Intel正在和以色列商談在中東建設新晶圓廠之際，半導體產業傳奇、Intel前首席執行官/總裁/董事長安迪-格魯夫(Andy Grove)卻語出驚人，認為美國應該把制造業留在本國國內，停止外包給其他國家。
安迪-格魯夫在《商業周刊》專欄中撰文稱：“硅谷地區的失業率甚至要高于9.7%的全國平均水平，很顯然，偉大的硅谷創新機器近來并未創造大量工作崗位，除非你算上亞洲，美國技術公司多年來一直在那里瘋狂地增加工作(機會)。如今，在美國從事計算機制造業的只有大約16.6萬人，還不如1975年第
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Intel 晶圓
由于晶圓廠第3季接單滿手，第4季雖然不同客戶因庫存水位高低而有下單增減情況，惟目前看來，第4季投片情況與第3季比較并無明顯下滑跡象，有利于封測廠接單。不過，封測廠因產能滿載，第3季業績成長幅度將較過去傳統旺季縮小。
時序邁入7月，雖然日月光、矽品等封測廠尚未結算出6月業績，但預期日月光6月可能會比5月略佳，矽品則維持持平或小幅回檔，推估日月光第2季營收成長率將上探20%,優于原預期11~13%,矽品季增率則可望落在3~5%.
對于2010年下半表現，由于晶圓廠目前接單滿手，第3季產能表現依
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晶圓 封測
市場研究機構Future Horizons的創辦人暨首席分析師Malcolm Penn預期，晶片市場第二季的業績表現將出現大成長，但令他困惑的是，那些瘋狂的供應商在產品交貨期拉長的同時，竟持續讓晶片價格下跌。
Penn表示，部分晶片廠商忙著追趕市占率并向主要客戶展現忠誠度，以至于忘了半導體事業需要藉由重新拉抬產品平均售價(ASP)與營利，才能應付龐大的基礎建設成本。而2010年正是個市場發展的大好機會，無論產品出貨量與金額的成長動力都十分強勁，并持續超越分析師們的預期。
我們對第二季晶片市
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半導體 晶圓
臺灣臺積電(TSMC)的日本法人——臺積電日本于2010年7月1日在東京都內舉行了記者說明會，介紹了對半導體市場的長期展望。臺積電日本代表董事社長小野寺誠表示，2012年以后“預計年平均增長率為4.2%，將繼續保持平穩增長”。該公司認為，雖然業界將半導體的新市場寄望于新興市場國家，但新興市場國家的平均售價較低，因此無法成為恢復到以前兩位數增長勢頭的原動力。
臺積電預測，2010年半導體市場相對于上年的增長率將為30%。該公司表示，雖然2011年將繼
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臺積電 晶圓
由于晶圓廠第3季接單滿手，第4季雖然不同客戶因庫存水位高低而有下單增減情況，惟目前看來，第4季投片情況與第3季比較并無明顯下滑跡象，有利于封測廠接單。不過，封測廠因產能滿載，第3季業績成長幅度將較過去傳統旺季縮小。
時序邁入7月，雖然日月光、矽品等封測廠尚未結算出6月業績，但預期日月光6月可能會比5月略佳，矽品則維持持平或小幅回檔，推估日月光第2季營收成長率將上探20%，優于原預期11~13%，矽品季增率則可望落在3~5%。
對于2010年下半表現，由于晶圓廠目前接單滿手，第3季產能表現依
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日月光 晶圓 封測
Crossing Automation公司,一個為半導體設備制造商提供靈活、低成本和有效的前段及后段制造程序自動化解決方案及工程服務領域的領先供應商今天宣布，該公司已經獲得四項新專利。這些專利涉及晶圓生產設備前端的Loaport(晶圓裝載端口)，晶圓輸送機器手臂和晶圓輸送機器手臂的終端操作器，進一步拓展了 Crossing 在晶圓輸送環節自動化技術領域的領先地位。
Crossing 總裁兼首席執行官 Bob MacKnight 表示：“Crossing Automation 多年來在
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Crossing 晶圓 LED
據報道，Intel目前正在與以色列工業、貿易和勞工部進行探討，計劃再那里再建一座新的晶圓廠。Intel希望新工廠也能建在以色列南部小鎮水牛城 (Kiryat Gat)，緊挨其現有工廠Fab 28。這是Intel全球范圍內的第二座45nm、第七座300mm晶圓廠，2008年下半年投產。Intel為這座工廠投入了35億美元，以色列政府也 提供了5.25億美元的補貼。除了位于海法、水牛城的工廠，Intel還在以色列耶路撒冷、佩塔提科瓦、雅庫姆等地設有相關機構，直接創造了6300個工 作崗位，還有數千個間接就
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Intel 300mm 晶圓
IBM、GlobalFoundries、三星電子、意法半導體四家行業巨頭今天聯合宣布，他們將合作實現半導 體制造工廠的同步，共同使用IBM技術聯盟開發的28nm低功耗工藝生產相關芯片。據了解，這種同步模式將確保客戶的芯片設計能夠在三個國家的多座晶圓廠內靈活生產，無需重新設計，大大降低半導 體制造的風險和成本。相關的28nm新工藝通用電路已經發放到各家工廠，預計今年底就會有工廠率先完成同步過程，隨后不久便可以開始投產。
