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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

        氮化鎵 文章 最新資訊

        氮化鎵的未來:IDM 還是 Fabless

        • 今年十月份,日本功率器件大廠羅姆半導體(ROHM)公開表示,將在氮化鎵功率半導體領域加強與臺積電合作,公司旗下的氮化鎵(GaN)產(chǎn)品將全面委托臺積電代工生產(chǎn)。值得注意的是,羅姆之前主要利用內(nèi)部工廠來生產(chǎn)相關器件,但是近年來已經(jīng)開始將部分產(chǎn)品委托臺積電代工,只不過羅姆此前并未對外公布。而此次,羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)有望運用于廣泛用途的 650V 耐壓產(chǎn)品,借由活用外部資源,應對急增的需求,擴大業(yè)務規(guī)模。有分析認為,羅姆全面委托臺積電代工氮化鎵產(chǎn)品,旨在降低成本。畢竟,氮化鎵材料雖然性能優(yōu)越,但成本一直
        • 關鍵字: 氮化鎵  Fabless  

        英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

        • 英飛凌科技股份公司近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管,該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費和工業(yè)開關電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機驅(qū)動器。最新一代CoolGaN?晶體管可直接替代CoolGaN? 600 V G1晶體管,實現(xiàn)了現(xiàn)有平臺的快速重新設計。新器件改進了性能指標,確保為重點應用帶來具有競爭力的開關性能。與主要同類產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)
        • 關鍵字: 英飛凌  氮化鎵  功率分立器件  

        敢想敢做,PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關IC

        • 1932年,研究人員在George Herbert Jones實驗室,將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進行反應,成功合成了GaN材料。近一個世紀的時間里,氮化鎵逐漸引領著功率變換領域的新一輪變革。特別是Power Integrations公司近日推出的業(yè)界首款1700V氮化鎵開關IC——InnoMux?-2系列產(chǎn)品,不僅刷新了氮化鎵技術(shù)的耐壓紀錄,更是以其卓越的性能和廣泛的應用前景,成為了電源管理領域的遙遙領先者。 氮化鎵逐漸成為王者 最佳開關電源技術(shù)覆蓋從十瓦至一兆瓦的廣泛
        • 關鍵字: PI  氮化鎵  1700v  電源IC  

        Power Integrations推出1700V氮化鎵開關IC,為氮化鎵技術(shù)樹立新標桿

        • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日推出InnoMux?-2系列單級、獨立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成,是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關IC。1700V額定耐壓進一步提升了氮化鎵功率器件的先進水平,此前的業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激設計中輕松支持1000VDC額定輸入電壓,并在需要一個、兩個或三
        • 關鍵字: Power Integrations  氮化鎵開關  氮化鎵  

        德州儀器日本會津工廠開始生產(chǎn)GaN芯片,自有產(chǎn)能將提升四倍

        • 自德州儀器官網(wǎng)獲悉,日前,德州儀器公司(TI)宣布已開始在日本會津工廠生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導體。隨著會津工廠的投產(chǎn),結(jié)合其在德克薩斯州達拉斯的現(xiàn)有GaN制造能力,德州儀器的內(nèi)部GaN基功率半導體制造能力將翻四倍。德州儀器技術(shù)與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯(Mohammad Yunus)表示,在GaN芯片設計和制造方面擁有十多年的豐富經(jīng)驗后,TI成功地將200mm GaN技術(shù)(這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法)應用于會津工廠的量產(chǎn)。這一里程碑使德州儀器能夠在內(nèi)部制造更多的Ga
        • 關鍵字: 德州儀器  氮化鎵  功率半導體  

        德州儀器擴大氮化鎵(GaN)半導體自有制造規(guī)模,產(chǎn)能提升至原來的四倍

        • 新聞亮點:●? ?德州儀器增加了GaN制造投入,將兩個工廠的GaN半導體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。●? ?德州儀器基于GaN的半導體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。●? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導體,能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品。●? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布,公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn),
        • 關鍵字: 德州儀器  氮化鎵  GaN  

        氮化鎵或?qū)⑨尫殴夥夹g(shù)的長期潛力

        • 2023 年全球可再生能源發(fā)電量首次超過全球總發(fā)電量的 30%創(chuàng)歷史新高,這則消息的背后是技術(shù)的不斷創(chuàng)新與突破。一直以來,可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性,比如對于光伏而言,只能根據(jù)光照進行發(fā)電,而無法根據(jù)需求而定。不過,隨著儲能技術(shù)的推進,微型逆變器和串式逆變器正朝向雙向操作技術(shù)方向演進,且隨時可以按需智能地融入電網(wǎng)。一個重要且可預見的趨勢是氮化鎵可作為下一代家庭太陽能生產(chǎn)的重要組成部分,提供更高的功率密度,更小的外部無源元件、從而降低系統(tǒng)成本,增加系統(tǒng)效率,提供智能電網(wǎng)的彈性。作為氮化鎵供應商的先驅(qū)
        • 關鍵字: 氮化鎵  光伏  TI  

