富士通推出兩款125°C規(guī)格的低功耗SiP存儲(chǔ)器

　　富士通微電子(上海)有限公司今日宣布推出兩款新型消費(fèi)類FCRAM(*1)存儲(chǔ)器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口，是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴(kuò)大至125°C的芯片。富士通微電子今日起開始提供這兩款新型FCRAM產(chǎn)品。這兩款低功耗存儲(chǔ)器適用于數(shù)字電視、數(shù)字視頻攝像機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)。

　　如果SiP架構(gòu)上的片上系統(tǒng)(SoC)整合了新型FCRAM芯片，當(dāng)SiP工作速度提高導(dǎo)致工作溫度上升時(shí)，存儲(chǔ)器也不會(huì)對操作造成影響或限制，客戶將從中受益。此外，它還具有其它優(yōu)勢，如可降低產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)難度，節(jié)省電路板空間，并減少元器件數(shù)量。

　　目前，市場對消費(fèi)類數(shù)字產(chǎn)品的性能、速度和開發(fā)成本的要求越來越高。為滿足這些需求，就會(huì)更多地使用SiP，要求它同時(shí)整合帶有SoC的存儲(chǔ)器芯片。使用SiP可以減少元器件數(shù)量并節(jié)省電路板空間，進(jìn)而能夠降低系統(tǒng)成本。使用SiP還能簡化高速存儲(chǔ)器開發(fā)或采取降噪措施等設(shè)計(jì)。

　　圖1: 存儲(chǔ)器SiP上的散熱設(shè)計(jì)方案比較：

　　顯示使用新型FCRAM的優(yōu)越性

　　如圖1所示，迄今為止，使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，SiP發(fā)揮受限，而使用新型FCRAM產(chǎn)品就可以解決這一問題。圖1(a)介紹的SiP架構(gòu)上使用的高性能SoC功耗較高，產(chǎn)生的熱量可使SiP溫度上升到105 °C。因?yàn)镾oC的最高溫度額定為125 °C，所以操作能夠正常進(jìn)行，但使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器僅可在最高為95 °C的溫度環(huán)境下運(yùn)行，因此不能使用這一SiP架構(gòu)。

　　要在SiP上使用傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，另外一種方法是添加類似散熱器等散熱器件。如圖1(b)所示，這一方案可使SiP溫度降低到90°C，器件可以運(yùn)行，但是增加了成本和電路板占用面積。因此，許多一直在研究SiP的客戶希望擴(kuò)大存儲(chǔ)器的工作溫度范圍。

　　富士通微電子正是應(yīng)對這一需求而開發(fā)出了最高工作溫度為125 °C 的512 Mb和256 Mb消費(fèi)類FCRAM產(chǎn)品。如1(c)所示，使用額定為125°C的FCRAM，即使整合一顆高功耗的SoC，SiP也能運(yùn)行良好，無需添加散熱器。這就解決了使用額定為95 °C的傳統(tǒng)存儲(chǔ)器而需要采取散熱措施而引發(fā)的成本增加問題。

　　而且，即使在125°C的環(huán)境下運(yùn)行，這些新型FCRAM產(chǎn)品也可以提供傳統(tǒng)DDR SDRAM存儲(chǔ)器兩倍的數(shù)據(jù)傳輸率，同時(shí)還能保持低功耗。事實(shí)上，與傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗達(dá)50%。所以，這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的二氧化碳排放達(dá)50%。

　　富士通微電子將繼續(xù)為SiP開發(fā)具備必要性能和功能的產(chǎn)品，從而為消費(fèi)類電子產(chǎn)品提供價(jià)值和成本最優(yōu)的解決方案。