Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該PMIC集成了單節Li+電池充電器、控制系統電源和電池電源切換的電源轉換系統、以及用于“調節”DDR存儲器電源的2MHz同步降壓調節器。這種空前的高度集成特性省去了現有方案中15個以上的分立元件，從而節省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源，非常適合用于RAID服務器/系統存儲卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
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Maxim 電源管理 存儲器 電池
大家好，我叫Paul Evans，是Stratix III產品營銷經理。到目前為止，我已經從事了6年的雙倍數據速率存儲器工作，今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數據交錯，如屏幕上所示。
為了更好地進行演示，我們將使用這里所示的Stratix III DDR3存儲器電路板。它上面有幾個高速雙倍數據速率存儲器，例如DDR2 UDIMM插槽、RLD RAM、QDR，當然，還有DDR3 UDIMM插槽。因此，我們所要做的就是通過Quartus軟件來下載一個簡單設計，FPGA
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FPGA DDR3 存儲器
近日，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術實驗室成功研制出國內首個256位分子存儲器電路。
分子電路是指在分子層次上構筑的電子器件及其集成電路，是后摩爾時代接替硅基電路最受關注的方向之一，它能夠使電子器件的關鍵尺寸縮小到分子尺度，突破摩爾定律極限，推動集成電路向更小尺寸，更高集成度方向發展。
電阻轉變型雙穩態材料的存儲特性在信息存儲以及存儲器方面有著非常廣闊的應用前景，是一種天生的存儲材料。
具有此類雙穩態特性的分子功能材料由于其低成本、低功耗，并且有潛力將特征尺寸縮小到分子尺度等優
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分子 存儲器 電路
存儲器的類型將決定整個嵌入式系統的操作和性能，因此存儲器的選擇是一個非常重要的決策。
無論系統是采用電池供電還是由市電供電，應用需求將決定存儲器的類型(易失性或非易失性)以及使用目的(存儲代碼、數據或者兩者兼有)。另外，在選擇過程中,存儲器的尺寸和成本也是需要考慮的重要因素。對于較小的系統，微控制器自帶的存儲器就有可能滿足系統要求，而較大的系統可能要求增加外部存儲器。為嵌入式系統選擇存儲器類型時，需要考
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嵌入式 存儲器 選擇
引 言
隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲器的速度差異越來越大，匹配CPU與外部存儲器的方法通常是采用Cache或者片上存儲器。微處理器中的片上存儲器結構通常包含指令Cache、數據Cache或者片上存儲器。對于嵌入式設備上數據密集的應用，數據Cache與片上存儲器相比存在以下缺陷：①片上存儲器是固定的單周期訪問，可在設計時(不是運行時)研究數據訪問模式;而Cache還要考慮不命中的情況，因而有可變的數據訪問時間，執行時間的預測更加困難。②使用Cache執行時間的不可預測性影響編譯器的優
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存儲器
非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布升級其FM31x Processor Companion (處理器伴侶) 系列。升級產品融入了更高效的涓流充電器和標準12.5pF外部晶振實時時鐘 (RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非易失性F-RAM存儲器、高速雙線接口及高度集成的支持與外設功能，適用于基于處理器的先進系統。
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Altera公司宣布開始提供業界容量最大的FPGA。Altera 65-nm Stratix? III系列的型號之一EP3SL340具有業界最大的340K邏輯單元(LE)容量，支持DDR3存儲器，接口速率超過1067 Mbps，功耗在所有的大容量、高性能邏輯器件(PLD)中是最低的。Stratix III FPGA是各類最終市場多種應用的理想解決方案，包括通信、計算機、存儲以及軍事和航空航天等領域。
