作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產業正在火熱發展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產業熱度也正在持續上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態披露。在關注度較高的擴產項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區再制造基地正式開工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
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碳化硅 氮化鎵 化合物半導體
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術開發商Odyssey Semiconductor Technologies的資產。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關鍵員工都將加入Power Integrations的技術部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術的持續開發提供有力支持。PowiGaN技術已廣泛應用于該公司的眾多產品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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Power Integrations Odyssey 氮化鎵 GaN
近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統級封裝GaN產品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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功率半導體 氮化鎵 GaN
全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN?平臺的系統級封裝氮化鎵產品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和T
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Transphorm 偉詮 SiP氮化鎵 氮化鎵
《科技日報》19日報導，電子科技大學信息與量子實驗室透露，該實驗室研究團隊近日與北京清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學「銀杏一號」城域量子互聯網研究平臺，取得的又一項重要進展，相關成果發表在《物理評論快報》上。據了解，量子光源芯片是量子互聯網的核心器件，可以看作點亮「量子房間」的「量子燈泡」，讓互聯網使用者擁有進行量子信息交互的能力。研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克了高質量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技
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氮化鎵 量子光源
據天府絳溪實驗室官微消息，近日，電子科技大學信息與量子實驗室、天府絳溪實驗室量子互聯網前沿研究中心與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展，也是天府絳溪實驗室在關鍵核心技術領域取得的又一創新成果。據悉，研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技術難題，在國際上首次將氮化鎵材料運用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料
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氮化鎵 量子光芯片
Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優勢。圖 1 顯示了關斷時的發散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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氮化鎵 FET
3月20日，春分時期，萬物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?，F場一片繁忙熱鬧，據悉本次展會面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產業鏈格外亮眼，據全球半導體觀察不完全統計，共有近70家相關企業帶來了一眾新品與最新技術，龍頭企業頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業，設備端則如晶盛機電、中微公司
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碳化硅 氮化鎵 第三代半導體
根據韓國媒體THE ELEC的報導，模擬芯片大廠德州儀器(TI)的一位高層表示，該公司正在將其多個晶圓廠生產的6英寸氮化鎵(GaN)芯片，轉移到8英寸晶圓廠來生產。報導指出，德州儀器韓國公司經理Jerome Shin在首爾舉行的新聞發布會上表示，德州儀器正在達拉斯和日本會津準備興建8英寸晶圓廠，這將使其能夠提供更具價格競爭力的GaN芯片JeromeShin指出，人們普遍認為GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂貴，但這種看法自2022年以來發生了轉變。因為德州儀器正在將其生產由6英寸晶圓廠轉換為8英寸晶圓廠
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德州儀器 氮化鎵 模擬芯片
近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產。目前，Odyssey已與客戶簽署最終協議，將其大部分資產出售給一家大型半導體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術開發高壓功率開關元件和系統，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進半導體開發和生產工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應晶體管。償還貸款和交易費用后，公司預
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氮化鎵 第三代半導體
引言隨著技術的迅速發展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續地推動這一發展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網供電。同樣，為了實現更快的數據處理、大數據存儲以及人工智能(AI)，服務器的需求也在呈指數級增長。鑒于這些趨勢，設計人員面臨著一項重大挑戰：如何在持續提升設計效率的同時，在相同的尺寸內實現更高的功率。這一挑戰已經推動了氮化鎵(GaN)在高壓電源設計中的廣泛應用，原因在于GaN具有兩大優勢：●? ?提高功率密度。GaN的開關頻率較高，使設計人員能夠使用體積更小的無源器件（
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氮化鎵 中壓應用
自2018年10月25日，Anker發布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費電子領域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關產品。當前，GaN消費電子產品市場已是一片紅海，競爭日趨激烈。面對GaN在消費電子領域應用現狀，相關企業開始尋求新的增量市場，GaN技術應用由此逐步向新能源汽車、光伏、數據中心等其他應用場景延伸。GaN的特殊價值，正在消費電子之外的多個領域持續釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動化與智能化趨勢下，汽車搭載的電子電力系統越來越多。而與傳統硅材料相比，基于GaN材料制備的
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氮化鎵 第三代半導體 消費電子
英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉換器將變得更輕、更小，系統成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優化電路和布局設計，進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質量標準和穩固的供應鏈為我們提供了
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英飛凌 Worksport 氮化鎵 GaN 便攜式發電站
2024 年 3 月 7 日，中國——意法半導體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉換器的設計難度，提高轉換能效，目標應用包括工業電源、便攜式設備充電器和 AC/DC適配器。SRK1004的檢測輸入能夠承受高達190V 的電壓，可以連接高低邊功率開關管。共有四款產品供用戶選擇，僅器件選型就可以讓用戶優化應用設計，通過選擇5.5V或 9V的柵極驅動電壓，可以在設計選用理想的邏輯電平 MOSFET
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意法半導體 同步整流控制器 氮化鎵 功率轉換器
當今，快充市場正迎來前所未有的機遇與挑戰。風暴仍在繼續，快充市場的迅猛發展，用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動設備的普及，用戶對于充電器體積的要求也越來越高；同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出，低成本是每個快充產品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術的要求愈發嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關IC，在內部集成750V或900V PowiGaN?初級開關、初級側控制器、FluxLink?
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PI SR-ZVS GaN 氮化鎵
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