǒng) 加快固態(tài)照明的普及
- 今日，Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化鎵(GaN)金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng)，結(jié)合了該行業(yè)最高的生產(chǎn)率與最佳良率這兩大優(yōu)勢，運營成本低，從而進一步降低通用照明應用的發(fā)光二極管(LED)的制造成本。 EPIK700 MOCVD系統(tǒng)采用了Veeco大生產(chǎn)驗證過的TurboDisc技術(shù)，具有行業(yè)內(nèi)最大的反應腔，其產(chǎn)能相當于目前的其它反應腔的兩倍多。反應腔的容量增加，再加上腔內(nèi)波長均勻性以及生產(chǎn)力的提升，與之前的反應腔相比，其產(chǎn)量提高了
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在高頻降壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）
- 我們會探討在高頻降壓轉(zhuǎn)換器使用最優(yōu)版圖并在1MHz頻率開關(guān)時可實現(xiàn)高于96%效率。降壓轉(zhuǎn)換器縱然具備最優(yōu)電...
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納米級壓電LED陣列推動機器人觸感皮膚技術(shù)發(fā)展
- 電子簽名、指紋掃描、以及機器人觸感皮膚之間有什么共同點？得益于一套能將氧化鋅納米線陣列轉(zhuǎn)化成微型L...
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氮化鎵介紹
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