IBM技術聯盟的核心是IBM位于紐約州East Fishkill的工廠，成員包
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GlobalFoundries 28nm 晶圓
據市場研究公司Information Network最新發表的研究報告稱，中國的半導體加工廠在2009年生產了價值400億美元的集成電路，占國內市場需求的比例從2004年的20.9% 提高到了25.1%。中國向半導體行業進行的大量投資得到了回報。Information Network總裁Robert Castellano在聲明中說，經濟衰退和中國政府有限的投資導致中國在過去的五年里僅向半導體加工廠投資了70億美元。這些投資僅夠建設兩個300毫米晶圓加工廠。
但是，這種趨勢將很快轉變。中國政府已經
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半導體 晶圓 300毫米
IBM“晶圓廠俱樂部”中的四家公司IBM、Samsung、GlobalFoundries和ST稱他們將在28nm低功耗工藝上展開合作保持同步。
該集團將于2010年晚期開始出貨28nm晶圓，并且開始對其代工競爭對手進行隱晦的口頭攻擊。
該集團沒有指出臺積電的名字，但臺積電對IBM集團的高k技術表示過不滿。IBM的28nm工藝是基于gate-first高k金屬柵技術，而臺積電則在高k中采用gate-last工藝。
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IBM 28nm 晶圓
茂德宣布成功在中科12寸晶圓廠試產爾必達(Elpida)的63納米1Gb容量DDR3產品，預計8月開始會大量導入63納米制程，年底前拉至3.5萬片水平，同時預計在2011年下半導入45納米制程，屆時考慮將12寸晶圓廠的產能擴充至8萬片水平;此外，茂德股東會也順利通過減資和3項募資案，預計減資和增資程序將于3個月內完成，預計引進3~5家策略聯盟伙伴，屆時營運可望重新脫胎換骨。
茂德3月底正式導入爾必達 63納米制程，經過將近3個月磨和期，茂德正式宣布試產成功，首批1Gb容量DDR3產品以成功通過測
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茂德 晶圓 63納米
三星電子公司宣布其位于京畿道器興的300mm晶圓廠的S號產線已經具備了采用32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程生產SOC芯片的能力，這條產線將可用于代工生產客戶設計的SOC芯片產品。三星這次啟用的32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程是由IBM領導下的IBM聯合開發技術聯盟(IBM Joint Development Alliance)開發出來的。
三星目前已經采用這種32nm LP制程技術制造出了一種基于ARM 1176處理器核心的SOC芯片產品，這種
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三星電子 300mm 晶圓
據報導，三星電子(Samsung Electronics)投資36億美元，擴增位在美國德州奧斯汀(Austin)的12吋晶圓廠。乍聽之下，似乎沒有什么特別之處，然而奧斯汀的新產能并不是投注在內存，而是在邏輯組件，這就讓觀察家有些不解，畢竟三星是全球排名第一的內存廠商，但邏輯組件排名第8，擴增邏輯組件產能的原因為何?市場猜測，三星意在此領域取代英特爾。
首先是三星與蘋果(Apple)的合作關系讓三星在邏輯組件的實力增加，除了提供iPod中的內存外，三星也是iPhone主要應用處理器的供貨商。分析師
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三星電子 晶圓
聯電5月營收恢復成長態勢，達到新臺幣100.9億元，創下歷史第4高紀錄，由于聯電6、8及12寸廠產能處于滿載，預期2010年下半單月營收仍有高點可期。至于產能同樣處于滿載的臺積電近期亦將公布營運實績，預期將續創歷史新高。
受惠于產能滿載、產品平均單價(ASP)攀升及部分訂單遞延到5月出貨，聯電5月營收表現亮麗，一舉突破100億元大關，達100.9億元，創下近30個月來單月新高紀錄，同時亦是過去歷史第4 高。聯電累計前5月營收461.24億元，年增率82.82%。
由于聯電接單暢旺，尤其65
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X-FAB Silicon Foundries，業界領先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術的專家，今天宣布其將擴大自身的晶圓廠服務，囊括8英寸(200毫米)MEMS晶片工藝。移至更大的晶片直徑及單片電路的MEMS/CMOS集成可以大大降低生產成本。X-FAB相信其擴展到8英寸MEMS生產使其能夠在領先的MEMS晶圓廠中占據有利地位，并能使為汽車與消費電子市場開發應用設備的客戶受益。公司早已開展與主要客戶合作,結合0.35微米CMOS技術,開發200毫米晶片的MEMS設
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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