        美印宣布將在印度建立半導體工廠,生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

        • 美國和印度達成協(xié)議,將共同在印度建立一家半導體制造廠,助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。據(jù)白宮消息人士稱,擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體,這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱,該工廠的建立將得到印度半導體計劃(ISM),以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領域所能提供的機會提供了新的關注點。在過去十年中,莫迪曾多次表示,他將把印度定位為中國的替代品,并
        • 關鍵字: 半導體  氮化鎵  碳化硅  

        信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助

        • 第三代半導體材料氮化鎵,傳來新消息:日本半導體材料大廠信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日,信越化學宣布研制出一種用于GaN(氮化鎵)外延生長的300毫米(12英寸)QSTTM襯底,并于近日開始供應樣品。圖片來源:信越化學從氮化鎵生產(chǎn)上看,盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線來生產(chǎn)GaN,但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板,因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù),可實現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長,并抑制SEMI標準厚度的QS
        • 關鍵字: 信越化學  氮化鎵  外延生長  

        三星加碼氮化鎵功率半導體

        • 根據(jù)韓媒報道,9月2日,三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導體的設備。GaN是下一代功率半導體材料,具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優(yōu)勢,IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業(yè)的增長潛力,并一直在推動其進入市場。去年6月,在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上,該公司正式宣布:“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領域推出8英寸GaN功率半導體代工服務。”根據(jù)這一戰(zhàn)略,三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
        • 關鍵字: 三星  氮化鎵  功率半導體  

        泰克先進半導體實驗室:量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試

        • _____在泰克先進半導體開放實驗室,2024年8月份,我們有幸見證了量芯微(GaN Power)新一代1200V氮化鎵(GaN)功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠商,其最新產(chǎn)品在性能上的顯著提升,不僅展現(xiàn)了技術(shù)的進步,也為我們的客戶帶來了新的解決方案。測試概覽今年8月,我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件,其額定工作條件提升至1200V/20A(70mΩ),在柵極電壓12V的條件下,輸出電流提升至20A以上。這一性能的提升,使得量芯微的GaN器件在
        • 關鍵字: 202409  量芯微  氮化鎵  泰克  

        拆解報告:HUAWEI華為100W全能充多口充電器P0018

        • 前言HUAWEI華為旗下快充產(chǎn)品相當多,除了隨機附送的充電器外,這些年還陸續(xù)推出過多口充、超薄快充以及全能充等產(chǎn)品,其中全能充系列涵蓋了快充充電器、車載充電器以及磁吸無線充移動電源等品類,功率也有66W、88W、100W可選。可以說光是這個系列的產(chǎn)品,就相當琳瑯滿目了。華為100W全能充多口充電器P0018是華為近期推出的新品,這款充電器除了配置代表性的干涉型融合端口外,還額外擁有一個獨立的USB-C接口,這便使得充電器具有了同時為兩個華為系設備供電的能力。下面充電頭網(wǎng)就對華為這款新品進行詳細拆解,一起來
        • 關鍵字: 氮化鎵  華為  充電器  

        拆解報告:HP惠普65W 2C1A氮化鎵快充充電器ZHAN 65

        • 前言HP惠普是知名的國際電腦品牌,平時大家遇到的惠普電源多為大功率大尺寸的筆記本電源適配器,雖說大品牌的產(chǎn)品在用料規(guī)格和做工方面沒得說,但終歸不便攜。而隨著快充的普及,近期充電頭網(wǎng)拿到了惠普一款符合當下主流消費者需求的65W氮化鎵快充充電器。這款充電器配置2C1A三個主流USB接口,不僅支持最大65W快充,還支持45W+20W等輸出策略,此外這款充電器還支持國內(nèi)新興的UFCS融合快充,可以說完全是一款針對國內(nèi)市場推出的快充產(chǎn)品。下面充電頭網(wǎng)就對其進行拆解,看看做工用料如何。惠普65W氮化鎵快充充電器開箱包
        • 關鍵字: 惠普  氮化鎵  充電器  

        氮化鎵外延廠瑞典企業(yè)SweGaN宣布已開始出貨

        • 8月13日,瑞典企業(yè)SweGaN宣布,公司生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC)晶圓的新工廠已開始出貨,產(chǎn)品將用于下一代5G先進網(wǎng)絡高功率射頻應用。資料顯示,SweGaN新工廠位于瑞典林雪平,于2023年3月動工建設,可年產(chǎn)4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN表示,旗下新工廠開始出貨標志著公司從一家無晶圓廠設計廠商,正式轉(zhuǎn)型為一家半導體制造商。合作方面,今年上半年,SweGaN與未公開的電信和國防公司簽訂了三份重要的供貨協(xié)議,使其訂單量翻了一番,達到1700萬瑞典克朗(折合人民幣約115
        • 關鍵字: 氮化鎵  SweGaN  

        羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

        • 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國際會展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)(展位號:11號館D14)。屆時,將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體,展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
        • 關鍵字: 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  
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        氮化鎵介紹

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