三星開(kāi)始DDR3存儲(chǔ)器量產(chǎn)

　　為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問(wèn)題，三星電子準(zhǔn)備開(kāi)始50納米的DDR3量產(chǎn)。

　　DDR3是第3代的同步雙速率存儲(chǔ)器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲(chǔ)器的主流技術(shù)。但也有些分析師，包括Needham的Edwin Mok認(rèn)為DDR3今年可能不會(huì)有實(shí)質(zhì)性的太多進(jìn)展。

　　三星表示DDR3能使設(shè)計(jì)servers的OEM與DDR2相比較，每個(gè)系統(tǒng)提升到192Gb，并在功能提高一倍時(shí)功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb時(shí))。

　　未來(lái)Xeon 5500處理器結(jié)合DDR3的應(yīng)用將大大提升企業(yè)server的數(shù)據(jù)傳輸速率。

　　英特爾上月正式推出45納米的Nehalm服務(wù)器版本，Xeon 5500芯片將可把存儲(chǔ)器控制芯片及高速互聯(lián)集成在一起。

　　按三星公司的說(shuō)法，DDR3的解決方案己經(jīng)得到Intel 5500平臺(tái)的驗(yàn)證。三星的DDR3器件已經(jīng)通過(guò)英特爾的驗(yàn)證程序，包括1Gb、2Gb、4Gb、8Gb直到16Gb的雙線存儲(chǔ)器模塊(DIMMs)以及1Gb、2Gb、4Gb不帶緩存的DIMMs。

　　與60nm的DDR3芯片比較，三星最新推出的50nm芯片每秒速率可達(dá)800Mb、1066Mb及1333Mb，并在1333Mbps時(shí)功耗降低40%。