北美稱半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)翻倍增長(zhǎng) 氮化鎵需求增長(zhǎng)

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)鏈中最關(guān)鍵的產(chǎn)業(yè)之一，它為集成芯片產(chǎn)業(yè)、LED產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)等產(chǎn)業(yè)提供關(guān)鍵性基礎(chǔ)材料，對(duì)整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)影響巨大。上世紀(jì)中葉，單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，引發(fā)了第三次技術(shù)革命;上世紀(jì)70年代初石英光導(dǎo)纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類進(jìn)入了信息時(shí)代。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在電子工業(yè)和微電子工業(yè)中，用來(lái)制作各種晶體管、集成電路、固態(tài)激光器等各種精密原器件。

　　有業(yè)內(nèi)資深專家表示：半導(dǎo)體材料大致可以分為三代。第一代半導(dǎo)體是硅;第二代半導(dǎo)體是以砷化鎵為代表;第三代半導(dǎo)體以氮化鎵為代表，它在電和光的轉(zhuǎn)化方面性能突出，在微波信號(hào)傳輸方面的效率更高，所以可以被廣泛應(yīng)用到照明、顯示、通訊等各大領(lǐng)域。

　　現(xiàn)在LED盛行的風(fēng)潮下，氮化鎵首先作為半導(dǎo)體發(fā)光二極管在LED照明產(chǎn)業(yè)取得重大突破，這也極大帶動(dòng)了金屬鎵的消費(fèi)。目前LED氮化鎵芯片通常是基于藍(lán)寶石或碳化硅襯底晶片。這種襯底LED芯片存在很大的缺陷，如果采用氮化鎵晶片作為襯底，不但可以有效解決發(fā)光時(shí)的散熱問(wèn)題，還能使單位面積亮度提升10倍。2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主中村修二指出，GaN on GaN LED技術(shù)將在不遠(yuǎn)的將來(lái)取代現(xiàn)有的第一代LED技術(shù)成為L(zhǎng)ED發(fā)展的主流，而GaN襯底將成為L(zhǎng)ED行業(yè)最終選擇的襯底。隨著氮化鎵晶片的價(jià)格逐年下降， 氮化鎵襯底在半導(dǎo)體照明的應(yīng)用市場(chǎng)將一發(fā)不可收，氮化鎵的消費(fèi)將成倍增長(zhǎng)。

　　除了LED 照明，電子光電器件是其另一個(gè)主要的應(yīng)用市場(chǎng)。目前，氮化鎵(GaN)正在成為半導(dǎo)體RF功率器件的主流工藝技術(shù)。在一些軍事應(yīng)用和微波通訊領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。根據(jù)美國(guó)戰(zhàn)略分析部分公布的報(bào)告稱，受軍事早期報(bào)警，監(jiān)察，火控雷達(dá)方面市場(chǎng)的帶動(dòng)，氮化鎵需求增強(qiáng)。

　　北美戰(zhàn)略分析部門一負(fù)責(zé)人在談到2013-2023年的氮化鎵發(fā)展趨勢(shì)中稱，10年期間，相關(guān)的半導(dǎo)體和其他器件市場(chǎng)將從12億美元上漲到21億美元，其中氮化鎵的技術(shù)逐漸成熟，復(fù)合增長(zhǎng)率在26.4%，在所有的雷達(dá)系統(tǒng)都有所應(yīng)用。

　　氮化鎵是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，并可以成為制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。半導(dǎo)體的未來(lái)屬于氮化鎵，氮化鎵前景一片光明。

　　氮化鎵由稀有金屬鎵和氮?dú)庵瞥桑袊?guó)是全球最大的金屬鎵生產(chǎn)國(guó)，金屬鎵年產(chǎn)量超過(guò)300噸/年，但中國(guó)的金屬鎵行業(yè)大而不強(qiáng)，大量金屬鎵作為初級(jí)產(chǎn)品出口，據(jù)海關(guān)數(shù)據(jù)顯示僅今年1-10月份中國(guó)出口金屬鎵就超過(guò)了100噸，價(jià)格卻一路走低，部分鎵生產(chǎn)企業(yè)持續(xù)虧損。

　　泛亞有色金屬交易所作為全球最大的稀有金屬交易所，目前已經(jīng)開展了金屬鎵的現(xiàn)貨交易，這將極大地促進(jìn)我國(guó)金屬鎵行業(yè)的健康發(fā)展，幫助我國(guó)獲得金屬鎵的定價(jià)權(quán)。