近年來，隨著科技的不斷進步和全球對綠色低碳發展的需求日益增長，半導體行業迎來了前所未有的發展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者，英飛凌在氮化鎵領域持續深耕，通過戰略布局、技術創新、市場應用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務市場總監程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵 英飛凌 GaN Systems
氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優勢體現在節能、成本節約及材料省用上。其核心亮點在于其超快的開關速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進了開關頻率的大幅提升，進而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅，通過實現極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實現了數量級的優化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統效率的關鍵所在。綜合上述兩方面優勢，氮化鎵的應用不僅促進了系統性
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氮化鎵 GaN
在2024年7月11日的慕尼黑電子展上，EEPW采訪了上海永銘電子股份有限公司（以下簡稱“永銘電子”）。其以23年的深厚技術積累和創新精神，再次成為行業關注的焦點。作為一家集研發、制造、銷售于一體的電容器企業，永銘電子在新能源汽車電子、光伏逆變器、風力發電、5G通訊、IDC服務器、算力服務器以及人工智能等多個領域展現出了其技術實力和市場競爭力。本屆慕展上的永銘電子展臺永銘電子自2001年成立以來，一直致力于電容器的研發與創新。公司目前擁有十個事業部，專注于新能源汽車電子、光伏逆變器、風力發電、5G通訊、服
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電容 氮化鎵 永銘電子 電容
7月12日消息，近日，西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授課題組李祥東團隊在藍寶石基增強型e-GaN電力電子芯片量產技術研發方面取得突破性進展。研發成果6英寸增強型e-GaN電力電子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Chang
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氮化鎵 電力電子芯片
在當今能效需求日益增長的時代背景下，家電及HVAC系統的設計師們正全力以赴地追求更高的能效標準。與此同時，他們也積極響應消費者對可靠、靜音、緊湊且經濟實用的系統的期待。市場上的主要設計挑戰在于，如何在不增加系統成本的前提下，設計并開發出更為小巧、高效且經濟適用的電機驅動器。這一挑戰要求設計師們不斷創新，以實現能效與實用性的完美結合。基于以上背景，德州儀器（TI）再次走在行業前沿，通過其最新發布的DRV7308氮化鎵（GaN）智能功率模塊（IPM），為高壓電機驅動系統帶來了革命性的改變。近日，德州儀器在發布
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德州儀器 TI 氮化鎵 IPM 智能電源模塊
650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調（HVAC）系統逆變器達到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。中國上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）推出了適用于 250W 電機驅動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調 (HVAC) 系統時通
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氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結構進行對比，總結結構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術理解。在理解氮化鎵功率器件結構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進行對比說明。一、器件結構與制造工藝（一）器件結構對比GaN
HEMT是基于AlGaN/GaN異質結，目前市面上還未出現G
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氮化鎵 GaN 結構 制造工藝
氮化鎵 (GaN) 半導體在 20 世紀 90 年代初首次作為高亮度藍色發光二極管 (LED) 投入商業應用，隨后成為藍光光盤播放器的核心技術。自此以后雖已取得長足進步，但在將近二十年后，該技術才因其高能效特性而在場效應晶體管 (FET) 上實現商業可行性。氮化鎵目前是半導體行業增長最快的細分市場之一，復合年增長率估計在 25% 至 50% 之間，其驅動力來自對能效更高設備的需求，以期實現可持續發展和電氣化目標。與硅晶體管相比，氮化鎵晶體管可以設計出體積更小、效率更高的器件。氮化鎵最初
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ADI 氮化鎵 功率元件
作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產業正在火熱發展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產業熱度也正在持續上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態披露。在關注度較高的擴產項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區再制造基地正式開工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
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深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術開發商Odyssey Semiconductor Technologies的資產。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關鍵員工都將加入Power Integrations的技術部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術的持續開發提供有力支持。PowiGaN技術已廣泛應用于該公司的眾多產品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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Power Integrations Odyssey 氮化鎵 GaN
近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統級封裝GaN產品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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功率半導體 氮化鎵 GaN
全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN?平臺的系統級封裝氮化鎵產品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和T
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《科技日報》19日報導，電子科技大學信息與量子實驗室透露，該實驗室研究團隊近日與北京清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學「銀杏一號」城域量子互聯網研究平臺，取得的又一項重要進展，相關成果發表在《物理評論快報》上。據了解，量子光源芯片是量子互聯網的核心器件，可以看作點亮「量子房間」的「量子燈泡」，讓互聯網使用者擁有進行量子信息交互的能力。研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克了高質量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技
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氮化鎵 量子光源
據天府絳溪實驗室官微消息，近日，電子科技大學信息與量子實驗室、天府絳溪實驗室量子互聯網前沿研究中心與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展，也是天府絳溪實驗室在關鍵核心技術領域取得的又一創新成果。據悉，研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技術難題，在國際上首次將氮化鎵材料運用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料
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氮化鎵 量子光芯片
Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優勢。圖 1 顯示了關斷時的發散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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氮化鎵 FET
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