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鐵電存儲器同時具備可存儲大量資料的動態隨機存儲器DRAM)與高速運作的靜態隨機存儲器(SRAM)的優點，且在斷電后，資料不會消失，亦具備快閃存儲器的優點。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實現多值存儲，在相同規模下可以達到更高的存儲容量，因而在提高性價比方面具有極大的優勢。
為了系統地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數學模型[2]。后人也有用實驗數據、依據實驗數據得到的
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三星電子(SamsungElectronics)發布2007年第四季度財報，盡管旗下手機和面板事業相當爭氣，尤其面板獲利表現優異，但仍不敵內存市場供過于求、芯片價格跌至新低，使得該季凈利衰退6.6%，達2.21兆韓元(約24億美元)，營收則提升11%，達17.48兆韓元(約190億美元)。
三星旗下三大主力事業分別為半導體、面板和手機，由于三星身兼DRAM和NAND閃存市場龍頭，往年負責內存芯片的半導體事業，一向是三星獲利主要來源，2007年第四季度卻因DRAM價格劇跌，讓過去的金雞母業績一落千
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隨著科學實驗的不斷開展，信息化的發展與多媒體網絡技術的推廣應用，數據量變得越來越復雜與繁多。特別是電子商務的廣泛應用，信息化的政務以及各行各業的網絡應用，數據已成為一種無形的戰略資產，如何利用現有的存儲結構進行數據存儲、共享變得越來越重要。數據存儲從單一的系統轉向網絡化方面發展，利用網絡的海量存儲能力與讀取的方便性，把數據進行網絡存儲共享已經成為數據存儲共享的一種趨勢，而傳統的SCSI存儲方案與目前應用廣泛的NAS數據存儲共享方案均有不盡人意之處。因此希望有一種優秀的解決方案來適應當今數據存儲共享的要
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尼桑公司推出首個高密度節能型存儲方案SATABeast Xi，該方案能夠大大優化已經上市的蘋果Xserve和 Mac Pro 系統。
該款SATABeast Xi是迄今為止密度最高的存儲方案，可使僅有4個機架單元的空間存儲容量高達42TB;也是唯一可與具有AutoMAID™ (冗余磁盤陣列)的Xserve連接的軟件。在AutoMAID應用下 ，SATABeast Xi 不僅能夠近瞬時訪問數據，還能夠將其磁盤驅動器置于閑置狀態，從而達到節能的目標。
此外，SATABeast Xi
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中華人民共和國國家知識產權局(以下簡稱“國家知識產權局”)與IBM公司共同宣布，國家知識產權局2006年存儲擴容項目已于日前順利完成。IBM不僅幫助國家知識產權局對現有的內網開放系統存儲(即SAN_SVM)進行容量擴充，同時針對國家知識產權局的整體存儲構架提供了咨詢服務，以保障國家知識產權局的運行系統能夠在多家廠商集合存儲網的環境下安全、集中、高效地運行。
當前國家知識產權局專利申請量突破300萬件。知識產權工作在建設創新型國家中的作用日益突出，同時經濟、科技、貿易和文化的發展對知識產權工作也提
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Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出兩款首次配備非易失性閃存數據存儲器(FDM)的8引腳和14引腳封裝低檔 8位閃存PIC單片機。新器件使Microchip低檔 PIC單片機系列中的集成低引腳數單片機更趨多元化。利用64 字節數據存儲器，結合8 MHz的內置振蕩器、器件復位定時器、多達3個8位模數轉換通道及2個比較器，為工程師提供了多種功能部件，有助于在低成本應用中融入數字智能。
設計工程師在不斷尋求性價比高的方法，力求在不增加設計復雜度的同時增加功能
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全球第二大存儲芯片制造商、韓國Hynix半導體日前表示，預計到今年第二季度其主要業務——電腦存儲芯片市場將出現反彈。
在美國拉斯維加斯參加2008CES上，Hynix半導體公司首席執行官KimJong-kap發表了上述觀點。
他稱，“此前，電腦儲存芯片市場一直處于低迷狀態，持續了大約15個月。而新一輪的低迷態勢從今年一月份開始，預計這一狀態還將延續一段時間。我們認為從今年第二季度開始，存儲芯片市場將會陸續出現反彈。”
在今年第三季度，Hynix半導體擁有全球DRAM芯片市場20%份額
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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